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電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊(MTC,、MFC,、MDC,、MDQ,、MDS)，普通整流管(ZP),，快速整流管(ZK),，軟恢復(fù)快速整流管(FRD),，旋轉(zhuǎn)整流管(ZX)，大功率組合整流元件,，普通晶閘管(KP),，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS),，逆導(dǎo)晶閘管(KN),，可關(guān)斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件,，各種功率單元,。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源，充電電源,，電機調(diào)速,，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域,。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進口器件,，實現(xiàn)了自動軋機原器件的國產(chǎn)化；6K,、6G,、8K、8G電力機車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化,，使用壽命超過...

750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞,。測試內(nèi)容主要分三項：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極,，紅表筆接A極（參見圖3(a)）,，電阻值應(yīng)為5～10Ω。若阻值為零,，證明內(nèi)部二極管短路,；電阻為無窮大，說明二極管開路,。2．測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路,，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表，使RCT正向擊穿,，由直...

下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實施例,，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進行詳細(xì)說明,，但應(yīng)當(dāng)說明的是,，這些實施方式并非對本發(fā)明的限制,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施方式所作的功能、方法,、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,，均屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。如圖1所示,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1,、蓋板2、銅底板3,、形成于所述蓋板2上的接頭4,、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元,。其中,，任一...

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL,、反向漏電流IRL,、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM,、正向平均壓降VF,、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG,、門極觸發(fā)電流IG,、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下,，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時所對應(yīng)的峰值電壓,。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A,、K(或T1,、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)...

晶閘管模塊 晶閘管模塊因其體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,、外部接線簡單,、互換性好、維護安裝方便等優(yōu)點,，自誕生以來就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞,，并得到了極大的發(fā)展,。 晶閘管模塊一般對錯正弦電流有疑問，存在導(dǎo)通角,，負(fù)載電流具有一定的波動和不穩(wěn)定因素,，晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差，因此在選擇模塊的電流標(biāo)準(zhǔn)時一定要留出一定的余量,。 模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過載能力,。溫度越低，模塊輸出電流越大,。因此,，在運行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過熱維護功能的商品,，有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻,。 正高電氣展望未來，信心百倍,，追求高遠(yuǎn),。湖南三相交流調(diào)壓模...

按規(guī)定應(yīng)采用風(fēng)冷的模塊而采用自冷時，則電流的額定值應(yīng)降低到原有值的30～40[%],，反之如果改為采用水冷時,，則電流的額定值可以增大30～40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風(fēng)機,，我們確定了不同型號模塊在其額定電流工作狀態(tài)下,，環(huán)境溫度為40℃時所需的散熱器長度、風(fēng)機規(guī)格,、數(shù)量及散熱器基礎(chǔ)參數(shù)等,，請參考說明書。另外,，在表內(nèi)出具了每個型號的模塊在峰值壓降,、比較大標(biāo)稱電流和阻性負(fù)載條件下的功耗值，以便于用戶自己確定散熱器尺寸時做參考,。在實際應(yīng)用中,，應(yīng)注意以下幾點：（1）軸流風(fēng)機風(fēng)速應(yīng)≥6m/s。（2）若模塊達不到滿負(fù)荷工作,，可酌減散熱器長度,。（3）在設(shè)備開機前，應(yīng)檢查模塊所有螺釘是否牢固,，...

額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值,，考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此,，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高,。目前通常采用30[%]的余量計算,。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只,、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只,。全部接在交流輸入端。3,、過熱保護晶閘管在電流通過時,，會產(chǎn)生一定的壓降，而壓降的存在則會產(chǎn)生一定的功耗,，電流越大則功耗越大,，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,，會造成燒壞晶閘管芯片的問題,。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器,。散熱條件的好壞,，是影響模塊能否...

產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強烈的正反饋過程迅速進行,。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時,，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,。晶閘管在導(dǎo)通后,，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻...

軟恢復(fù)快速整流管(FRD)，旋轉(zhuǎn)整流管(ZX),，大功率組合整流元件,，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK),，雙向晶閘管(KS),，逆導(dǎo)晶閘管(KN)，可關(guān)斷晶閘管(GTO),，電力晶體管(GTR)發(fā)電機旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件,，各種功率單元,。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源，充電電源,，電機調(diào)速,，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域,。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進口器件,，實現(xiàn)了自動軋機原器件的國產(chǎn)化；6K,、6G,、8K、8G電力機車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化,，使用壽命超過了進口元件,。在自動控制方面，我公司成功開發(fā)出各種工控板,，應(yīng)用在各種不同的場合,，真正形成了控制方式靈活，保護齊全,，可靠...

