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快恢復(fù)二極管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACMUR1001FCT~MUR1010FCTVRM;100-600V,IF;10A快恢復(fù)二極管-ITO-220ACMUR805~MUR8100VRM;50-1000V,IF;8A快恢復(fù)二極管-ITO-220ABUF1000FCT-UF1008FCTVRM;50-800...

快恢復(fù)二極管可用于交流或直流電源的整流回路,，主要用于大電流,、大功率的應(yīng)用。其在電源中的主要優(yōu)勢在于快速恢復(fù)速度和減小反向恢復(fù)時間,，從而降低開關(guān)損耗和提高系統(tǒng)效率,。此外，快恢復(fù)二極管還具有反向漏電流小、熱穩(wěn)定性好等特點,。在太陽能光伏逆變器中，快恢復(fù)二極管用于直流輸入端的整流橋回路,。由于其快速反向恢復(fù)速度，可以有效減小電池片輸出的溫度影響，提高光伏系統(tǒng)的效率,。在變頻器的輸入端口以及輸出端口中,，快恢復(fù)二極管可以替代普通的整流二極管,，降低開關(guān)噪聲和損耗,。此外，快恢復(fù)二極管具有快速反向恢復(fù),、反向漏電流小,、抗干擾能力強等特點,，適用于高頻、高壓、高溫環(huán)境下的應(yīng)用,。 綜上所述,，快恢復(fù)二極管在電源,、光伏,、變頻器...

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快恢復(fù)二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管,，主要應(yīng)用于開關(guān)電源,、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,，作為高頻整流二極管,、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,，它屬于PIN結(jié)型二極管,，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片,。因基區(qū)很薄,，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間較短,，正向壓降較低,，反向擊穿電壓(耐壓值)較高。采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復(fù)二極管,，有單管和雙管之分,。雙管的管腳引出方式又分為共陽和共陰。MUR1620CT二極管的主要參數(shù),。TO263封裝的快恢復(fù)二極管...

電解用整流器的輸出功率極大,，每個整流臂往往由十幾個乃至數(shù)十個整流元件并聯(lián)組成，均流問題十分突出,。關(guān)于電流不平衡的產(chǎn)生原因和解決措施,，可參看本站有關(guān)電力電子快恢復(fù)二極管串、并聯(lián)技術(shù)的文章,，此處提示結(jié)構(gòu)設(shè)計中的一些注意點,。1)當(dāng)并聯(lián)快恢復(fù)二極管數(shù)很多,，在結(jié)構(gòu)上形成分支并聯(lián)回路時，可以將快恢復(fù)二極管按正向壓降接近程度分級分組,，在可能流過較大電流的支路里,，裝配正向壓降稍大的元件組。2)在快恢復(fù)二極管開通前后陽極-陰極間電壓較高,、開通后電流上升率較大時,，常選用開通時間盡量一致的快恢復(fù)二極管。但由于快恢復(fù)二極管參數(shù)可選擇的自由度太小,，為了經(jīng)濟和維修更換方便,，常和電路補償方法結(jié)合使用。采用補償后能使元件開通...

進行全部快恢復(fù)二極管一般地說用以較高頻率的整流和續(xù)流,。至于電源模塊的輸入部份,，仿佛頻率不高，無需用快恢復(fù)二極管,，用一般而言二極管即可,，但你要用它在電源電路中整流也是可以的?？旎謴?fù)二極管分單管（一般而言兩腳的）和對管（3腳的）,，對管內(nèi)部涵蓋兩只快回復(fù)二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同,，又有共陰對管,、共陽對管之分。用它做全橋時,，你得打算兩只對管,，一只共陰對管，一只共陽對管,，而且電流要等于,，所以你得測量一下拆下的管子究竟是共陰還是共陽，查查它們的相關(guān)參數(shù)如反向耐壓,、額定電流等,。一般功放都是要求電源電流比起大的，所以你一定要查查原平常二極管的額定電流,，看看變換的快恢復(fù)二極管是不是適于,。至于它與一般...

確保模塊的出力。2)DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,，它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性,、絕緣性和易焊性，并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃,，DBC為5．6×10-6／℃),，因而可以與硅芯片直接焊接,，從而簡化模塊焊接工藝和下降熱阻。同時,，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形，以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架,，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣,，使模塊有著有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3)電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護,，并在模塊制作過程中再涂...

其型號為MFST),，由于這種模塊與使用3～5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時間(trr)短，反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,，因而使變頻的噪聲減低,，從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少，價位下滑,，使變頻器更易合乎國內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)規(guī)范,。1模塊的構(gòu)造及特征FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個超快恢復(fù)二極管芯片和一個大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后聯(lián)合封裝在一個PPS(加有40％玻璃纖維)外殼內(nèi)制成，模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方法如圖1所示,。圖中VD1～VD6為六個FRED芯片,，互相聯(lián)成三相整流橋、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上,。圖2示出了模塊外形...

