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非隔離驅(qū)動(dòng)電路：不具有電氣隔離結(jié)構(gòu)，多采用電阻,、二極管,、三極管或非隔離型驅(qū)動(dòng)芯片。按常見(jiàn)形式分類(lèi)：直接驅(qū)動(dòng)：由單個(gè)電子元器件（如二極管,、三極管,、電阻、電容等）連接起來(lái)組成的驅(qū)動(dòng)電路,，多用于功能簡(jiǎn)單的小功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合,。隔離驅(qū)動(dòng)：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動(dòng),、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等,。**驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用***，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能,。功率開(kāi)關(guān)管常用驅(qū)動(dòng)MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源,，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的功率要求不高,，在低頻場(chǎng)合可利用三極管直接驅(qū)動(dòng),，而在高頻場(chǎng)合多采用變壓器或**芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。個(gè)人的職業(yè)...

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ,，其中：F 為工作頻率,；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè),。例如，常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,，負(fù)電壓-9V,，則U=24V，假設(shè) F=10KHz,，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián),。三,、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ,，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè),。例如，常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,，負(fù)電...

IGBT 的開(kāi)關(guān)特性主要取決于IGBT的門(mén)極電荷及內(nèi)部和外部的電阻,。圖1是IGBT 門(mén)極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容,、CCE 是集電極-發(fā)射極電容,、CGC 是柵極-集電極電容或稱(chēng)米勒電容（Miller Capacitor）。門(mén)極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來(lái)表示,，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù),。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系,。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值,，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù)，因?yàn)樗峭ㄟ^(guò)電橋測(cè)得的,，在測(cè)量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10...

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ,，其中：F 為工作頻率,；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè),。例如，常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,，負(fù)電壓-9V,，則U=24V，假設(shè) F=10KHz,，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián),。三,、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ,，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值,；Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如，常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,，負(fù)電...

在漏,、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱(chēng)為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱(chēng)為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ）,，它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱(chēng)為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通。反之,，加反向門(mén)極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷,。BJT驅(qū)動(dòng)電路：使用雙極型晶體管（BJT）來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載,，適合低頻應(yīng)用。閔行區(qū)...

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,，那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies,，門(mén)極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門(mén)極電荷曲線，那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門(mén)極電荷會(huì)更接近實(shí)際值：門(mén)極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · ...

在需要使用比較多的led產(chǎn)品時(shí),，如果將所有的LED串聯(lián),，將需要LED驅(qū)動(dòng)器輸出較高的電壓：如果將所有的LED并聯(lián)，則需要LED驅(qū)動(dòng)器輸出較大的電流,。將所有的LED串聯(lián)或并聯(lián),，不但限制著LED的嚴(yán)使用量，而且并聯(lián)LED負(fù)載電流較大,，驅(qū)動(dòng)器的成本也會(huì)增加,，解決辦法是采用混聯(lián)方式。串,、并聯(lián)的LED數(shù)量平均分配,，這樣，分配在一個(gè)LED串聯(lián)支路上的電壓相同,，同一個(gè)串聯(lián)支路中每個(gè)LED上的電流也基本相同,，亮度一致,，同時(shí)通過(guò)每個(gè)串聯(lián)支路的電流也相近。 [1]驅(qū)動(dòng)電路在現(xiàn)代電子技術(shù)中發(fā)揮著重要的作用,，是實(shí)現(xiàn)各種功能和提升電子器件性能和效率的關(guān)鍵,。奉賢區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)根據(jù)圖2中，RC充放電電路的輸出經(jīng)過(guò)增益電...

