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晶閘管模塊的類型 晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊,，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。 根據(jù)封裝工藝的不同,，晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種,。 晶閘管模塊可分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）,；普通整流模塊（MDC）,；普通晶閘管、整流混合模塊（MFC）,；快速晶閘管,、整流混合模塊（MKC\MZC）；非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（通常稱為電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）,；三相整流橋輸出晶閘管模塊（MDS）；單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,；單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）,。 正高電氣公司在多年積累的客戶好口碑下，不但在產(chǎn)品規(guī)格配套方...

晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一,、產(chǎn)品特點(diǎn)：1,、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓,；2,、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝；3,、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4,、壓接結(jié)構(gòu),，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5,、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC,；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,，300A以上模塊,，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷,；7,、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便,，體積小,，重量輕。二,、型號(hào)說(shuō)明：三,、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmIt...

電焊機(jī)選型技巧華晶整流器一、概述：電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時(shí)，根據(jù)焊接工藝的不同,，對(duì)焊接時(shí)電弧的電壓和電流有不同的要求,，因此需要各種不同特性的交流或直流電源。例如,，在點(diǎn),、凸、峰焊,、電阻焊時(shí)需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大?。ㄏ嗫卣{(diào)壓或改變通過(guò)的周波數(shù)量），屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓,；在各種氬弧焊,、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應(yīng)用時(shí),，反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中,，直流調(diào)壓應(yīng)用時(shí)，晶閘管可以組成單,、三相全控或半控或雙反星型電路,。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開關(guān)時(shí)間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來(lái),，CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速,，據(jù)報(bào)道，發(fā)達(dá)國(guó)...

焊機(jī)晶閘管模塊故障維修1,、松下焊機(jī)晶閘管模塊的型號(hào)及組成結(jié)構(gòu)：松下焊機(jī)維修KR1系列焊機(jī)模塊型號(hào)見下表;2,、松下焊機(jī)模塊的測(cè)量模塊的陰陽(yáng)極電阻一般為兆歐極，陰控極電阻為幾歐至十幾歐,。測(cè)量方法如下圖所示：KR1系列焊機(jī)模塊陰控極阻值見下表：另外請(qǐng)注意：在焊機(jī)上測(cè)量模塊陰控極電阻時(shí),，需將與其相連的觸發(fā)信號(hào)線拔下：測(cè)量陰陽(yáng)極的電阻時(shí)，也需將與其相連的主電纜拆掉,。模塊故障簡(jiǎn)介：（1）陰控極或陰陽(yáng)極斷路：如果某一組晶閘管的陰控極斷路或阻值變**于幾十歐）,，該組晶閘管就不能被觸發(fā)：而某一組晶閘管的陰、陽(yáng)極發(fā)生斷路時(shí),，即便有觸發(fā)信號(hào),，該組晶閘管也不能導(dǎo)通。以上兩種情況會(huì)造成焊機(jī)輸出缺相,，所表現(xiàn)出的...

它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來(lái)方便地改變負(fù)載的交流工作電壓,，從而應(yīng)用于精確地調(diào)溫、調(diào)光等阻性負(fù)載及部分感性負(fù)載場(chǎng)合,。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強(qiáng)型的區(qū)別在感性負(fù)載的場(chǎng)合,，當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時(shí),，由于電流、電壓的相位不一致,，將產(chǎn)生一個(gè)很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端,，如此值超過(guò)雙向可控硅的換向dv/dt指標(biāo)(典型值為10V/μs)則將導(dǎo)致延時(shí)關(guān)斷，甚至失敗,。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài),，只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響，由兩只單向可控硅反并聯(lián)構(gòu)成的增強(qiáng)型LSR比由一只雙向可控硅構(gòu)成的普通型LSR的換向dv/dt有了...

強(qiáng)型120A增強(qiáng)型150A增強(qiáng)型200A增強(qiáng)型300A增強(qiáng)型400A型號(hào)LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P40...

