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電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊(MTC,、MFC、MDC,、MDQ、MDS),，普通整流管(ZP),，快速整流管(ZK),，軟恢復(fù)快速整流管(FRD)，旋轉(zhuǎn)整流管(ZX),，大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK),，雙向晶閘管(KS),，逆導(dǎo)晶閘管(KN)，可關(guān)斷晶閘管(GTO),，電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件,，各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源,，充電電源,，電機(jī)調(diào)速，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流,、逆變和變頻領(lǐng)域,。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件，實現(xiàn)了自動軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化,；6K,、6G、8K,、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化,，使用壽命超過...

3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓,。換相過電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過電壓,，它是由于電感,、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān),。反向電壓越高,，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,，可以采取不同的方法,，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減,；過電壓能量上升的速率,，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，增加其消散的途徑,；采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等,。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有...

電焊機(jī)選型技巧華晶整流器一,、概述：電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時，根據(jù)焊接工藝的不同,，對焊接時電弧的電壓和電流有不同的要求,，因此需要各種不同特性的交流或直流電源。例如,，在點,、凸、峰焊,、電阻焊時需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大?。ㄏ嗫卣{(diào)壓或改變通過的周波數(shù)量），屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓,；在各種氬弧焊,、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應(yīng)用時,，反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中,，直流調(diào)壓應(yīng)用時，晶閘管可以組成單,、三相全控或半控或雙反星型電路,。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開關(guān)時間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來,，CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速，據(jù)報道,，發(fā)達(dá)國...

所述銅底板3上涂覆有硅凝膠,，所述硅凝膠對所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11進(jìn)行包覆固定,。從而，所述銅底板3通過所述硅凝膠實現(xiàn)對位于其上的導(dǎo)電片9,、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11進(jìn)行固定。所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊12,、第二門極壓接式組件13,、第三導(dǎo)電片14、鉬片15,、銀片16,、鋁片17。其中,，所述第二壓塊12設(shè)置于所述第二門極壓接式組件13上,，并通過所述第二門極壓接式組件13對所述第三導(dǎo)電片14,、鉬片15、銀片16,、鋁片17施加壓合作用力,，所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15,、銀片16,、鋁片17依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實現(xiàn)所述第三導(dǎo)電片14,、鉬片15,、銀片16、鋁片17與銅底板3的固...

變壓器磁路平衡,，不存在磁化的問題,。要求主變壓器和平衡電抗器對稱性好。2整流輸出電壓：Ud=,。當(dāng)負(fù)載電流小于額定值（Id）2~5%時,，流過平衡電抗器的電流太小，達(dá)不到激磁所需的臨界電流,，平衡電抗器失去作用,，其上的三角波形電壓也就沒有了，此時該線路輸出電壓與三相半波電路一樣,，該電壓即為電焊機(jī)空載電壓,。輸出電壓：Ud=。2電阻R的作用是為電焊機(jī)在空載電壓輸出時,，提供可控硅導(dǎo)通的擎制電流,。因此擎制電流參數(shù)的大小或離散性對R的阻值有相當(dāng)重要性。實例：1.晶閘管耐壓的選擇（VRRM,；VDRM）：已知條件：空載電壓：100V,，額定輸出電流：630A；暫載率：60%根據(jù)公式：Ud=（大電流時：Ud=）...

晶閘管模塊電流規(guī)格的選取 1,、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取 （1）電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍,。 （2）感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍。 （3）負(fù)載電流變化較大時,，電流倍數(shù)適當(dāng)增大,。 （4）在運行過程中，負(fù)載的實際工作電流不應(yīng)超過模塊的較大電流,。 2,、散熱器風(fēng)機(jī)的選用 模塊正常工作時必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī),。如果用戶是自己提供的,，則使用以下原則來選擇： （1）模塊正常工作時,，必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃； （2）當(dāng)模塊負(fù)載較輕時,，可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻,； （3...

VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠,。2,、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的,。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,，但通流能力要求大兩倍。四,、使用模塊產(chǎn)品注意事項：l電力半導(dǎo)體模...

并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導(dǎo)電片,、鉬片、銀片,、鋁片施加壓合作用力,，所述第三導(dǎo)電片、鉬片,、銀片,、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),，任一所述接頭包括：螺栓和螺母,，所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導(dǎo)電片,、第二導(dǎo)電片、瓷板進(jìn)行固定,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導(dǎo)電片,、鉬片、銀片,、鋁片進(jìn)行固定,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),，所述壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn),，所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈...

VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM,；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2,、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜,。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的,。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍,。四,、使用模塊產(chǎn)品注意事項：l電力半導(dǎo)體模...

1、過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù),，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)作用的模塊,。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器,、傳感器的方法,。快速熔斷器是**簡單常用的方法,，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①,、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②,、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的,，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入,、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章,。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端,，負(fù)載接輸出端,。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差,，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時,，即使時間很短，也會造...

