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主要用于制作砂輪,、砂紙,、砂帶,、油石,、磨塊、磨頭,、研磨膏及光伏產(chǎn)品中單晶硅,、多晶硅和電子行業(yè)的壓電晶體等方面的研磨、拋光等,?？捎米鰺掍摰拿撗鮿┖丸T鐵組織的改良劑，可用做制造四氯化硅的原料,，是硅樹脂工業(yè)的主要原料,。碳化硅脫氧劑是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑，取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧,，和原工藝相比各項(xiàng)理化性能更加穩(wěn)定,，脫氧效果好，使脫氧時(shí)間縮短,，節(jié)約能源,，提高煉鋼效率，提高鋼的質(zhì)量,，降低原輔材料消耗,，減少環(huán)境污染，改善勞動條件,，提高電爐的綜合經(jīng)濟(jì)效益都具有重要價(jià)值,。 要制成碳化硅微粉還要經(jīng)過水選過程，要做成碳化硅制品還要經(jīng)過成型與結(jié)燒的過程,。松江區(qū)碳化硅怎么樣 在開關(guān)電源系統(tǒng)中，二極管一般被用作...

主要用于制作砂輪,、砂紙,、砂帶、油石,、磨塊,、磨頭、研磨膏及光伏產(chǎn)品中單晶硅,、多晶硅和電子行業(yè)的壓電晶體等方面的研磨,、拋光等?？捎米鰺掍摰拿撗鮿┖丸T鐵組織的改良劑,，可用做制造四氯化硅的原料,，是硅樹脂工業(yè)的主要原料。碳化硅脫氧劑是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑,，取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧,，和原工藝相比各項(xiàng)理化性能更加穩(wěn)定，脫氧效果好,，使脫氧時(shí)間縮短,，節(jié)約能源，提高煉鋼效率,，提高鋼的質(zhì)量,，降低原輔材料消耗，減少環(huán)境污染,，改善勞動條件,，提高電爐的綜合經(jīng)濟(jì)效益都具有重要價(jià)值。 α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體,，已發(fā)現(xiàn)70余種,。普陀區(qū)碳化硅廠碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個(gè)常用...

碳化硅MOSFET和碳化硅二極管用于太陽能，UPS,，工業(yè),，汽車等應(yīng)用：主要集中在光伏儲能中的逆變器，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的UPS電源,，智能電網(wǎng)充電站等需要轉(zhuǎn)換效率較高的領(lǐng)域,。但是隨著近些年電動和混合動力汽車（xEV）的發(fā)展，SiC也在這個(gè)新領(lǐng)域迅速崛起,，輻射的產(chǎn)業(yè)包括能源（PV,，EV充電，智能電網(wǎng)等）,、汽車（OBC,逆變器）,、基礎(chǔ)設(shè)施（服務(wù)器）等。與常規(guī)硅相比,，WBG材料具有相對較寬的能帶隙（在價(jià)帶和導(dǎo)帶之間）,。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是當(dāng)今使用較普遍的WBG材料。表1顯示了WBG和Si基材料的主要特性,。 碳化硅可以利用硅與氧元素之間的親和作用來脫氧,。金山區(qū)碳化硅大概多少錢 根據(jù)中國機(jī)床...

碳化硅主要是一種經(jīng)過碳化處理的鐵合金產(chǎn)品，其內(nèi)部元素以碳化硅(Sic)較多,，一般情況下碳化硅含量越高的產(chǎn)品,，其顏色越發(fā)綠色，而較低的碳化硅產(chǎn)品發(fā)灰色，而碳化硅含量在50%~90%的碳化硅發(fā)黑色,，這樣我們在挑選碳化硅的時(shí)候可以看碳化硅產(chǎn)品的顏色碳化硅廠家為了取得客戶的信任,，通常會將碳化硅產(chǎn)品進(jìn)行質(zhì)量認(rèn)證，在購買碳化硅的時(shí)候可以看廠家碳化硅的資質(zhì),，其認(rèn)證資質(zhì)機(jī)構(gòu)越**其表明產(chǎn)品越好,，這樣我們可以通過查看碳化硅的資質(zhì)證書快速挑選好的碳化硅。碳化硅在鋼材冶煉中也常被用作添加劑使用,。靜安區(qū)碳化硅廠家有哪些 中國碳化硅出口市場以亞洲和北美洲為主,，出口份額分別占到全球出口份額的70.25%和23.76%，共...

