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晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉折電壓VBO,、正向平均漏電流IFL,、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復峰值電壓VDRM,、反向重復峰值電壓VRRM,、正向平均壓降VF,、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG,、門極觸發(fā)電流IG,、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下,，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓,、使其由關斷狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復峰值電壓VDRM斷態(tài)重復峰值電壓VDRM,，是指晶閘管在正向阻斷時,，允許加在A、K(或T1,、T2)極間比較大的峰值電壓,。此電壓約為正向轉...

VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠,。2,、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的,。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,，但通流能力要求大兩倍。四,、使用模塊產品注意事項：l電力半導體模...

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉折電壓VBO,、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL,、斷態(tài)重復峰值電壓VDRM,、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF,、通態(tài)平均電流IT,、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG,、門極反向電壓和維持電流IH等,。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓,、使其由關斷狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)時所對應的峰值電壓,。(二)晶閘管斷態(tài)重復峰值電壓VDRM斷態(tài)重復峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A,、K(或T1,、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉...

750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向導通電壓VTR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞,。測試內容主要分三項：1．檢查逆導性選擇萬用表R×1檔,，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)）,，電阻值應為5～10Ω,。若阻值為零，證明內部二極管短路,；電阻為無窮大,，說明二極管開路。2．測量正向直流轉折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路,，再按額定轉速搖兆歐表,，使RCT正向擊穿，由直...

大中小電力半導體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長8...展開全文一,、產品特點：1,、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓,；2,、國際標準封裝；3,、真空+充氫保護焊接技術,；4、壓接結構,，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力,；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC,；6,、200A以下模塊皆為強迫風冷，300A以上模塊,，既可選用風冷,，也可選用水冷；7,、安裝簡單，使用維修方便,，體積小,，重量輕。二、型號說明：三,、技術參數(shù)：型號通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結溫絕...

以提高測試電壓和測試電流,，使GTO可靠地導通。（2）要準確測量GTO的關斷增益βoff,，必須有專用測試設備,。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同,，測量結果僅供參考,，或作為相對比較的依據(jù)。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管,。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽極與陰極的發(fā)射結均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結構,，使之具有耐高壓,、耐高溫、關斷時間短,、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能,。例如，逆導晶閘管的關斷時間僅幾微秒,，工作頻率達幾十千赫,，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關電源,、UPS不間斷電源中,，一只...

三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中,，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管,。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘...

即俗稱底板是否帶電,。絕緣型的模塊多用在交流焊機中，如應用于點焊,、電阻焊機中的晶閘管模塊MTX系列,；應用于CO2氣體保護焊機、WSM普通焊機等MTG系列模塊,。各焊機應用晶閘管模塊在下表中簡述：整機種類使用模塊常見主回路形式電路特點S可控硅直流氬弧焊機MFG單相全波整流CO2氣保焊機MDG雙反星并聯(lián)（帶平衡電抗器）CO2氣保焊機MTG雙反星并聯(lián)（帶平衡電抗器）逆變焊機變頻器MDCMDQMDS單相或三相整流橋點焊機MTXMTC電子開關三,、CO2焊機專用晶閘管MTG模塊：l模塊內部電路圖：l焊機專用MTG模塊特點簡介：2MTG模塊是由三只共陽極晶閘管封裝在一起的模塊化結構組件。模塊內管芯參數(shù)針...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中,，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負載相連,，構成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,，形成晶閘管模塊的控制電路,。 從晶閘管模塊的內部分析工作過程： 晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1,、J2和J3的三個pn結圖,。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。 當晶閘管模塊承載正向陽極電壓時,，為了制造晶閘管模塊導體銅,，承受反向電壓的pn結J2必須失去其阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流,。因此,，當有足夠的柵極電流Ig流入時，兩個復合晶體管電路會形成較強的...

紅表筆接K極時,，電阻呈低阻值,，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G,、K極,，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,，紅表筆接K極，電阻為無窮大,；然后用黑表筆尖也同時接觸G極,，加上正向觸發(fā)信號，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經(jīng)導通,；脫開G極,，只要GTO維持通態(tài),，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關斷能力,，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變,。將表Ⅱ撥于R×10檔,，紅表筆接G極，黑表筆接K極,，施以負向觸發(fā)信號,，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力,。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時,，...