紅表筆接K極時(shí),，電阻呈低阻值,，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G,、K極,，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,，紅表筆接K極，電阻為無(wú)窮大,；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極,，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通,；脫開G極,，只要GTO維持通態(tài)，就說(shuō)明被測(cè)管具有觸發(fā)能力,。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變,。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極,，黑表筆接K極,，施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào)，如果表Ⅰ的指針向左擺到無(wú)窮大位置,，證明GTO具有關(guān)斷能力,。4．估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí)，...

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO,、正向平均漏電流IFL,、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,、反向重復(fù)峰值電壓VRRM,、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG,、門極觸發(fā)電流IG,、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下,，在其陽(yáng)極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓,、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,，是指晶閘管在正向阻斷時(shí),，允許加在A、K(或T1,、T2)極間比較大的峰值電壓,。此電壓約為正向轉(zhuǎn)...

漏電流：指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測(cè)得的流過(guò)壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低,，過(guò)電壓能力強(qiáng)；平時(shí)漏電流小,，放電后不會(huì)有續(xù)流,，元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多，便于用戶選擇,；伏安特性是對(duì)稱的,，可用于交、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣,。2、過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小,、熱容量小,，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,，否則將遭至徹底損壞,。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí)，熱量來(lái)不及散發(fā),，使得結(jié)溫迅速升高,，**終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的,，例如,，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障,，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,，以及交流電源電壓過(guò)高,、過(guò)低或缺相，負(fù)載過(guò)載或...

晶閘管模塊的散熱方法 晶閘管模塊的功耗主要由導(dǎo)通損耗,、開關(guān)損耗和柵極損耗組成,。在工頻或400Hz以下的更多應(yīng)用是傳導(dǎo)損耗。為了保證器件的長(zhǎng)期可靠運(yùn)行,，散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導(dǎo)體模塊設(shè)計(jì)中電流,、電壓額定值的選擇同等重要，不容忽視,！散熱器常用的散熱方法有：自然空冷,、強(qiáng)制空冷、熱管冷卻,、水冷,、油冷等?？紤]散熱的一般原則是,，控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過(guò)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中給出的額定連接溫度。 選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素： 1,、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積,。 2、晶閘管模塊的使用環(huán)境,。根據(jù)使用環(huán)境冷卻條件來(lái)確定何種冷卻方式,，包括自然冷卻、強(qiáng)制風(fēng)冷和...

由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部,，所以元件在關(guān)斷過(guò)程中，正向電壓下降到零時(shí),，內(nèi)部仍殘存著載流子,。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失,，這時(shí)反向電流消失的極快,，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓,，稱為關(guān)斷過(guò)電壓,，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍,，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振,、限制晶閘管開通損耗和電流上...

晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1,、芯片與底板電氣絕緣,，2500V交流電壓；2,、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝,；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù),；4,、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力,；5,、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6,、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷,，也可選用水冷,；7、安裝簡(jiǎn)單,，使用維修方便,，體積小，重量輕,。二,、型號(hào)說(shuō)明：三、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmIt...

750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬(wàn)用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞,。測(cè)試內(nèi)容主要分三項(xiàng)：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬(wàn)用表R×1檔,，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)）,，電阻值應(yīng)為5～10Ω,。若阻值為零，證明內(nèi)部二極管短路,；電阻為無(wú)窮大,，說(shuō)明二極管開路。2．測(cè)量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路,，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,，使RCT正向擊穿,，由直...

晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器,，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅,；1957年美國(guó)通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化,；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門極,；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管,，逆導(dǎo)晶閘管,，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,，在電路中用文字符號(hào)為“V”,、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性,，能在高電壓,、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制,、被應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān),、逆...