驅(qū)動(dòng)電路(Drive Circuit),，位于主電路和控制電路之間,，用來(lái)對(duì)控制電路的信號(hào)進(jìn)行放大的中間電路（即放大控制電路的信號(hào)使其能夠驅(qū)動(dòng)功率晶體管），稱(chēng)為驅(qū)動(dòng)電路,。驅(qū)動(dòng)電路的作用：將控制電路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動(dòng)功率晶體管—開(kāi)關(guān)功率放大作用,。基本任務(wù)驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù),，就是將信息電子電路傳來(lái)的信號(hào)按照其控制目標(biāo)的要求,，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開(kāi)通或關(guān)斷的信號(hào),。對(duì)半控型器件只需提供開(kāi)通控制信號(hào),，對(duì)全控型器件則既要提供開(kāi)通控制信號(hào)，又要提供關(guān)斷控制信號(hào),，以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷,。半橋驅(qū)動(dòng)和全橋驅(qū)動(dòng)：這兩種驅(qū)動(dòng)方式多用于需要更高功率轉(zhuǎn)換效率的場(chǎng)合，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)...

IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作,，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,，在實(shí)際使用中除IGBT自身外,，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性,。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IG...

驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合,；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高,，容易**擾,，故驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能,，以實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力,，避免功率級(jí)電路對(duì)控制信號(hào)的干擾,。光耦隔離驅(qū)動(dòng)可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)電路的電磁隔離,，是一種電路簡(jiǎn)單可靠,，又具有電氣隔離作用的電路，但其對(duì)脈沖的寬度有較大限制,，若脈沖過(guò)寬,，磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大，甚至使其燒毀,，而若脈沖過(guò)窄,，為驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O關(guān)斷所存儲(chǔ)的能量可能不夠。驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用,，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能,。奉賢區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電...

這樣一來(lái)，輸出高低電平時(shí),，T3 一路和 T4 一路將交替工作,，從而減低了功耗，提高了每個(gè)管的承受能力,。又由于不論走哪一路,，管子導(dǎo)通電阻都很小，使 RC 常數(shù)很小,，轉(zhuǎn)變速度很快,。因此，推拉式輸出級(jí)既提高電路的負(fù)載能力,，又提高開(kāi)關(guān)速度,。推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)的控制，總是在一個(gè)三極管導(dǎo)通的時(shí)候另一個(gè)截止,。要實(shí)現(xiàn)線與需要用 OC（open collector）門(mén)電路,。推挽電路適用于低電壓大電流的場(chǎng)合，廣泛應(yīng)用于功放電路和開(kāi)關(guān)電源中,。根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求,，還有推挽驅(qū)動(dòng)、隔離驅(qū)動(dòng),、加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)等多種設(shè)計(jì)方案,。閔行區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)比如安裝打印機(jī)這類(lèi)的硬件外設(shè)，并不是把連接線接上...

如：Nvidia顯卡芯片公司平均每個(gè)月會(huì)升級(jí)顯卡驅(qū)動(dòng)程序2－3次,。驅(qū)動(dòng)程序是硬件的一部分,，當(dāng)你安裝新硬件時(shí),，驅(qū)動(dòng)程序是一項(xiàng)不可或缺的重要元件。凡是安裝一個(gè)原本不屬于你電腦中的硬件設(shè)備時(shí),，系統(tǒng)就會(huì)要求你安裝驅(qū)動(dòng)程序,，將新的硬件與電腦系統(tǒng)連接起來(lái)。驅(qū)動(dòng)程序扮演溝通的角色,，把硬件的功能告訴電腦系統(tǒng),，并且也將系統(tǒng)的指令傳達(dá)給硬件，讓它開(kāi)始工作,。當(dāng)你在安裝新硬件時(shí)總會(huì)被要求放入“這種硬件的驅(qū)動(dòng)程序”,，很多人這時(shí)就開(kāi)始***。不是找不到驅(qū)動(dòng)程序的盤(pán)片,，就是找不到文件的位置,，或是根本不知道什么是驅(qū)動(dòng)程序。驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是將控制電路產(chǎn)生的微弱信號(hào)放大,，以驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)斷,。閔行區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)一、驅(qū)...

MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,，可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET,。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)兩個(gè)與電源無(wú)關(guān)的輸入進(jìn)行配置,。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部被電平移位至自舉電源,，此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下運(yùn)行?！穹植际诫娫醇軜?gòu)●汽車(chē)電源●高密度●電信系統(tǒng)●欠壓閉鎖功能●自適應(yīng)貫通保護(hù)功能●自舉電源電壓至 114V●1.4A 峰值頂端柵極上拉電流●1.75A 峰值底端柵極上拉電流●耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝集成驅(qū)動(dòng)芯片：一些集成電路（IC）可以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路的...

驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合,；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高,，容易**擾,，故驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能，以實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離,，使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力,，避免功率級(jí)電路對(duì)控制信號(hào)的干擾,。光耦隔離驅(qū)動(dòng)可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)電路的電磁隔離,，是一種電路簡(jiǎn)單可靠,，又具有電氣隔離作用的電路,，但其對(duì)脈沖的寬度有較大限制，若脈沖過(guò)寬,，磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大,，甚至使其燒毀,，而若脈沖過(guò)窄，為驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O關(guān)斷所存儲(chǔ)的能量可能不夠,。MOSFET驅(qū)動(dòng)電路：使用MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為開(kāi)關(guān)元件,，適用于高效能...

優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)變換器性能的影響驅(qū)動(dòng)電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開(kāi)關(guān)器件開(kāi)關(guān)、導(dǎo)通損耗)3.減小開(kāi)關(guān)器件應(yīng)力(開(kāi)/關(guān)過(guò)程中)4.降低EMI/EMC驅(qū)動(dòng)電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問(wèn)題,，驅(qū)動(dòng)電路副邊與主電路有耦合關(guān)系,，而驅(qū)動(dòng)原邊是與控制電路連在一起， 主電路是一次電路,，控制電路是ELV電路,， 一次電路和ELV電路之間要做加強(qiáng)絕緣，實(shí)現(xiàn)絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施,。驅(qū)動(dòng)電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅(qū)動(dòng)信號(hào)參考地（e極） 同—驅(qū)動(dòng)電路無(wú)需隔離,；無(wú)需隔離控制參考地與驅(qū)動(dòng)信號(hào)參考地（e極）不同—驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)隔離。當(dāng)柵極電壓低于閾值時(shí),，MOS管會(huì)關(guān)斷,。驅(qū)動(dòng)電路正是通過(guò)調(diào)整...

驅(qū)動(dòng)電路是用于控制和驅(qū)動(dòng)其他電路或設(shè)備的電路。它們通常用于控制電機(jī),、繼電器,、LED、顯示器等負(fù)載,。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)通常需要考慮負(fù)載的電流,、電壓要求，以及控制信號(hào)的特性,。以下是一些常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)電路類(lèi)型：MOSFET驅(qū)動(dòng)電路：使用MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為開(kāi)關(guān)元件,，適用于高效能的開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。BJT驅(qū)動(dòng)電路：使用雙極型晶體管（BJT）來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載,，適合低頻應(yīng)用,。繼電器驅(qū)動(dòng)電路：通過(guò)控制繼電器的開(kāi)關(guān)來(lái)驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載，適用于需要隔離控制信號(hào)和負(fù)載的場(chǎng)合,。傳感器驅(qū)動(dòng)：驅(qū)動(dòng)電路可以將傳感器檢測(cè)到的物理量轉(zhuǎn)換為電信號(hào),，例如溫度傳感器、壓力傳感器等,。長(zhǎng)寧區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路專(zhuān)賣(mài)店驅(qū)動(dòng)程序作為Windows 1...