晶閘管模塊的工作條件： 1.當(dāng)晶閘管模塊承受正向陽極電壓時,，只有在門級承受正向電壓時,，晶閘管才打開。此時,，晶閘管處于正導(dǎo)通狀態(tài),，這就是晶閘管的晶閘管特性，即可控特性,。 2.晶閘管模塊開著時,，只要有一定的正極電壓，不管門級電壓是多少,，晶閘管都繼續(xù)工作,，即晶閘管接通后，門級就失去了功能,。門級只會起到觸發(fā)的作用,。 3.當(dāng)主電路電壓（或電流）降至接近零時,，當(dāng)主電路電壓（或電流）降為零時，晶閘管模塊被關(guān)閉,。 4.當(dāng)晶閘管模塊承受反向陽極電壓時,，無論門級承受何種電壓，晶閘管都處于反向閉鎖狀態(tài),。在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時間采用KP-60微秒以內(nèi),，逆變側(cè)關(guān)短時間采用KK-30微秒以內(nèi)。...

晶閘管模塊的類型 晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊,，是采用模塊封裝形式,，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。 根據(jù)封裝工藝的不同,，晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種,。 晶閘管模塊可分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）；普通整流模塊（MDC）,；普通晶閘管,、整流混合模塊（MFC）；快速晶閘管,、整流混合模塊（MKC\MZC）,；非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（通常稱為電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）,；三相整流橋輸出晶閘管模塊（MDS）,；單相（三相）整流橋模塊（MDQ）；單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）,。 正高電氣展望未來,，信心百倍，追求高遠(yuǎn),。黑龍江晶閘管模塊廠家...

晶閘管模塊電流規(guī)格的選取 1,、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取 （1）電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍。 （2）感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍,。 （3）負(fù)載電流變化較大時,，電流倍數(shù)適當(dāng)增大。 （4）在運行過程中,，負(fù)載的實際工作電流不應(yīng)超過模塊的較大電流,。 2,、散熱器風(fēng)機(jī)的選用 模塊正常工作時必須配備散熱器和風(fēng)機(jī),，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)。如果用戶是自己提供的,，則使用以下原則來選擇： （1）模塊正常工作時,，必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃,； （2）當(dāng)模塊負(fù)載較輕時，可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻,； （3...

它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來方便地改變負(fù)載的交流工作電壓,，從而應(yīng)用于精確地調(diào)溫、調(diào)光等阻性負(fù)載及部分感性負(fù)載場合,。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強型的區(qū)別在感性負(fù)載的場合,，當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時，由于電流,、電壓的相位不一致,，將產(chǎn)生一個很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端，如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(biāo)(典型值為10V/μs)則將導(dǎo)致延時關(guān)斷,，甚至失敗,。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài)，只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,，由兩只單向可控硅反并聯(lián)構(gòu)成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構(gòu)成的普通型LSR的換向dv/dt有了...

1晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中,，對于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員，都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類,。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多,，有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經(jīng)常問起我們晶閘管模塊的來歷?，F(xiàn)在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后,，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年,，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制,；1965年,，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn)，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ),；60年代后期,，大功率逆變晶閘管問世，成為當(dāng)時逆變電路的基本元件,；1974年,，逆導(dǎo)晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)...

750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞,。測試內(nèi)容主要分三項：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)）,，電阻值應(yīng)為5～10Ω,。若阻值為零，證明內(nèi)部二極管短路,；電阻為無窮大,，說明二極管開路。2．測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路,，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,，使RCT正向擊穿，由直...

漏電流：指加一半標(biāo)稱直流電壓時測得的流過壓敏電阻的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低，過電壓能力強,；平時漏電流小,，放電后不會有續(xù)流，元件的標(biāo)稱電壓等級多,，便于用戶選擇,；伏安特性是對稱的，可用于交,、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣。2,、過電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小,、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,，否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時,，熱量來不及散發(fā),，使得結(jié)溫迅速升高，**終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞,。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,，例如，變流裝置本身晶閘管損壞,，觸發(fā)電路發(fā)生故障,，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高,、過低或缺相,，負(fù)載過載或...

5光控晶閘管是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,，它具有很強的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力,，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無功功率補償(SVC)等領(lǐng)域,。其研制水平大約為8000V/3600A,。6逆變晶閘管因具有較短的關(guān)斷時間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中,，它已讓位于GTR,、GTO、IGBT等新器件,。目前,，其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。7非對稱晶閘管是一種正,、反向電壓耐量不對稱的晶閘管,。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例，是將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中,，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,，形成晶閘管模塊的控制電路,。 從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程： 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1,、J2和J3的三個pn結(jié)圖,。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時,，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅,，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流,。因此,，當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時，兩個復(fù)合晶體管電路會形成較強的...