單相交流固態(tài)繼電器㈠概述龍科交流固態(tài)繼電器（英文名稱為L(zhǎng)oncontSolid-StateRelay,，簡(jiǎn)稱LSR）。它為單刀單擲常開式結(jié)構(gòu),，用LED顯示工作狀態(tài),。它是用現(xiàn)代微電子技術(shù)與電力電子技術(shù)發(fā)展起來(lái)的一種新型無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)器件。它可以實(shí)現(xiàn)用微弱的控制信號(hào)(幾毫安到幾十毫安)控制0．1A直至幾百A電流負(fù)載,，進(jìn)行無(wú)觸點(diǎn)接通或分?jǐn)?。它為四端有源器件，兩個(gè)輸入控制端,，兩個(gè)負(fù)載輸出端,，輸出端與負(fù)載、電源串聯(lián),，輸入輸出之間為光電隔離,，內(nèi)置RC吸收回路，輸入端加上直流或脈沖信號(hào)，輸出端就能從斷態(tài)轉(zhuǎn)變成通態(tài),。整個(gè)器件沒(méi)有任何可動(dòng)部件或觸點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)于電磁繼電器的功能,。固態(tài)繼電器工作可靠,，無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)...

單相交流固態(tài)繼電器㈠概述龍科交流固態(tài)繼電器（英文名稱為L(zhǎng)oncontSolid-StateRelay,，簡(jiǎn)稱LSR）,。它為單刀單擲常開式結(jié)構(gòu)，用LED顯示工作狀態(tài),。它是用現(xiàn)代微電子技術(shù)與電力電子技術(shù)發(fā)展起來(lái)的一種新型無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)器件,。它可以實(shí)現(xiàn)用微弱的控制信號(hào)(幾毫安到幾十毫安)控制0．1A直至幾百A電流負(fù)載，進(jìn)行無(wú)觸點(diǎn)接通或分?jǐn)?。它為四端有源器件,，兩個(gè)輸入控制端，兩個(gè)負(fù)載輸出端,，輸出端與負(fù)載,、電源串聯(lián)，輸入輸出之間為光電隔離,，內(nèi)置RC吸收回路,，輸入端加上直流或脈沖信號(hào)，輸出端就能從斷態(tài)轉(zhuǎn)變成通態(tài),。整個(gè)器件沒(méi)有任何可動(dòng)部件或觸點(diǎn),，實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)于電磁繼電器的功能。固態(tài)繼電器工作可靠,，無(wú)觸點(diǎn),、無(wú)...

AA）替代國(guó)外模塊型號(hào)ZX5WSMNBK雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG（AA）60A/400V三社（SanRex）PWB60A；三菱（MITSUBI）TM60SZ-M,；TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG（AA）80A/400VSanRexPWB90A,；MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達(dá)PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG（AA）130A/400VSanRexPWB130A；MITSUBITM130SZ-M,；英達(dá)PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG（AA）160...

晶閘管模塊的類型 晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊,，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。 根據(jù)封裝工藝的不同,，晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。 晶閘管模塊可分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）,；普通整流模塊（MDC）,；普通晶閘管、整流混合模塊（MFC）,；快速晶閘管,、整流混合模塊（MKC\MZC）,；非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（通常稱為電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）,；三相整流橋輸出晶閘管模塊（MDS）,；單相（三相）整流橋模塊（MDQ）；單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）,。 正高電氣公司在多年積累的客戶好口碑下,，不但在產(chǎn)品規(guī)格配套方...

它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低,。GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力,?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1僅繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào),。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界...

晶閘管模塊電流規(guī)格的選取 1,、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取 （1）電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍,。 （2）感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍。 （3）負(fù)載電流變化較大時(shí),，電流倍數(shù)適當(dāng)增大,。 （4）在運(yùn)行過(guò)程中，負(fù)載的實(shí)際工作電流不應(yīng)超過(guò)模塊的較大電流,。 2,、散熱器風(fēng)機(jī)的選用 模塊正常工作時(shí)必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)。如果用戶是自己提供的,，則使用以下原則來(lái)選擇： （1）模塊正常工作時(shí),，必須能保證冷卻底板溫度不超過(guò)75℃； （2）當(dāng)模塊負(fù)載較輕時(shí),，可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻,； （3...