特點：1、芯片與底板電氣絕緣2,、國際標準封裝3,、全壓接結構，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4,、350A以下模塊皆為強迫風冷,，400A以上模塊既可選用風冷，也可選用水冷5,、安裝簡單,，使用維修方便典型應用：1、交直流電機控制2,、各種整流電源3,、工業(yè)加熱控制4、調光5,、無觸點開關6,、電機軟起動7,、靜止無功補償8,、電焊機9、變頻器10,、UPS電源11,、電池充放電三相整流橋模塊功率半導體模塊可控硅博飛宏大北京博飛宏大電子科技有限公司，廠家直銷,，質量,，價格有保證！如果您需要相關型號資料,，電壓電流,，封裝尺寸大小,，可以隨時給您發(fā)送該產品的PDF文檔,，供您參考,！如果您訂購量大,，并且有長期合作意向,，可免費先...

以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通,。（2）要準確測量GTO的關斷增益βoff,，必須有專用測試設備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測,。由于測試條件不同,，測量結果僅供參考,，或作為相對比較的依據(jù),。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽極與陰極的發(fā)射結均呈短路狀態(tài),。由于這種特殊電路結構，使之具有耐高壓,、耐高溫,、關斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能,。例如,，逆導晶閘管的關斷時間僅幾微秒，工作頻率達幾十千赫,，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）,。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中,，一只...

三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中,，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘...

3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內部各結層殘存載流子復合所產生的,，所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓,。換相過電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過電壓,，它是由于電感,、電容形成共振產生的振蕩電壓，其值和換相結束后的反向電壓有關,。反向電壓越高,，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,，可以采取不同的方法,，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減,；過電壓能量上升的速率,，延緩已產生能量的消散速度，增加其消散的途徑,；采用電子線路進行保護等,。最常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有...

AA）替代國外模塊型號ZX5WSMNBK雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG（AA）60A/400V三社（SanRex）PWB60A；三菱（MITSUBI）TM60SZ-M,；TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG（AA）80A/400VSanRexPWB90A,；MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG（AA）130A/400VSanRexPWB130A；MITSUBITM130SZ-M,；英達PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG（AA）160...

下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實施例,，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進行詳細說明,，但應當說明的是,，這些實施方式并非對本發(fā)明的限制，本領域普通技術人員根據(jù)這些實施方式所作的功能,、方法,、或者結構上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護范圍之內,。如圖1所示,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2,、銅底板3,、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6,、封裝于所述外殼1內部的晶閘管單元和第二晶閘管單元,。其中，任一...

AA）替代國外模塊型號ZX5WSMNBK雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG（AA）60A/400V三社（SanRex）PWB60A,；三菱（MITSUBI）TM60SZ-M,；TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG（AA）80A/400VSanRexPWB90A；MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG（AA）130A/400VSanRexPWB130A,；MITSUBITM130SZ-M,；英達PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG（AA）160...

電力半導體器件有：全系列功率模塊(MTC、MFC,、MDC,、MDQ、MDS),，普通整流管(ZP),，快速整流管(ZK)，軟恢復快速整流管(FRD),，旋轉整流管(ZX),，大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP),，快速晶閘管(KK),，雙向晶閘管(KS)，逆導晶閘管(KN)，可關斷晶閘管(GTO),，電力晶體管(GTR)發(fā)電機旋轉勵磁整流組件,，各種功率單元。這些元件廣泛應用于電化學電源,，充電電源,，電機調速，感應加熱及熱處理等各種整流,、逆變和變頻領域,。我公司所生產的電力電子器件成功的替代了多種進口器件，實現(xiàn)了自動軋機原器件的國產化,；6K,、6G、8K,、8G電力機車原器件也全部由我公司國產化,，使用壽命超過...

晶閘管模塊的工作原理 在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負載相連，構成晶閘管模塊的主電路,。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路,。 從晶閘管模塊的內部分析工作過程： 晶閘管模塊是一種四層三端器件,。它有J1、J2和J3的三個pn結圖,。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分,。 當晶閘管模塊承載正向陽極電壓時，為了制造晶閘管模塊導體銅,，承受反向電壓的pn結J2必須失去其阻擋作用,。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流。因此,，當有足夠的柵極電流Ig流入時,，兩個復合晶體管電路會形成較強的...

1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司獨立開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控功能,。2(2)晶閘管智能模塊采用進口方形芯片,、高級芯片支撐板，模塊壓降小,、功耗低,，效率高,節(jié)電效果好,。3(3)晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,，經(jīng)獨特處理方法和特殊焊接工藝,，保證焊接層無空洞，導熱性能好,。熱循環(huán)負載次數(shù)高于國家標準近10倍,。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導熱絕緣封裝材料，絕緣,、防潮性能優(yōu)良,。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導熱底板相互隔離,，導...