對比熱數(shù)據(jù),，全SiC模塊顯示出比傳統(tǒng)硅模塊更低的熱阻,。這是由于與Si相比，SiC具有更高的熱傳導(dǎo)率和更好的熱擴(kuò)散能力：在此布局中,，4個(gè)SiC二極管芯片在相同的空間上代替1個(gè)硅二極管,。SiC器件更低的熱阻是特別重要的，因?yàn)樵谶@種情況下硅芯片使用了21 cm2的總面積,，而全SiC模塊只用了10 cm2,。與硅模塊的通態(tài)損耗相比，全SiC模塊的通態(tài)損耗更高,。SiC肖特基二極管的正向壓降也是這樣,。全SiC模塊的動態(tài)損耗非常低：SiC MOSFET的開關(guān)損耗比硅IGBT低4倍，SiC肖特基二極管的損耗低8-9倍,。 碳化硅大多用于加工抗張強(qiáng)度低的材料,，如玻璃、陶瓷,、石材,、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等,。徐匯區(qū)碳...

SiC的硬度只次于金剛石,，可以作為砂輪等磨具的磨料，因此對其進(jìn)行機(jī)械加工主要是利用金剛石砂輪磨削,、研磨和拋光,，其中金剛石砂輪磨削加工的效率較高，是加工SiC的重要手段,。但是SiC材料不只具有高硬度的特點(diǎn),，高脆性,、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層,，且產(chǎn)生較為嚴(yán)重的表面與亞表層損傷，影響加工精度,。因此,，深入研究SiC磨削機(jī)理與亞表面損傷對于提高SiC磨削加工效率和表面質(zhì)量具有重要意義,。用以制成的耐火材料，耐熱震,、體積小,、重量輕而強(qiáng)度高，節(jié)能效果好,。閔行區(qū)碳化硅生產(chǎn)商 碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài),。α-碳化硅為較常見的一種同質(zhì)異晶物，在高于2000 °...

說起碳化硅,，相信大家都不陌生,，無論是在冶金領(lǐng)域工作的朋友還是在都市生活中的時(shí)尚女性，都對碳化硅有所耳聞,，這是為什么呢,？碳化硅廠家告訴我們，碳化硅又可以被稱之為莫桑石,，也會被用作飾品,。工業(yè)領(lǐng)域的碳化硅種類有很多，常見的有黑碳化硅,、綠碳化硅,，即便是顏色的差異，性能上也各有千秋,。隨著生產(chǎn)技術(shù)的提高,，碳化硅除了在冶金領(lǐng)域被應(yīng)用外，在一些新科技領(lǐng)域也得到了認(rèn)可,，比如半導(dǎo)體,。碳化硅半導(dǎo)體材料具有很多特點(diǎn)，如耐高溫,、損耗率較低,、高頻化、熱傳導(dǎo)性能好,，因此以其為基礎(chǔ)材料生產(chǎn)制作的功率器件得到了大規(guī)模應(yīng)用,，如在辦公場合常見的電腦、空調(diào),、插座等,；工業(yè)企業(yè)中常見的自動化生產(chǎn)鏈、調(diào)節(jié)設(shè)備等,；在城市服務(wù)行業(yè),，則為電動化...

在開關(guān)電源系統(tǒng)中，二極管一般被用作整流、續(xù)流保護(hù)等,。用做整流時(shí),，經(jīng)常會因?yàn)檎鞫O管的反向恢復(fù)時(shí)間過長，進(jìn)而導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率降低,，發(fā)熱增加,。雖然使用肖特基二極管可解決反向恢復(fù)問題，但普通硅（Si）肖特基二極管的擊穿電壓很低（通常低于200V）,，再加上降額設(shè)計(jì),，不適合高壓應(yīng)用。而用碳化硅（SiC）制作的肖特基二極管耐壓可達(dá)1200V,，反向恢復(fù)電流幾乎可忽略不計(jì),，因而能有效減小器件的開關(guān)損耗，同時(shí),，還可簡化開關(guān)電源電路中的保護(hù)電路,，是公司提供的使用碳化硅肖特基二極管后對Boost型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開關(guān)電源的簡化。 碳化硅用于3—12英寸單晶硅,、多晶硅,、砷化鉀、石英晶體等線切割,。寶山區(qū)碳化硅什么牌子好 中...

碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定,、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小,、耐磨性能好,，除作磨料用外,，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍,；用以制成的高級耐火材料,，耐熱震,、體積小,、重量輕而強(qiáng)度高，節(jié)能效果好,。低品級碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑,，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學(xué)成分,，提高鋼的質(zhì)量,。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒,。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級,，只次于世界上較硬的金剛石（10級）,，具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體,，高溫時(shí)能抗氧化。碳化硅含量不同所呈現(xiàn)出來的顏色就會存在差異,。松江區(qū)碳化硅公司有哪些 近...

但要注意：它與天然金剛砂（石榴子石）的成分不同,。在工業(yè)生產(chǎn)中，SiC冶煉塊通常以石英,、石油焦等為原料,，輔助回收料、乏料,，經(jīng)過粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料（為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑,，制備綠碳化硅時(shí)還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專門用的碳化硅電爐,，其結(jié)構(gòu)由爐底,、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻,、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發(fā)熱體,，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形,。其兩端與電極相連）等組成,。純碳化硅為無色，而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物,。虹口區(qū)碳化硅廠商哪家好因?yàn)樘蓟鑼儆趶?fù)合型產(chǎn)品,，因...

因其3.2的比重及高的升華溫度（約2700 °C），碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件,。在任何已能達(dá)到的壓力下,，它都不會熔化，且具有相當(dāng)?shù)偷幕瘜W(xué)活性,。由于其高熱導(dǎo)性,、高崩潰電場強(qiáng)度及高的大電流密度，在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上,，不少人試著用它來取代硅,。此外，它與微波輻射有很強(qiáng)的偶合作用,，并其所有之高升華點(diǎn),，使其可實(shí)際應(yīng)用于加熱金屬。純碳化硅為無色,，而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物,。晶體上彩虹般的光澤則是因?yàn)槠浔砻娈a(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致,。碳化硅還被少量應(yīng)用于電子、航空等行業(yè),。上海碳化硅哪家強(qiáng) 在開關(guān)電源系統(tǒng)中,，二極管一般被用作整流、續(xù)流保護(hù)等,。用做整流時(shí),，經(jīng)常會因?yàn)檎鞫O管的反向...

中國碳化硅出口市場以亞洲和北美洲為主，出口份額分別占到全球出口份額的70.25%和23.76%,，共出口到59個(gè)國別和地區(qū),，比2011年增加了6個(gè)。出口數(shù)量在千噸以上的國別和地區(qū)依次為日本,、美國,、韓國、,、泰國,、新加坡、印度,、土耳其,、墨西哥和德國，這10個(gè)國家和地區(qū)的合計(jì)出口數(shù)量為15.26萬噸,，占出口總量的92.64%,。其中位列前四名的國別和地區(qū)出口數(shù)量占比分別為30.55%、23.25%,、15.5%和13.63%,，四個(gè)國別和地區(qū)的出口量之和占出口總量的82.93%。除韓國出口數(shù)量同比增長85.5%外,，土耳其和德國的數(shù)量同比增長引人注目,，但主銷國別和地區(qū)數(shù)量同比還是有較大程度下滑，其中對日本和...

綠碳化硅是以石油焦和優(yōu)越硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑,，通過電阻爐高溫冶煉而成,。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機(jī)械強(qiáng)度高于剛玉。碳化硅(SiC)由于其獨(dú)特的物理及電子特性, 在一些應(yīng)用上成為較佳的半導(dǎo)體材料: 短波長光電器件, 高溫, 抗幅射以及高頻大功率器件,，其主要特性及與硅(Si)和砷化鎵(GaAs)的對比如下,。由于碳化硅的寬能級, 以其制成的電子器件可在極高溫下工作，這一特性也使碳化硅可以發(fā)射或檢測短波長的光, 用以制作藍(lán)色發(fā)光二極管或幾乎不受太陽光影響的紫外線探測器,。煉得的碳化硅塊,，經(jīng)破碎、酸堿洗,、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品,。靜安區(qū)碳化硅哪個(gè)好 因?yàn)橛泊嗖牧系目估瓘?qiáng)度比抗...

碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率,?？深A(yù)見的未來內(nèi)，新能源汽車是碳化硅功率器件的主要應(yīng)用場景,。特斯拉作為技術(shù)先驅(qū),，已率先在Model 3中集成全碳化硅模塊，其他車企亦皆計(jì)劃擴(kuò)大碳化硅的應(yīng)用,。隨著碳化硅器件制造成本的日漸降低、工藝技術(shù)的逐步成熟,，碳化硅功率器件行業(yè)未來可期,。碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片,，制作芯片的重要材料按照歷史進(jìn)程分為：一代半導(dǎo)體材料（大部分為目前普遍使用的高純度硅）,，第二代化合物半導(dǎo)體材料（砷化鎵、磷化銦）,，第三代化合物半導(dǎo)體材料（碳化硅,、氮化鎵） 。碳化硅因其優(yōu)越的物理性能：高禁...

碳化硅在鑄鐵中的作用:碳化硅的使用成本較低,，加入碳化硅顆?？梢苑乐刮龀鎏蓟铮黾予F素體量,，減少白口,，使鑄鐵組織致密，明顯提高加工性能并使切削面光潔,； 特別是熔煉中,，增加石墨中心，提高球鐵的石墨球數(shù),，改善灰鐵的石墨形態(tài)等等都非常有益,； 經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)總結(jié)得出碳化硅在灰鑄鐵生產(chǎn)中已經(jīng)成為重要的材料。一般碳化硅作為孕育劑的時(shí)候,，碳化硅以碎粒狀隨著鐵水加入到燒包中,，可以有效的起到薄壁鑄鐵件的孕育處理作用。 鑄鐵使用碳化硅加入量很少,，對鑄鐵的化學(xué)成分影響甚小,，對其顯微組織的影響卻很大，因而能改善灰鑄鐵的力學(xué)性能,，對其物理性能也有明顯的影響,。碳化硅應(yīng)用使鑄鐵中石墨的形態(tài)主要是細(xì)小而且均勻分布的A型石墨,，...

碳化硅通常以石英、石油焦炭為主要原料,。它們在備料工序中經(jīng)過機(jī)械加工,，成為合適的粒度，然后按照化學(xué)計(jì)算,，混合成為爐料,。磨料調(diào)節(jié)爐料的透氣性，在配爐料時(shí)要加適量的木屑,。制煉綠碳化硅時(shí),，爐料中還要加適量的食鹽。 爐料裝在間歇式電阻爐內(nèi),。電阻爐兩端是端墻,，近中心處有石墨電極。爐芯體即連于兩電極之間,。爐芯周圍裝的是參加反應(yīng)的爐料,，外部則是保溫料。制煉時(shí),，電爐供電,，爐芯體溫度上升，達(dá)到2600~2700℃,。電熱通過爐芯表面?zhèn)鹘o爐料,，使之逐漸加熱，達(dá)到1450℃以上時(shí),，即發(fā)生化學(xué)反應(yīng),，生成碳化硅，并逸出一氧化碳,。隨著時(shí)間的推移,，爐料高溫范圍不斷擴(kuò)大，形成的碳化硅也越來越多,。它在爐內(nèi)不斷形成,，蒸發(fā)移動，結(jié)晶長...

中國碳化硅出口市場以亞洲和北美洲為主,，出口份額分別占到全球出口份額的70.25%和23.76%,，共出口到59個(gè)國別和地區(qū)，比2011年增加了6個(gè),。出口數(shù)量在千噸以上的國別和地區(qū)依次為日本,、美國、韓國,、,、泰國,、新加坡、印度,、土耳其,、墨西哥和德國，這10個(gè)國家和地區(qū)的合計(jì)出口數(shù)量為15.26萬噸,，占出口總量的92.64%,。其中位列前四名的國別和地區(qū)出口數(shù)量占比分別為30.55%、23.25%,、15.5%和13.63%,，四個(gè)國別和地區(qū)的出口量之和占出口總量的82.93%。除韓國出口數(shù)量同比增長85.5%外,，土耳其和德國的數(shù)量同比增長引人注目,，但主銷國別和地區(qū)數(shù)量同比還是有較大程度下滑，其中對日本和...

2012年全年中國黑碳化硅產(chǎn)能沒有正常釋放,，一方面是成交緩慢,，庫存消耗慢,占壓資金量大,，另一方面是下游玩業(yè)消費(fèi)商回款時(shí)間長,，欠款現(xiàn)象嚴(yán)重，導(dǎo)致某些企業(yè)資金鏈緊張,。2012年中國黑碳化硅的主產(chǎn)地為寧夏和甘肅,，青海和新疆的原有產(chǎn)能逐漸被淘汰，加上湖北丹江口弘源的冶煉產(chǎn)能,，共計(jì)76.9萬噸,， 2012年總產(chǎn)量約為34萬噸，黑碳化硅冶煉企業(yè)的產(chǎn)能利用率約為44.5%,。中國綠碳化硅冶煉的主產(chǎn)地是甘肅,、青海、新疆和四川,。四川主要靠水力發(fā)電站供電,，受到枯水期電力短缺的影響，一年的生產(chǎn)時(shí)間只在4-10月份,，較長能堅(jiān)持6個(gè)月的生產(chǎn),，但四川的冶煉爐幾乎沒有正常開工，主要因?yàn)槭袌鲂枨笃＼?，庫存難以消耗,。碳化硅價(jià)格...