如大功率電阻、大功率三極管以及電源變壓器等,。對(duì)于大功率晶閘管，必須按手冊(cè)申的要求加裝散熱裝置及冷卻條件,，以保證管子工作時(shí)的溫度不超過(guò)結(jié)溫,。②晶閘管在使用中發(fā)生超越和短路現(xiàn)象時(shí)，會(huì)引發(fā)過(guò)電流將管子燒毀,。對(duì)于過(guò)電流,，一般可在交流電源中加裝快速保險(xiǎn)絲加以保護(hù)?？焖俦ｋU(xiǎn)絲的熔斷時(shí)間極短,，一般保險(xiǎn)絲的額定電流用晶閘管額定平均電流的。③交流電源在接通與斷開時(shí),，有可能在晶閘管的導(dǎo)通或阻斷對(duì)出現(xiàn)過(guò)壓現(xiàn)象,，將管子擊穿。對(duì)于過(guò)電壓,，可采用并聯(lián)RC吸收電路的方法,。因?yàn)殡娙輧啥说碾妷翰荒芡蛔儯灾灰诰чl管的陰極及陽(yáng)極間并取RC電路,，就可以削弱電源瞬間出現(xiàn)的過(guò)電壓,，起到保護(hù)晶閘管的作用。當(dāng)然也可以采用壓敏電...

電力電子開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,，尤其涉及一種立式晶閘管模塊,。背景技術(shù)：電力電子開關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個(gè)可控的電子驅(qū)動(dòng)器件，如晶閘管,、晶體管,、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅,、繼電器等,。其中，現(xiàn)有的晶閘管僅能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制,，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制,。因此，針對(duì)上述問(wèn)題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊,，其包括：外殼、蓋板,、銅底板,、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭,、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元,；所述晶閘管單...

晶閘管模塊的類型 晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。 根據(jù)封裝工藝的不同，晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種,。 晶閘管模塊可分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）,；普通整流模塊（MDC）；普通晶閘管,、整流混合模塊（MFC）,；快速晶閘管、整流混合模塊（MKC\MZC）,；非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（通常稱為電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）；三相整流橋輸出晶閘管模塊（MDS）,；單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,；單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）。 正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富,、技術(shù)力量過(guò)硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)...

它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1僅繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界...

晶體閘流管工作過(guò)程編輯晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2,、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分,，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。因此,，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí),，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通,。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,，設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的...

由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過(guò)程中,，正向電壓下降到零時(shí),，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,，使積蓄載流子迅速消失,，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大,。因此即使和元件串連的線路電感L很小,，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大,，這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿,。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓，稱為關(guān)斷過(guò)電壓,，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍,，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振,、限制晶閘管開通損耗和電流上...

1晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對(duì)于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員,，都知道晶閘管模塊的來(lái)歷及各種分類,。不過(guò)現(xiàn)在從事這一行的人越來(lái)越多，有的采購(gòu)人員對(duì)這方面還不是很了解,。有的客戶也經(jīng)常問(wèn)起我們晶閘管模塊的來(lái)歷?，F(xiàn)在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的,，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制,；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ),；60年代后期，大功率逆變晶閘管問(wèn)世,，成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件,；1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成,。3普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)...

它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低,。GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào),。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界...

1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司獨(dú)立開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實(shí)現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控功能,。2(2)晶閘管智能模塊采用進(jìn)口方形芯片,、高級(jí)芯片支撐板，模塊壓降小,、功耗低,，效率高,節(jié)電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進(jìn)口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性,。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,，經(jīng)獨(dú)特處理方法和特殊焊接工藝,，保證焊接層無(wú)空洞,，導(dǎo)熱性能好。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)近10倍,。5(5)晶閘管智能模塊采用高級(jí)導(dǎo)熱絕緣封裝材料,，絕緣、防潮性能優(yōu)良,。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路,、主電路與導(dǎo)熱底板相互隔離，導(dǎo)...

1晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中,，對(duì)于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員,，都知道晶閘管模塊的來(lái)歷及各種分類。不過(guò)現(xiàn)在從事這一行的人越來(lái)越多,，有的采購(gòu)人員對(duì)這方面還不是很了解,。有的客戶也經(jīng)常問(wèn)起我們晶閘管模塊的來(lái)歷。現(xiàn)在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后,，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的,，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制,；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ),；60年代后期，大功率逆變晶閘管問(wèn)世,，成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件,；1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成,。3普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)...