FRED的其主要反向關(guān)斷屬性參數(shù)為：反向回復(fù)時trr=ta+tb(ta一少數(shù)載流子在存儲時間,，tb一少數(shù)載流子復(fù)合時間)；反向回復(fù)峰值電流IRM,；反向回復(fù)電荷Qrr=l／2trr×IRM以及表示器件反向回復(fù)曲線軟度的軟度因子S=tb／ta,。而FRED的正向?qū)ㄖ饕獏?shù)有：正向平均電流IF(AV)；正向峰值電壓UFM,；正向均方根電流IF(RMS)以及正向(不反復(fù))浪涌電流IFSM,。FRED的反向陰斷屬性參數(shù)為：反向反復(fù)峰值電壓URRM和反向反復(fù)峰值電流IRRM。須要指出：反向回復(fù)時間trr隨著結(jié)溫Tj的升高,，所加反向電壓URRM的增高以及流過的正向電流IF(AV)的增大而增長,，而主要用來測...

其型號為MFST),，由于這種模塊與使用3～5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時間(trr)短，反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,，因而使變頻的噪聲減低,，從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少，價位下滑,，使變頻器更易合乎國內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)規(guī)范,。1模塊的構(gòu)造及特征FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個超快恢復(fù)二極管芯片和一個大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后聯(lián)合封裝在一個PPS(加有40％玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,，模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方法如圖1所示。圖中VD1～VD6為六個FRED芯片,，互相聯(lián)成三相整流橋,、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上。圖2示出了模塊外形...

快恢復(fù)二極管可用于交流或直流電源的整流回路,，主要用于大電流,、大功率的應(yīng)用。其在電源中的主要優(yōu)勢在于快速恢復(fù)速度和減小反向恢復(fù)時間,，從而降低開關(guān)損耗和提高系統(tǒng)效率,。此外，快恢復(fù)二極管還具有反向漏電流小,、熱穩(wěn)定性好等特點,。在太陽能光伏逆變器中，快恢復(fù)二極管用于直流輸入端的整流橋回路,。由于其快速反向恢復(fù)速度,，可以有效減小電池片輸出的溫度影響，提高光伏系統(tǒng)的效率,。在變頻器的輸入端口以及輸出端口中,，快恢復(fù)二極管可以替代普通的整流二極管，降低開關(guān)噪聲和損耗,。此外,，快恢復(fù)二極管具有快速反向恢復(fù)、反向漏電流小,、抗干擾能力強等特點,，適用于高頻、高壓,、高溫環(huán)境下的應(yīng)用,。 綜上所述，快恢復(fù)二極管在電源,、光伏,、變頻器...

在實際應(yīng)用時，用到30V時,，則trr約為35ns,，而用到350V時，trr》35ns,，trr還隨著結(jié)濕上升而增加,，Tj=125℃時的trr,約為25℃時的2倍左右。同時，trr還隨著流過正向峰值電流IFM的増加而增加,。IRM和Qrr主要是用來計算FRED的功耗和RC電路,，但他們亦隨結(jié)溫的升高而増大。125℃結(jié)溫時的Qrr是25℃時的約,、而125℃結(jié)溫時的Qrr是25℃時的近3倍以上,。因此，在選用FRED時必須充分慮這些參數(shù)的測試條件,、以便作必要的調(diào)整,。因此，trr短,，IRM小和S大的FRED模塊是逆變電路中的二極管，而trr短和Qrr小的FRED,，使逆變電路中的開關(guān)器件和二極管的損耗減少...

所述容納腔的內(nèi)部也填入有冰晶混合物,。所述散熱桿至少設(shè)有四根。所述金屬材質(zhì)為貼片或者銅片中的一種,，所述封裝外殼的表面涂覆有絕緣涂層,。所述絕緣涂層包括電隔離層和粘合層，所述粘合層涂覆在封裝外殼的外表面,，所述電隔離層涂覆在所述粘合層的外表面,，所述電隔離層為pfa塑料制成的電隔離層，所述電隔離層為單層膜結(jié)構(gòu),、雙層膜結(jié)構(gòu)或多層膜結(jié)構(gòu),。（三）有益于效用本實用新型提供了一種高壓快回復(fù)二極管芯片，具有有以下有益于效用：本實用設(shè)立了芯片本體,，芯片本體裹在熱熔膠內(nèi),，使其不收損害，熱熔膠封裝在封裝外殼內(nèi),，多個散熱桿呈輻射狀固定在所述芯片本體上,，封裝外殼的殼壁設(shè)有容納腔，容納腔與散熱桿的內(nèi)部連接,，芯片工作產(chǎn)生熱...