因其3.2的比重及高的升華溫度（約2700 °C），碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件,。在任何已能達(dá)到的壓力下,，它都不會熔化,，且具有相當(dāng)?shù)偷幕瘜W(xué)活性。由于其高熱導(dǎo)性,、高崩潰電場強(qiáng)度及高的大電流密度,，在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上，不少人試著用它來取代硅,。此外,，它與微波輻射有很強(qiáng)的偶合作用，并其所有之高升華點(diǎn),，使其可實(shí)際應(yīng)用于加熱金屬,。純碳化硅為無色，而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物,。晶體上彩虹般的光澤則是因?yàn)槠浔砻娈a(chǎn)生之二氧化硅保護(hù)層所致,。碳化硅可使表面粗糙度從Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。浦東新區(qū)碳化硅報(bào)價(jià)哪家便宜提高產(chǎn)品質(zhì)量,，減少碳化硅產(chǎn)品中的雜質(zhì)成份含...

在開關(guān)電源系統(tǒng)中,，二極管一般被用作整流、續(xù)流保護(hù)等,。用做整流時(shí),，經(jīng)常會因?yàn)檎鞫O管的反向恢復(fù)時(shí)間過長，進(jìn)而導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率降低,，發(fā)熱增加,。雖然使用肖特基二極管可解決反向恢復(fù)問題，但普通硅（Si）肖特基二極管的擊穿電壓很低（通常低于200V）,，再加上降額設(shè)計(jì),，不適合高壓應(yīng)用。而用碳化硅（SiC）制作的肖特基二極管耐壓可達(dá)1200V,，反向恢復(fù)電流幾乎可忽略不計(jì),，因而能有效減小器件的開關(guān)損耗，同時(shí),，還可簡化開關(guān)電源電路中的保護(hù)電路,，是公司提供的使用碳化硅肖特基二極管后對Boost型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開關(guān)電源的簡化。 在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上,，不少人試著用它來取代硅,。浦東新區(qū)碳化硅哪個(gè)好碳化硅可用做煉鋼的...

碳化硅（SiC）功率器件耐高溫、抗輻射,、具有較高的擊穿電壓和工作頻率,，適于在惡劣條件下工作，特別是與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅功率器件可將功耗降低一半,，因此可大幅度降低開關(guān)電源,、電機(jī)驅(qū)動器等電路的熱耗、體積和重量,。雖然,，碳化硅功率器件在近幾年才向市場推廣，但目前已應(yīng)用于混合動力汽車和電動汽車設(shè)備中,，正因其在很多方面具有普通硅功率器件****的優(yōu)點(diǎn),，把碳化硅功率器件向航天電子產(chǎn)品中推廣就具有了很重要的實(shí)際意義。 碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用：根據(jù)上述分析,，結(jié)合航天實(shí)際,，碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用主要集中在下面幾個(gè)領(lǐng)域。在實(shí)驗(yàn)室偶然發(fā)現(xiàn)的一種碳化物,。松江區(qū)碳化硅批發(fā)多...

我國碳化硅冶煉生產(chǎn)工藝,、技術(shù)裝備和單噸能耗達(dá)到先進(jìn)水平。黑,、綠碳化硅原塊的質(zhì)量水平也屬世界的級別,。我國碳化硅與世界先進(jìn)水平的差距主要集中在四個(gè)方面：一是在生產(chǎn)過程中很少使用大型機(jī)械設(shè)備，很多工序依靠人力完成,，人均碳化硅產(chǎn)量較低,；二是在碳化硅深加工產(chǎn)品上，對粒度砂和微粉產(chǎn)品的質(zhì)量管理不夠精細(xì),，產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性不夠,；三是某些產(chǎn)品的性能指標(biāo)與發(fā)達(dá)國家同類產(chǎn)品相比有一定差距,；四是冶煉過程中一氧化碳直接排放,。國外主要企業(yè)基本實(shí)現(xiàn)了封閉冶煉，而我國碳化硅冶煉幾乎全部是開放式冶煉,，一氧化碳全部直排,。2012年，我國企業(yè)開發(fā)出了封閉冶煉技術(shù),，實(shí)現(xiàn)了一氧化碳全部回收,，但是距離全行業(yè)普及還有很長的路要走。硅鐵適合...

碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài),。α-碳化硅為較常見的一種同質(zhì)異晶物,，在高于2000 °C高溫下形成，具有六角晶系結(jié)晶構(gòu)造（似纖維鋅礦）,。β-碳化硅,，立方晶系結(jié)構(gòu)，與鉆石相似，則在低于2000 °C生成,，結(jié)構(gòu)如頁面附圖所示,。雖然在異相觸媒擔(dān)體的應(yīng)用上，因其具有比α型態(tài)更高之單位表面積而引人注目,，而另一種碳化硅,，μ-碳化硅較為穩(wěn)定，且碰撞時(shí)有較為悅耳的聲音,，但直至現(xiàn)在,，這兩種型態(tài)尚未有商業(yè)上之應(yīng)用。因其3.2g/cm3的比重及較高的升華溫度（約2700 °C） [1] ,，碳化硅很適合做為軸承或高溫爐之原料物件,。在任何已能達(dá)到的壓力下，它都不會熔化,，且具有相當(dāng)?shù)偷幕瘜W(xué)活性,。由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電場...

目前,，《中國制造2025》以及“******”都明確將碳化硅行業(yè)定位為重點(diǎn)支持行業(yè),，國內(nèi)的國家電網(wǎng)、中國中車,、比亞迪,、華為等公司都針對碳化硅在智能電網(wǎng)、軌道交通,、電動汽車,、手機(jī)通信芯片等領(lǐng)域的應(yīng)用開始陸續(xù)加大投資，碳化硅行業(yè)在國內(nèi)方興未艾,。然而現(xiàn)實(shí)是,，當(dāng)前我國碳化硅主要用于耐火材料和磨料磨具等傳統(tǒng)低端應(yīng)用領(lǐng)域，附加值低,。面臨為用途越來越多和精細(xì)的碳化硅市場,，未來向深加工、高附加值的碳化硅制品轉(zhuǎn)型是行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵所在,。碳加硅會形成一種新的化合物—碳化硅（SiC）,，俗稱金剛砂。普陀區(qū)碳化硅什么牌子好碳化硅的色澤,，它是一種無色透明的晶體,，因?yàn)橥ǔ顩r下它也會有一定的雜質(zhì)的加入，所以會使其表面顏色呈現(xiàn)黑...

對比熱數(shù)據(jù),，全SiC模塊顯示出比傳統(tǒng)硅模塊更低的熱阻,。這是由于與Si相比,，SiC具有更高的熱傳導(dǎo)率和更好的熱擴(kuò)散能力：在此布局中，4個(gè)SiC二極管芯片在相同的空間上代替1個(gè)硅二極管,。SiC器件更低的熱阻是特別重要的,，因?yàn)樵谶@種情況下硅芯片使用了21 cm2的總面積，而全SiC模塊只用了10 cm2,。與硅模塊的通態(tài)損耗相比,，全SiC模塊的通態(tài)損耗更高。SiC肖特基二極管的正向壓降也是這樣,。全SiC模塊的動態(tài)損耗非常低：SiC MOSFET的開關(guān)損耗比硅IGBT低4倍,，SiC肖特基二極管的損耗低8-9倍。 碳化硅以特殊工藝制取的黃綠色晶體,，用以制作的磨具適于軸承的超精加工,。浦東新區(qū)碳化硅作用有哪些...

碳化硅的生產(chǎn)工藝流程： 采用錘式破碎機(jī)對石油焦進(jìn)行破碎，破碎到工藝要求的粒徑,。 配料與混料是按照規(guī)定配方進(jìn)行稱量和混勻的過程,。本項(xiàng)目配料采用平臺，混料采用混凝土攪拌機(jī),，按照工藝要求對石油焦和石英砂進(jìn)行配料,、混料作業(yè)。電爐準(zhǔn)備是把上次用過的爐重新修整,、整理,以再次投入使用,。作業(yè)內(nèi)容包括潔理爐底料，修整電極,，清理爐墻并修補(bǔ),，去裝力、1擋,，檢查,、排除爐的其他缺陷。裝爐是按照規(guī)定的爐料類別,、部位,、尺寸往爐內(nèi)裝填反應(yīng)料,、保溫料,、爐芯材料，并砌版筑具有保溫和盛料作用的熔煉爐側(cè)墻,。冶煉爐與變壓器接通之后即可送電,。送電開始15min投以明火，點(diǎn)燃CO,，冶煉過程持續(xù)170h,。冷卻，冶煉爐停爐之后進(jìn)行自然冷卻，然...