所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈,。此外,，所述晶閘管單元中，所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管,。其中,，所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地,，所述第二晶閘管單元中,，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈,。為了實現(xiàn)門極銅排的安裝,，所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座。綜上所述,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置接頭,、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制,，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運行,。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實施例的細(xì)節(jié),，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特...

三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘...

電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊(MTC,、MFC、MDC,、MDQ,、MDS)，普通整流管(ZP),，快速整流管(ZK),，軟恢復(fù)快速整流管(FRD)，旋轉(zhuǎn)整流管(ZX),，大功率組合整流元件,，普通晶閘管(KP),，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS),，逆導(dǎo)晶閘管(KN),，可關(guān)斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵磁整流組件,，各種功率單元,。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源，充電電源,，電機(jī)調(diào)速,，感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流,、逆變和變頻領(lǐng)域,。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件，實現(xiàn)了自動軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化,；6K,、6G、8K,、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化,，使用壽命超過...

晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點：1,、芯片與底板電氣絕緣,，2500V交流電壓；2,、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝,；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù),；4,、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力,；5,、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6,、200A以下模塊皆為強迫風(fēng)冷,，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷,，也可選用水冷,；7、安裝簡單,，使用維修方便,，體積小,，重量輕。二,、型號說明：三,、技術(shù)參數(shù)：型號通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmIt...

即俗稱底板是否帶電。絕緣型的模塊多用在交流焊機(jī)中,，如應(yīng)用于點焊,、電阻焊機(jī)中的晶閘管模塊MTX系列；應(yīng)用于CO2氣體保護(hù)焊機(jī),、WSM普通焊機(jī)等MTG系列模塊,。各焊機(jī)應(yīng)用晶閘管模塊在下表中簡述：整機(jī)種類使用模塊常見主回路形式電路特點S可控硅直流氬弧焊機(jī)MFG單相全波整流CO2氣保焊機(jī)MDG雙反星并聯(lián)（帶平衡電抗器）CO2氣保焊機(jī)MTG雙反星并聯(lián)（帶平衡電抗器）逆變焊機(jī)變頻器MDCMDQMDS單相或三相整流橋點焊機(jī)MTXMTC電子開關(guān)三、CO2焊機(jī)**晶閘管MTG模塊：l模塊內(nèi)部電路圖：l焊機(jī)**MTG模塊特點簡介：2MTG模塊是由三只共陽極晶閘管封裝在一起的模塊化結(jié)構(gòu)組件,。模塊內(nèi)管芯參數(shù)針...

晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2,、J3三個PN結(jié)圖1,，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此,，兩個互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中,，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,，形成晶閘管模塊的控制電路,。 從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程： 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1,、J2和J3的三個pn結(jié)圖,。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時,，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅,，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用,。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流。因此,，當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時,，兩個復(fù)合晶體管電路會形成較強的...

VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠,。2,、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的,。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,，但通流能力要求大兩倍。四,、使用模塊產(chǎn)品注意事項：l電力半導(dǎo)體模...

750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞,。測試內(nèi)容主要分三項：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極,，紅表筆接A極（參見圖3(a)）,，電阻值應(yīng)為5～10Ω,。若阻值為零,，證明內(nèi)部二極管短路；電阻為無窮大,，說明二極管開路,。2．測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,，使RCT正向擊穿,，由直...

公司是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)、制作,、銷售于一體的高新技術(shù)企業(yè)公司主要產(chǎn)品：MTC（A,、K、X）,、MDC（A,、K）、MFC（A,、K,、X）系列功率半導(dǎo)體模塊；MDS,、MDQ,、MFQ、MFF系列單相,、三相整流橋模塊,；BJD（H）系列單相,、BJT（H）系列三相固繼電器；晶閘管智能模塊,；ZP,、ZK系列整流管；KP,、KK,、KS系列晶閘管；各種功率組件,；電力電子器件用散熱器等,。公司系列產(chǎn)品服務(wù)于電力、冶金,、石油,、煤炭、環(huán)保,、航天,、有色金屬、家用電器等領(lǐng)域,。以產(chǎn)品種類齊全,、品質(zhì)可靠、供貨及時,、服務(wù)誠信博得國內(nèi)外客戶的一致好評,。我們將始終秉承“以客戶為中心”的理念和“誠信為商、不斷創(chuàng)新,、追求”的宗旨,，...

電焊機(jī)選型技巧華晶整流器一、概述：電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時,，根據(jù)焊接工藝的不同,，對焊接時電弧的電壓和電流有不同的要求，因此需要各種不同特性的交流或直流電源,。例如,，在點、凸,、峰焊,、電阻焊時需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大小（相控調(diào)壓或改變通過的周波數(shù)量）,，屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓,；在各種氬弧焊、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源,。交流應(yīng)用時,，反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中,，直流調(diào)壓應(yīng)用時，晶閘管可以組成單,、三相全控或半控或雙反星型電路,。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開關(guān)時間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來,，CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速,，據(jù)報道，發(fā)達(dá)國...