2）快恢復(fù),、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型,、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,，反向恢復(fù)電荷很小,，大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓,?？旎謴?fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒，正向壓降約為,，正向電流是幾安培至幾千安培,，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小,，使其trr可低至幾十納秒,。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,，可分成單管,、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)二極管,，根據(jù)兩只二極管接法的不同,，又有...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝,。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）,。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,，冷卻后形成玻璃層,。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開,。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護之下,。采用涂膠保護結(jié),，然后在200度左右溫度進行固化，保護P-N結(jié)獲得電壓,。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面,。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時,，冷熱沖擊,，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護膠和硅...

繼電器線圈可以儲存能量的（線圈會阻止電流的突變,，即電流只能慢慢增大和減少）,，如果一下使線圈斷電，它兩端就會產(chǎn)生很大的電壓，這樣就可能使線圈損壞,、相連接的元器件擊穿。這時,，我們只要在線圈兩端接上快恢復(fù)二極管,，便可以使它產(chǎn)生一個回路（斷電時相當(dāng)于在線圈兩端接根短路線），使線圈儲存的能量放完,。這個快恢復(fù)二極管在這里起到續(xù)流的作用，我們通常稱它為續(xù)流快恢復(fù)二極管,。電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示,，電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過線圈,，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻,，壓降很小,；當(dāng)交流信號通過線圈時，線圈兩端將會產(chǎn)生自感電動勢,，自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反,，阻礙交...

快恢復(fù)二極管是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件,。性能特點1）反向恢復(fù)時間反向恢復(fù)時間trr的概念是：電流通過零點由正向變換到規(guī)定低值的時間間距,。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的主要技術(shù)指標(biāo)。IF為正向電流,，IRM為反向回復(fù)電流,。Irr為反向回復(fù)電流,，當(dāng)t≤t0時,，正向電流I=IF,。當(dāng)t＞t0時,，由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷海虼苏螂娏骱芸煜陆?，在t=t1時刻，I=0,。然后整流器件上流過反向電流IR,，并且IR日漸增大；在t=t2日子達到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用,，反向電流日趨減少,，并在t=t3日子達到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相像之...

電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路,，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護,，而且在全控型器件(如GTR,、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用,。晶閘管開通時,，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感,，以限制過大的di/dt,，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路,。晶閘管關(guān)斷時,，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率,，以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結(jié)電容電流而誤觸發(fā),，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個RC網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)成關(guān)斷緩沖電路,，或稱并聯(lián)緩沖電路,。IGBT的緩沖電...

確保模塊的出力。2)DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,，它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性,、絕緣性和易焊性，并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃,，DBC為5．6×10-6／℃),，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡化模塊焊接工藝和下降熱阻,。同時,，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形，以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架,，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣,，使模塊有著有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3)電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護,，并在模塊制作過程中再涂有...

管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝,。目前,，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護之下,。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層,。這玻璃層和芯片熔為一體,，無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護之下,。采用涂膠保護結(jié)，然后在200度左右溫度進行固化,，保護P-N結(jié)獲得電壓,。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,，當(dāng)有外力產(chǎn)生時,，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,，由于保護膠和硅片不...

確保模塊的出力,。2)DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性,、絕緣性和易焊性,，并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃，DBC為5．6×10-6／℃),，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡化模塊焊接工藝和下降熱阻,。同時,，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形，以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架,，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣,，使模塊有著有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓。3)電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護,，并在模塊制作過程中再涂...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝,。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）,。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,，冷卻后形成玻璃層,。這玻璃層和芯片熔為一體,，無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護之下,。采用涂膠保護結(jié)，然后在200度左右溫度進行固化,，保護P-N結(jié)獲得電壓,。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,，當(dāng)有外力產(chǎn)生時,，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,，由于保護膠和硅...

由于環(huán)境的影響,，特別是在濕度大或帶粉塵的環(huán)境下，往往會使觸頭毀損,，另外接觸器接通和斷開時產(chǎn)生電弧,，導(dǎo)致接觸器壽命縮短而毀壞，從而嚴(yán)重影響變頻器的安定精確工作,。為了化解上述存在的疑問,，用FRED替代平常整流二極管，使用晶閘管替代機器接觸器,，制成的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”,，這種模塊用以變頻器后，能使變頻器性能提高,、體積縮小,、重量減輕、工作安定確實,?！叭嗾鞫O管整流橋開關(guān)模塊”(型號為MDST)是由六個平常整流二極管和一個晶閘管構(gòu)成，它已普遍用以VVVT,、SMPS,、UPS、逆變焊機以及伺服電機驅(qū)動放大器等具直流環(huán)節(jié)的變頻設(shè)備,，并已獲取很大成效,。用超快恢復(fù)二極管(FRED)替代一般而言整流管...