電力半導體器件有：全系列功率模塊(MTC,、MFC、MDC,、MDQ,、MDS)，普通整流管(ZP),，快速整流管(ZK),，軟恢復快速整流管(FRD)，旋轉整流管(ZX),，大功率組合整流元件,，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK),，雙向晶閘管(KS),，逆導晶閘管(KN)，可關斷晶閘管(GTO),，電力晶體管(GTR)發(fā)電機旋轉勵磁整流組件,，各種功率單元。這些元件廣泛應用于電化學電源,，充電電源,，電機調速，感應加熱及熱處理等各種整流,、逆變和變頻領域,。我公司所生產的電力電子器件成功的替代了多種進口器件，實現(xiàn)了自動軋機原器件的國產化,；6K,、6G、8K、8G電力機車原器件也全部由我公司國產化,，使用壽命超過...

電焊機選型技巧華晶整流器一,、概述：電焊機在進行各種金屬焊接時，根據(jù)焊接工藝的不同,，對焊接時電弧的電壓和電流有不同的要求,，因此需要各種不同特性的交流或直流電源。例如,，在點,、凸、峰焊,、電阻焊時需要調節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大?。ㄏ嗫卣{壓或改變通過的周波數(shù)量），屬于晶閘管應用于交流調壓,；在各種氬弧焊,、CO2氣體保護焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應用時,，反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中,，直流調壓應用時，晶閘管可以組成單,、三相全控或半控或雙反星型電路,。改變晶閘管的導通角或控制晶閘管的開關時間即可達到調節(jié)焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來,，CO2氣體保護焊機發(fā)展比較迅速,，據(jù)報道,，發(fā)達國...

它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來方便地改變負載的交流工作電壓,，從而應用于精確地調溫、調光等阻性負載及部分感性負載場合,。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強型的區(qū)別在感性負載的場合,，當LSR由通態(tài)關斷時，由于電流,、電壓的相位不一致,，將產生一個很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端，如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(典型值為10V/μs)則將導致延時關斷,，甚至失敗,。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài)，只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,，由兩只單向可控硅反并聯(lián)構成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構成的普通型LSR的換向dv/dt有了...

)=174A-232A顯然,，通過以上的計算對于采用雙反星型并聯(lián)電路的ZX5-630；NBK-630；WSM-630焊機應選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊,。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當然,，焊機可靠長期正常工作除了與模塊正確選型有關外，與以下因素還有一定的關系：2焊機暫載率即額定負荷工作持續(xù)率（FS）：根據(jù)焊機行業(yè)標準此類焊機暫載率一般為：35%,；60%,；。其定義如下：暫載率FS=負載滿負荷持續(xù)運行時間（t）/[負載滿負荷持續(xù)運行時間+休止時間]x=t/Tx上式中T為焊機的...

當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,，引發(fā)電路故障,；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞,。因此,，必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化,，使得系統(tǒng)來不及轉換,，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型,。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,，對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通,、斷開產生的過電壓例如,，交流開關的開閉、交流...

強型120A增強型150A增強型200A增強型300A增強型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z120D3H3Z120D2H3Z120A3H3P120D1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...

)=174A-232A顯然,，通過以上的計算對于采用雙反星型并聯(lián)電路的ZX5-630,；NBK-630；WSM-630焊機應選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊,。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當然,，焊機可靠長期正常工作除了與模塊正確選型有關外，與以下因素還有一定的關系：2焊機暫載率即額定負荷工作持續(xù)率（FS）：根據(jù)焊機行業(yè)標準此類焊機暫載率一般為：35%,；60%,；。其定義如下：暫載率FS=負載滿負荷持續(xù)運行時間（t）/[負載滿負荷持續(xù)運行時間+休止時間]x=t/Tx上式中T為焊機的...

三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管,。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘...

強型120A增強型150A增強型200A增強型300A增強型400A型號LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z120D3H3Z120D2H3Z120A3H3P120D1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...

晶閘管模塊 晶閘管模塊因其體積小、重量輕,、結構緊湊,、可靠性高、外部接線簡單,、互換性好,、維護安裝方便等優(yōu)點，自誕生以來就受到各大功率半導體制造商的青睞,，并得到了極大的發(fā)展,。 晶閘管模塊一般對錯正弦電流有疑問，存在導通角,，負載電流具有一定的波動和不穩(wěn)定因素,，晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差，因此在選擇模塊的電流標準時一定要留出一定的余量,。 模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關系到產品的使用壽命和短期過載能力,。溫度越低，模塊輸出電流越大,。因此,，在運行中必須配備散熱器和風扇。建議選擇具有過熱維護功能的商品,，有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻,。 正高電氣始終堅持以人為本,，恪守質量為金,，同建雄績偉業(yè)。東...