所述銅底板3上涂覆有硅凝膠,，所述硅凝膠對所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11進行包覆固定,。從而，所述銅底板3通過所述硅凝膠實現(xiàn)對位于其上的導(dǎo)電片9,、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11進行固定。所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊12,、第二門極壓接式組件13,、第三導(dǎo)電片14、鉬片15,、銀片16,、鋁片17。其中,，所述第二壓塊12設(shè)置于所述第二門極壓接式組件13上,，并通過所述第二門極壓接式組件13對所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15,、銀片16,、鋁片17施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15,、銀片16,、鋁片17依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實現(xiàn)所述第三導(dǎo)電片14,、鉬片15,、銀片16、鋁片17與銅底板3的固...

單相交流固態(tài)繼電器㈠概述龍科交流固態(tài)繼電器（英文名稱為LoncontSolid-StateRelay,，簡稱LSR）,。它為單刀單擲常開式結(jié)構(gòu)，用LED顯示工作狀態(tài),。它是用現(xiàn)代微電子技術(shù)與電力電子技術(shù)發(fā)展起來的一種新型無觸點開關(guān)器件,。它可以實現(xiàn)用微弱的控制信號(幾毫安到幾十毫安)控制0．1A直至幾百A電流負(fù)載，進行無觸點接通或分?jǐn)?。它為四端有源器件,，兩個輸入控制端，兩個負(fù)載輸出端,，輸出端與負(fù)載,、電源串聯(lián)，輸入輸出之間為光電隔離,，內(nèi)置RC吸收回路,，輸入端加上直流或脈沖信號，輸出端就能從斷態(tài)轉(zhuǎn)變成通態(tài),。整個器件沒有任何可動部件或觸點,，實現(xiàn)了相當(dāng)于電磁繼電器的功能。固態(tài)繼電器工作可靠,，無觸點,、無...

750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測試內(nèi)容主要分三項：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔,，黑表筆接K極,，紅表筆接A極（參見圖3(a)），電阻值應(yīng)為5～10Ω,。若阻值為零,，證明內(nèi)部二極管短路；電阻為無窮大,，說明二極管開路,。2．測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,，使RCT正向擊穿,，由直...

當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障,；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時,，晶閘管就會立即損壞。因此,，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法,。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換,，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的,。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,，對晶閘管是很危險的,。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓例如,，交流開關(guān)的開閉,、交流...

特點：1、芯片與底板電氣絕緣2,、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝3,、全壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4,、350A以下模塊皆為強迫風(fēng)冷,，400A以上模塊既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷5,、安裝簡單,，使用維修方便典型應(yīng)用：1、交直流電機控制2,、各種整流電源3,、工業(yè)加熱控制4、調(diào)光5,、無觸點開關(guān)6,、電機軟起動7、靜止無功補償8,、電焊機9,、變頻器10、UPS電源11,、如果產(chǎn)品裝機配型不適用,，可退換貨給您滿意貼心的服務(wù)，是我們一貫的宗旨,！有10多年功率半導(dǎo)體元器件制造經(jīng)驗,，是專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、封裝、測試,、銷售,、技術(shù)服務(wù)為一體的高新技術(shù)企業(yè)，多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領(lǐng)域的國產(chǎn)化工作,。我公司的...

它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來方便地改變負(fù)載的交流工作電壓,，從而應(yīng)用于精確地調(diào)溫、調(diào)光等阻性負(fù)載及部分感性負(fù)載場合,。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強型的區(qū)別在感性負(fù)載的場合,，當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時，由于電流,、電壓的相位不一致,，將產(chǎn)生一個很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端，如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(biāo)(典型值為10V/μs)則將導(dǎo)致延時關(guān)斷,，甚至失敗,。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài)，只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,，由兩只單向可控硅反并聯(lián)構(gòu)成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構(gòu)成的普通型LSR的換向dv/dt有了...

1晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中,，對于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員，都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類,。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多,，有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經(jīng)常問起我們晶閘管模塊的來歷?，F(xiàn)在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后,，其結(jié)構(gòu)的改進和工藝的，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年,，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達控制,；1965年,，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn)，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ),；60年代后期,，大功率逆變晶閘管問世，成為當(dāng)時逆變電路的基本元件,；1974年,，逆導(dǎo)晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)...