Windows怎樣知道安裝的是什么設(shè)備,，以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件,。.inf是從Windows 95時(shí)***始引入的一種描述設(shè)備安裝信息的文件,，它用特定語(yǔ)法的文字來(lái)說(shuō)明要安裝的設(shè)備類(lèi)型、生產(chǎn)廠商,、型號(hào),、要拷貝的文件,、拷貝到的目標(biāo)路徑，以及要添加到注冊(cè)表中的信息,。通過(guò)讀取和解釋這些文字,，Windows便知道應(yīng)該如何安裝驅(qū)動(dòng)程序。幾乎所有硬件廠商提供的用于Windows 9x下的驅(qū)動(dòng)程序都帶有安裝信息文件,。事實(shí)上,，.inf文件不僅可用于安裝驅(qū)動(dòng)程序，還能用來(lái)安裝與硬件并沒(méi)有什么關(guān)系的軟件,，例如Windows 98支持“Windows更新”功能,，更新時(shí)下載的系統(tǒng)部件就是利用.inf文件...

可控硅前沿調(diào)光器若直接用于控制普通的LED驅(qū)動(dòng)器，LED燈會(huì)產(chǎn)生閃爍,，更不能實(shí)現(xiàn)寬范圍的調(diào)光控制,。原因歸結(jié)如下：(1)可控硅的維持電流問(wèn)題。目前市面上的可控硅調(diào)光器功率等級(jí)不同,，維持電流一般是7～75mA(驅(qū)動(dòng)電流則是7～100mA),，導(dǎo)通后流過(guò)可控硅的電流必須要大于這個(gè)值才能繼續(xù)導(dǎo)通，否則會(huì)自行關(guān)斷,。(2)阻抗匹配問(wèn)題,。當(dāng)可控硅導(dǎo)通后，可控硅和驅(qū)動(dòng)電路的阻抗都發(fā)生變化,，且驅(qū)動(dòng)電路由于有差模濾波電容的存在,，呈容性阻抗，與可控硅調(diào)光器存在阻抗匹配的問(wèn)題,，因此在設(shè)計(jì)電路時(shí)一般需要使用較小的差模濾波電容,。它們通常用于控制電機(jī)、繼電器,、LED,、顯示器等負(fù)載。寶山區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)如：Nvidia顯卡芯...

這樣一來(lái),，輸出高低電平時(shí),，T3 一路和 T4 一路將交替工作，從而減低了功耗,，提高了每個(gè)管的承受能力,。又由于不論走哪一路，管子導(dǎo)通電阻都很小,，使 RC 常數(shù)很小,，轉(zhuǎn)變速度很快,。因此,，推拉式輸出級(jí)既提高電路的負(fù)載能力,，又提高開(kāi)關(guān)速度。推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)的控制,，總是在一個(gè)三極管導(dǎo)通的時(shí)候另一個(gè)截止,。要實(shí)現(xiàn)線與需要用 OC（open collector）門(mén)電路。推挽電路適用于低電壓大電流的場(chǎng)合,，廣泛應(yīng)用于功放電路和開(kāi)關(guān)電源中,。繼電器驅(qū)動(dòng)電路：通過(guò)控制繼電器的開(kāi)關(guān)來(lái)驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載，適用于需要隔離控制信號(hào)和負(fù)載的場(chǎng)合,。長(zhǎng)寧區(qū)特點(diǎn)驅(qū)動(dòng)電路哪家好-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 V...

實(shí)驗(yàn)及結(jié)果根據(jù)以上分析,，本文設(shè)計(jì)一臺(tái)基于反激變換器的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器，控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V,，最大輸出功率為25W,，比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負(fù)載;RC時(shí)間系數(shù)選擇0.5，增益為0.2,。電路的實(shí)驗(yàn)波形和工作特性曲線如圖4所示,。圖4a)、b),、c)為可控硅導(dǎo)通角為115°時(shí)阻抗匹配開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電壓VZ,、輸入電流Iin、輸入電壓Vin的波形,，電路的輸出電流為470mA,，功率因數(shù)為0.78。從圖中可看出,，當(dāng)可控硅導(dǎo)通瞬間,，由于驅(qū)動(dòng)器輸入端有差模濾波電容導(dǎo)致輸入電流有沖擊電流尖峰，而當(dāng)輸入電流小于一定值時(shí),，阻抗匹配開(kāi)關(guān)開(kāi)通以保證...