快恢復(fù)二極管的總功率損耗與正向通態(tài)壓降VF，通態(tài)電流IF,，反向電壓VR,反向漏電流IR,，正向過沖電壓Vfp，反向恢復(fù)漏電流峰值Irp,。以及反向電流下降時間tb等有關(guān),。盡管如此,，對于給定的快恢復(fù)二極管應(yīng)用，通態(tài)電流和反向電壓通常應(yīng)用電路決定的,，只要不超過額定使用條件即可,。然而在給定的IF和VR條件下的VF，IR,，Vrp,，Irp和tb等二極管的特性卻是由所使用的快恢復(fù)二極管本身的性能決定的。我們能通過算式5清楚地看到,，上述任何一個參數(shù)的升高都將導(dǎo)致功率損耗的増加,。相反地，如果我們能夠降低其中的某些參數(shù)值,，則可以降低功率損耗,，在所有的功率損耗中，通態(tài)損耗所占比例,，因此降低通態(tài)損耗是降低總功率損...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝,。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）,。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,，冷卻后形成玻璃層,。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開,。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護之下。采用涂膠保護結(jié),，然后在200度左右溫度進行固化,，保護P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面,。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同，當(dāng)有外力產(chǎn)生時,，冷熱沖擊,，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管，由于保護膠和硅...

這種銅底板尚存在一定弧度的焊成品,，當(dāng)模塊壓裝在散熱器上時,，能保證它們之間的充分接觸,，有利于熱傳導(dǎo),，從而使模塊的接觸熱阻降低，有利于模塊的出力和可靠性,。(3)由于FRED模塊工作于高頻(20kHZ以上),，因此，必須在結(jié)構(gòu)設(shè)計要充分考慮消除寄生電感等問題,，為此,，在電磁等原理基礎(chǔ)上,，充分考慮三個主電極形狀、布局和走向,，同時對鍵合鋁絲長短和走向也作了合適安排,。以減少模塊內(nèi)部的分布電感，確保二單元的分布電感一致,，從而解決模塊的噪音和發(fā)熱問題，提高裝置效率,。3.主要技術(shù)參數(shù)圖3是FRED模塊導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖,，它顯示了FRED器件從正向?qū)ǖ椒聪蚧謴?fù)的全過程。其主要關(guān)斷特性參數(shù)為：反向...

選擇快恢復(fù)二極管時，主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓,、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流,、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的,，在電路設(shè)計中知道這些關(guān)系對選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要,，尤其是在功率電路中?？旎謴?fù)二極管的反向恢復(fù)時間為電流通過零點由正向轉(zhuǎn)換成反向,，再由反向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔，實際上是釋放快恢復(fù)二極管在正向?qū)ㄆ陂g向PN結(jié)的擴散電容中儲存的電荷,。反向恢復(fù)時間決定了快恢復(fù)二極管能在多高頻率的連續(xù)脈沖下做開關(guān)使用,，如果反向脈沖的持續(xù)時間比反向恢復(fù)時間短，則快恢復(fù)二極管在正向,、反向均可導(dǎo)通就起不到開關(guān)的作用,。PN結(jié)中儲存的電荷量與反向電壓共同決定了反向恢復(fù)時間...

確保模塊的出力,。2)DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性,、絕緣性和易焊性,，并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃,，DBC為5．6×10-6／℃)，因而可以與硅芯片直接焊接,，從而簡化模塊焊接工藝和下降熱阻,。同時，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,，以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架,，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣，使模塊有著有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓,。3)電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護，并在模塊制作過程中再涂...

快恢復(fù)二極管的總功率損耗與正向通態(tài)壓降VF,，通態(tài)電流IF，反向電壓VR,反向漏電流IR,，正向過沖電壓Vfp，反向恢復(fù)漏電流峰值Irp,。以及反向電流下降時間tb等有關(guān),。盡管如此，對于給定的快恢復(fù)二極管應(yīng)用,，通態(tài)電流和反向電壓通常應(yīng)用電路決定的,，只要不超過額定使用條件即可。然而在給定的IF和VR條件下的VF,，IR，Vrp,，Irp和tb等二極管的特性卻是由所使用的快恢復(fù)二極管本身的性能決定的,。我們能通過算式5清楚地看到,，上述任何一個參數(shù)的升高都將導(dǎo)致功率損耗的増加,。相反地,，如果我們能夠降低其中的某些參數(shù)值,，則可以降低功率損耗,，在所有的功率損耗中，通態(tài)損耗所占比例,，因此降低通態(tài)損耗是降低總功率損...

確保模塊的出力。2)DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,，它有著優(yōu)良的導(dǎo)熱性,、絕緣性和易焊性，并有與硅材質(zhì)較相近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃,，DBC為5．6×10-6／℃),，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡化模塊焊接工藝和下降熱阻,。同時，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,，以當(dāng)作主電路端子和支配端子的焊接支架,，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣，使模塊有著有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓,。3)電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護,，并在模塊制作過程中再涂有...