500Vdc）比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網(wǎng)頻率47-63Hz㈥不同電流等級的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅(qū)動電路在邏輯電路驅(qū)動時應(yīng)盡可能采用低電平輸出進行驅(qū)動,，以保證有足夠的帶負(fù)載能力和盡可能低的零電平,。下圖為正確的灌電流驅(qū)動的電路圖（一般適合于D3、D2型）：D1型（4-8Vdc）通常與單相或三相LSR移相觸發(fā)器配合使用,。A3型（90-430Vac）為交流控制交流型,，在90-430Vac極寬的范圍內(nèi)均能可靠觸發(fā)繼電器導(dǎo)通，且輸入與輸出沒有相位要求：㈧LSR過壓的保護：除LSR內(nèi)部本身有RC吸收回路保護外,，還可以采取并聯(lián)金屬氧化物壓敏電阻（MOV），MOV面積...

三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管,。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘...

另外在化工,、煤礦,、鋼鐵和等一些要求特殊的裝置和惡劣的工作環(huán)境中，以及要求工作高可靠的場合中,，LSR都比傳統(tǒng)的繼電器有無可比擬的優(yōu)越性,。交流固態(tài)繼電器工作原理：LSR實際是一個受控的電力電子開關(guān)，其等效電路如圖1,。圖2普通型交流LSR內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖一般情況下,，萬用表不能判別LSR的好壞，正確的方法采用圖3的測試電路：當(dāng)輸入電流為零時,，電壓表測出的電壓為電網(wǎng)電壓,，電燈不亮（燈泡功率須25W以上）；當(dāng)輸入電流達到一定值以后,，電燈亮,，電壓表測出的電壓為LSR導(dǎo)通壓降（在2V以下）,。因LSR內(nèi)部有RC回路而帶來漏電流，因此不能等同于普通觸點式的繼電器,、接觸器,不能作隔離開關(guān)用,。圖3LSR測試電路㈡...

公司是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)、制作,、銷售于一體的高新技術(shù)企業(yè)公司主要產(chǎn)品：MTC（A,、K、X）,、MDC（A,、K）、MFC（A,、K,、X）系列功率半導(dǎo)體模塊；MDS,、MDQ,、MFQ、MFF系列單相,、三相整流橋模塊,；BJD（H）系列單相、BJT（H）系列三相固繼電器,；晶閘管智能模塊,；ZP、ZK系列整流管,；KP,、KK、KS系列晶閘管,；各種功率組件,；電力電子器件用散熱器等。公司系列產(chǎn)品服務(wù)于電力,、冶金,、石油、煤炭,、環(huán)保,、航天、有色金屬,、家用電器等領(lǐng)域,。以產(chǎn)品種類齊全、品質(zhì)可靠,、供貨及時,、服務(wù)誠信博得國內(nèi)外客戶的一致好評,。我們將始終秉承“以客戶為中心”的理念和“誠信為商、不斷創(chuàng)新,、追求”的宗旨,，...

晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器,，以前被簡稱為可控硅,；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化,；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個極：陽極，陰極和門極,；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管,，雙向晶閘管,，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等,。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）,。晶閘管具有硅整流器件的特性,，能在高電壓、大電流條件下工作,，且其工作過程可以控制,、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓,、無觸點電子開關(guān),、逆...

壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,，擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,，對于維修與安裝都有很大的作用,，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊,、焊接式可控硅模塊等,，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進行區(qū)分一下,。①從電流方面來講,，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊,，不只是有焊接式的,，同時也有壓接式的?？煽毓枘K②從外形方面來講,，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型,，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)...

以提高測試電壓和測試電流,，使GTO可靠地導(dǎo)通。（2）要準(zhǔn)確測量GTO的關(guān)斷增益βoff,，必須有專用測試設(shè)備,。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同,，測量結(jié)果僅供參考,，或作為相對比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管,。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu),，使之具有耐高壓,、耐高溫、關(guān)斷時間短,、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能,。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時間僅幾微秒,，工作頻率達幾十千赫,，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關(guān)電源,、UPS不間斷電源中,，一只...

漏電流：指加一半標(biāo)稱直流電壓時測得的流過壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低,，過電壓能力強；平時漏電流小,，放電后不會有續(xù)流,，元件的標(biāo)稱電壓等級多，便于用戶選擇,；伏安特性是對稱的,，可用于交,、直流或正負(fù)浪涌；因此用途較廣,。2,、過電流保護由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制，否則將遭至徹底損壞,。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時,，熱量來不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高,，最終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞,。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的，例如,，變流裝置本身晶閘管損壞,，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,，以及交流電源電壓過高,、過低或缺相,，負(fù)載過載或...