一,、驅(qū)動(dòng)電路概述驅(qū)動(dòng)電路是位于主電路和控制電路之間，用來(lái)對(duì)控制電路的信號(hào)進(jìn)行放大的中間電路,，即將控制電路輸出的信號(hào)放大到足以驅(qū)動(dòng)功率晶體管的程度,，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功率放大作用。它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分,，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī),、通信設(shè)備、電視,、汽車(chē),、機(jī)器人等領(lǐng)域。二、驅(qū)動(dòng)電路的作用功率放大：驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是將控制電路產(chǎn)生的微弱信號(hào)放大,，以驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)斷,。提高系統(tǒng)可靠性：優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠減少器件的開(kāi)關(guān)損耗，提高能量轉(zhuǎn)換效率,，并降低電磁干擾（EMI/EMC）,。它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī),、通信設(shè)備,、電視、汽車(chē),、機(jī)器人等領(lǐng)域,。青浦區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路圖片驅(qū)動(dòng)電路隔離...

光耦的特點(diǎn)光耦基本電路1. 參數(shù)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單2. 輸出端需要隔離驅(qū)動(dòng)電源3. 驅(qū)動(dòng)功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調(diào)制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合：用于傳送較低頻信號(hào)時(shí)—調(diào)制/解調(diào)磁耦合的特點(diǎn):1.既可傳遞信號(hào)又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應(yīng)用比較好驅(qū)動(dòng)特性和驅(qū)動(dòng)電流波形比較好驅(qū)動(dòng)1.開(kāi)通時(shí)： 基極電流有快速上升沿和過(guò)沖—加速開(kāi)通，減小開(kāi)通損耗,；2.導(dǎo)通期間：足夠的基極電流,，使晶體管任意負(fù)載飽和導(dǎo)通—低導(dǎo)通損耗；關(guān)斷前調(diào)整基極電流,，使晶體管處于臨界飽和導(dǎo)通—減小 ,， 關(guān)斷快;繼電器驅(qū)動(dòng)電路：通過(guò)控制繼電器的開(kāi)關(guān)來(lái)驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載，適用于需要隔離控制信號(hào)和負(fù)載的場(chǎng)合,。青浦區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路...

另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力,。Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1,、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT,、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的,，如果沒(méi)有柵極電阻,，那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩，因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減,。2,、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無(wú)功元件，如果沒(méi)有柵極電阻,，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上,，使其溫度上升很多。它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分,，廣泛應(yīng)用于計(jì)算...

a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長(zhǎng)度,；b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合，并且不要用過(guò)粗的線,；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近,；d) 柵極電阻使用無(wú)感電阻；e) 如果是有感電阻，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感,。2,、IGBT 開(kāi)通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻通常為達(dá)到更好的驅(qū)動(dòng)效果，IGBT開(kāi)通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動(dòng)速度,，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱(chēng) Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。IGBT驅(qū)動(dòng)器有些是開(kāi)通和關(guān)斷分別輸出控制,，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了,。通過(guò)控制電機(jī)的電流和電壓，可以實(shí)現(xiàn)電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng),、速度控制,、方向控制等。浦東新區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路貨源充足多數(shù)顯卡,、聲卡,、網(wǎng)卡等內(nèi)置...

?IGBT驅(qū)動(dòng)電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器,、開(kāi)關(guān)電源、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。圖1圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱(chēng)為源區(qū),，附于其上的電極稱(chēng)為源極,。N+ 區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱(chēng)為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。當(dāng)柵極電壓低于閾值時(shí),，MOS管會(huì)關(guān)斷,。驅(qū)動(dòng)電路正是通過(guò)調(diào)整柵極電壓來(lái)控制MOS管的開(kāi)通和關(guān)斷狀態(tài)。靜安區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路...

