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    uv光催化氧化設(shè)備單板面積的選擇,。單板面積過小,則板片數(shù)目多,,占地面積大,,阻力降減小;反之,,單板面積過大,則板片數(shù)目少,,占地面積小,,阻力降增大,但是難以保證適當(dāng)?shù)陌彘g流速,。因此一般單板面積可按角孔流速為6m/s左右考慮,。板間流速的選取。流體在板間的流速,,影響換熱性能和壓力降,。流速高,傳熱系數(shù)高,,阻力降也增大:反之,,則相反,。一般取板間流速為0,、2-0、8m/s,且盡量使兩種流體板問速度一致,。流速小于0,、2m/s時(shí),流體達(dá)不到湍流狀態(tài),,且會形成較大的死角區(qū);流速過高會導(dǎo)致阻力降劇增,,氣體板間流速一般不大于10m/s。uv光催化氧化設(shè)備消耗了功使排氣溫度升高,。象山uv光催化氧化價(jià)格行情uv光催化氧化...