在快速無功補償和諧波濾波裝置中,，要用晶閘管投切電容器TSC，,。執(zhí)行元件晶閘管根據(jù)應(yīng)用場合的不同,，有餅式的、模塊的和雙向可控硅的不同結(jié)構(gòu)型式,。針對不同的主回路和不同的晶閘管型式,，觸發(fā)電路也不同。TSC要求在晶閘管電壓過零點觸發(fā),，確定晶閘管電壓過零點的方法有兩種,，一種是從電網(wǎng)電壓取得同步信號，另一種是從晶閘管的陽極和陰極取得過零信號,。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關(guān)鍵技術(shù)是必須做到投切時無電流沖擊,。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產(chǎn)品優(yōu)勢特點1.電壓過零觸發(fā),，電流過零斷開,，無沖擊電流；2.光電隔離,，抗干擾能力強,，響應(yīng)時間＜15ms...

以提高測試電壓和測試電流,，使GTO可靠地導(dǎo)通。（2）要準(zhǔn)確測量GTO的關(guān)斷增益βoff,，必須有專用測試設(shè)備,。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同,，測量結(jié)果僅供參考,，或作為相對比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管,。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu),，使之具有耐高壓,、耐高溫、關(guān)斷時間短,、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能,。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時間僅幾微秒,，工作頻率達幾十千赫,，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關(guān)電源,、UPS不間斷電源中,，一只...

公司是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)、制作,、銷售于一體的高新技術(shù)企業(yè)公司主要產(chǎn)品：MTC（A,、K、X）,、MDC（A,、K）、MFC（A,、K,、X）系列功率半導(dǎo)體模塊；MDS,、MDQ,、MFQ、MFF系列單相,、三相整流橋模塊,；BJD（H）系列單相、BJT（H）系列三相固繼電器；晶閘管智能模塊,；ZP,、ZK系列整流管；KP,、KK,、KS系列晶閘管；各種功率組件,；電力電子器件用散熱器等,。公司系列產(chǎn)品服務(wù)于電力、冶金,、石油,、煤炭、環(huán)保,、航天,、有色金屬、家用電器等領(lǐng)域,。以產(chǎn)品種類齊全,、品質(zhì)可靠、供貨及時,、服務(wù)誠信博得國內(nèi)外客戶的一致好評,。我們將始終秉承“以客戶為中心”的理念和“誠信為商、不斷創(chuàng)新,、追求”的宗旨,，...

電力電子開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊,。背景技術(shù)：電力電子開關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實現(xiàn)電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅(qū)動器件,，如晶閘管,、晶體管,、場效應(yīng)管、可控硅,、繼電器等,。其中，現(xiàn)有的晶閘管僅能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制,，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制,。因此，針對上述問題,，有必要提出進一步的解決方案,。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的,，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊,，其包括：外殼、蓋板,、銅底板,、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭,、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元,；所述晶閘管單...

1晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員,，都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類,。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多，有的采購人員對這方面還不是很了解,。有的客戶也經(jīng)常問起我們晶閘管模塊的來歷?，F(xiàn)在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進和工藝的,，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,，應(yīng)用于調(diào)光和馬達控制,；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ),；60年代后期，大功率逆變晶閘管問世,，成為當(dāng)時逆變電路的基本元件,；1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對稱晶閘管研制完成,。3普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)...

變壓器磁路平衡，不存在磁化的問題,。要求主變壓器和平衡電抗器對稱性好,。2整流輸出電壓：Ud=。當(dāng)負(fù)載電流小于額定值（Id）2~5%時,，流過平衡電抗器的電流太小,，達不到激磁所需的臨界電流，平衡電抗器失去作用,，其上的三角波形電壓也就沒有了,，此時該線路輸出電壓與三相半波電路一樣,，該電壓即為電焊機空載電壓。輸出電壓：Ud=,。2電阻R的作用是為電焊機在空載電壓輸出時,，提供可控硅導(dǎo)通的擎制電流。因此擎制電流參數(shù)的大小或離散性對R的阻值有相當(dāng)重要性,。實例：1.晶閘管耐壓的選擇（VRRM,；VDRM）：已知條件：空載電壓：100V，額定輸出電流：630A,；暫載率：60%根據(jù)公式：Ud=（大電流時：Ud=）...