IGBT驅(qū)動(dòng)：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開(kāi)發(fā),，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V,。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn),，加快關(guān)斷速度,，減小關(guān)斷損耗。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路一般采用**的驅(qū)動(dòng)芯片，如東芝的TLP系列,、富士公司的EXB系列,、英飛凌的EiceDRIVER系列等。五,、驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用顯示控制：驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),，以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備,；也可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),，以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。以MOS管為例,，當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定的閾值時(shí),，MOS管會(huì)導(dǎo)通；閔行區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路貨源充足-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 1...

非隔離驅(qū)動(dòng)電路：不具有電氣隔離結(jié)構(gòu),，多采用電阻,、二極管、三極管或非隔離型驅(qū)動(dòng)芯片,。按常見(jiàn)形式分類(lèi)：直接驅(qū)動(dòng)：由單個(gè)電子元器件（如二極管,、三極管、電阻,、電容等）連接起來(lái)組成的驅(qū)動(dòng)電路,，多用于功能簡(jiǎn)單的小功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合。隔離驅(qū)動(dòng)：電路包含隔離器件,，常用的有光耦驅(qū)動(dòng),、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等。**驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用***,，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能,。功率開(kāi)關(guān)管常用驅(qū)動(dòng)MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間,。MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的功率要求不高,，在低頻場(chǎng)合可利用三極管直接驅(qū)動(dòng)，而在高頻場(chǎng)合多采用變壓器或**芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng),。電機(jī)控制：...

3.關(guān)斷瞬時(shí)：足夠,、反向基極電流—迅速抽出基區(qū)剩余載流子，減小 ,；反偏截止電壓,，使ic迅速下降，減小 ,。恒流驅(qū)動(dòng)電路恒定電路即基極電流恒定,，功率管飽和導(dǎo)通,。恒流驅(qū)動(dòng)優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 電路簡(jiǎn)單；普通恒流驅(qū)動(dòng)電路恒流驅(qū)動(dòng)缺點(diǎn)：輕載時(shí)深度飽和,，關(guān)斷時(shí)間長(zhǎng),。驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)質(zhì)是給柵極電容充放電。 [2]開(kāi)通：1.驅(qū)動(dòng)電壓足夠高,，一般>10V,；（減小RDS(on))2.足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的上升沿,； （加速開(kāi)通）3.驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小,。 （加速開(kāi)通）關(guān)斷：1. 足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的下降沿,； （加速關(guān)斷）2. 驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 （加速關(guān)斷）3. 驅(qū)動(dòng)加負(fù)壓,。 （防止誤導(dǎo)通）個(gè)人的職業(yè)發(fā)展可能受到內(nèi)在驅(qū)動(dòng)（如...

由于門(mén)極的測(cè)量電壓太低(VGE=0V )而不是門(mén)極的門(mén)檻電壓,，在實(shí)際開(kāi)關(guān)中存在的米勒效應(yīng)（Miller 效應(yīng)）在測(cè)量中也沒(méi)有被包括在內(nèi)，在實(shí)際使用中的門(mén)極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 值大很多,。因此,，在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。確定IGBT 的門(mén)極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō),，**重要的參數(shù)是門(mén)極電荷QG(門(mén)極電壓差時(shí)的IGBT 門(mén)極總電荷),，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù)，那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出：門(mén)極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]傳感器檢測(cè)...

由于門(mén)極的測(cè)量電壓太低(VGE=0V )而不是門(mén)極的門(mén)檻電壓,，在實(shí)際開(kāi)關(guān)中存在的米勒效應(yīng)（Miller 效應(yīng)）在測(cè)量中也沒(méi)有被包括在內(nèi),，在實(shí)際使用中的門(mén)極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 值大很多。因此,，在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用,。確定IGBT 的門(mén)極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō)，**重要的參數(shù)是門(mén)極電荷QG(門(mén)極電壓差時(shí)的IGBT 門(mén)極總電荷),，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù),，那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出：門(mén)極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]直接接地驅(qū)...