碳化硅磨料通常以石英,、石油焦炭為主要原料,。它們在備料工序中經(jīng)過機(jī)械加工，成為合適的粒度,，然后按照化學(xué)計(jì)算,，混合成為爐料。磨料調(diào)節(jié)爐料的透氣性,，在配爐料時(shí)要加適量的木屑,。制煉綠碳化硅時(shí)，爐料中還要加適量的食鹽,。生產(chǎn)操作：采用混料機(jī)混料,，控制水分為2%~3%，裝料順序是在爐底先鋪上一層未反應(yīng)料,，然后添加新配料到一定高度,，在其上面鋪一層非晶形料，然后繼續(xù)加配料至爐芯水平,，爐子裝好后即可通電合成,，以電流電壓強(qiáng)度來控制反應(yīng)過程。在生產(chǎn)碳化硅時(shí),，爐芯放在配料制成的底盤上,，中間略凸起以適應(yīng)在爐役過程中出現(xiàn)的塌陷。爐芯上部鋪放混好的配料,，同時(shí)也放非晶質(zhì)料或生產(chǎn)未反應(yīng)料,，爐子裝好后形成中間高、兩邊低,。爐子裝好后...

碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個(gè)常用的基本品種,，都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%,，其韌性高于綠碳化硅,，大多用于加工抗張強(qiáng)度低的材料，如玻璃,、陶瓷,、石材、耐火材料,、鑄鐵和有色金屬等,。②綠碳化硅含SiC約97%以上，自銳性好,，大多用于加工硬質(zhì)合金,、鈦合金和光學(xué)玻璃,，也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。此外還有立方碳化硅,，它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體,，用以制作的磨具適于軸承的超精加工，可使表面粗糙度從Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米,。 低品級碳化硅（含SiC約85%）是較好的脫氧劑,，用它可加快煉鋼速度。松江區(qū)碳化硅哪個(gè)品牌好 盡管當(dāng)前可用的基于Si的晶體管已接近其在...

我國碳化硅出口市場以亞洲和北美洲為主,，出口份額分別占到全球出口份額的70.25%和23.76%,，共出口到59個(gè)國別和地區(qū)，比2011年增加了6個(gè),。出口數(shù)量在千噸以上的國別和地區(qū)依次為日本,、美國、韓國,、泰國,、新加坡、印度,、土耳其,、墨西哥和德國，這10個(gè)國家和地區(qū)的合計(jì)出口數(shù)量為15.26萬噸,，占出口總量的92.64%,。其中位列前四名的國別和地區(qū)出口數(shù)量占比分別為30.55%、23.25%,、15.5%和13.63%,，四個(gè)國別和地區(qū)的出口量之和占出口總量的82.93%。除韓國出口數(shù)量同比增長85.5%外,，土耳其和德國的數(shù)量同比增長引人注目,，但主銷國別和地區(qū)數(shù)量同比還是有較大程度下滑，其中對日本和美國...

全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多,，甚至在開關(guān)頻率低于5kHz時(shí),。因此，通過使用更大的芯片面積來優(yōu)化用于低開關(guān)頻率的全SiC模塊是可能的,。 只要SiC芯片尺寸合適,，SiC器件可以在普遍的開關(guān)頻率范圍內(nèi)提供更高的輸出電流和輸出功率。大功率要求功率芯片和模塊大量并聯(lián),。目前,，可以獲得額定電流高達(dá)200A的硅IGBT和傳統(tǒng)續(xù)流二極管，SiC MOSFET和肖特基二極管的較大額定電流迄今為止小于100A,。因此,，不得不并聯(lián)大量的SiC晶片以實(shí)現(xiàn)大額定功率?？紤]到SiC器件的快速開關(guān)特性和振蕩趨勢,，需要低電感模塊設(shè)計(jì)和DCB基板上優(yōu)化的芯片布局。在下文中,，1200V,、900A全SiC模塊與130...