DDR的PCB布局,、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號,，如果掛兩片DDR顆粒時拓?fù)浣ㄗh采用對稱的Y型結(jié)構(gòu),，分支端靠近信號的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置（5mm以內(nèi)）,，并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)）,，布局布線要保證所有地址,、控制信號拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長度上的匹配。地址,、控制,、時鐘線（遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu)）的等長范圍為≤200Mil。5,、對于地址,、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置,，并聯(lián)電阻靠近接收端放置,，布線時要考慮差分線對內(nèi)的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6,、DDR的IO供電電源是2.5V,，對于控制芯片及DDR芯片，為每個IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置,，在允許的情況下多扇出幾個孔,，同時芯片配備大的儲能大電容；對于1.25VVTT電源,，該電源的質(zhì)量要求非常高,，不允許出現(xiàn)較大紋波，1.25V電源輸出要經(jīng)過充分的濾波,，整個1.25V的電源通道要保持低阻抗特性,，每個上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容。DDR3的PCB布局布線要求是什么,？鄂州了解PCB設(shè)計廠家

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查,。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項目設(shè)計溝通記錄》中,。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進(jìn)行檢查,、修改、確認(rèn),、記錄,。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域,，并對在分隔帶上的阻抗線進(jìn)行調(diào)整,。（5）走線串?dāng)_檢查：所有相鄰層走線檢查并調(diào)整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進(jìn)行調(diào)整,。（7）走線角度檢查：整板檢查直角,、銳角走線。孝感高效PCB設(shè)計哪家好如何梳理PCB設(shè)計布局模塊框圖,？

電氣方面注意事項（1）TVS管,、ESD,、保險絲等保護(hù)器件靠近接口放置；（2）熱敏器件遠(yuǎn)離大功率器件布局,；（3）高,、中、低速器件分區(qū)布局,；（4）數(shù)字,、模擬器件分區(qū)布局；（5）電源模塊,、模擬電路,、時鐘電路、射頻電路,、隔離器件布局按器件資料,；（6）串聯(lián)電阻靠近源端放置；串聯(lián)電容靠近末端放置,；并聯(lián)電阻靠近末端放置,；（7）退藕電容靠近芯片的電源管腳；（8）接口電路靠近接口,；（9）充分考慮收發(fā)芯片距離,，以便走線長度滿足要求；（10）器件按原理圖擺一起,；（11）二極管,、LED等極性與原理圖應(yīng)保持一致。

放置固定結(jié)構(gòu)件（1）各固定器件坐標(biāo),、方向,、1腳位置、頂?shù)讓臃胖门c結(jié)構(gòu)圖固定件完全一致,，并將器件按照結(jié)構(gòu)圖形對應(yīng)放置,。（2）當(dāng)有如下列情形時，需將問題描述清楚并記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中,，同時郵件通知客戶修改確認(rèn),。結(jié)構(gòu)圖形與部分管腳不能完全重合；結(jié)構(gòu)圖形1腳標(biāo)識與封裝1腳焊盤指示不符,；結(jié)構(gòu)圖形指示孔徑與封裝孔徑不符,；文字描述、標(biāo)注尺寸等和結(jié)構(gòu)圖實際不一致,；其他有疑問的地方,。（3）安裝孔坐標(biāo)、孔徑,、頂?shù)讓优c結(jié)構(gòu)圖完全一致,。（4）安裝孔、定位孔為NPTH且保留焊環(huán)時,，焊環(huán)離孔距離8Mil以上,，焊盤單邊比孔大33mil（5）固定結(jié)構(gòu)件放置完畢后，對器件賦予不可移動屬性,。（6）在孔符層進(jìn)行尺寸標(biāo)注,，標(biāo)注單位為公制（mm），精度小數(shù)點(diǎn)后2位,，尺寸公差根據(jù)客戶結(jié)構(gòu)圖要求,。（7）工藝邊或者拼版如使用V-CUT，需進(jìn)行標(biāo)注,。（8）如設(shè)計過程中更改結(jié)構(gòu),，按照結(jié)構(gòu)重新繪制板框、繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域和放置固定構(gòu)件,?？蛻魺o具體的結(jié)構(gòu)要求時，應(yīng)根據(jù)情況記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中,。（9）子卡,、母卡對插/扣設(shè)計京曉科技與您分享PCB設(shè)計中布局布線的注意事項。

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC,、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊和提供的參考設(shè)計進(jìn)行地分割處理,，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點(diǎn)連接,，（3）模擬電源和數(shù)字電源當(dāng)電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時,，在電源入口處通過將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地,；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過磁珠或電感拆分成模擬電源,。負(fù)載端所有的數(shù)字電源都通過入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過經(jīng)過磁珠或電感隔離后的模擬電源生成,。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地,、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成,、模擬電源都用入口處的模擬電源生成,。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進(jìn)行供電，因為其電流小,、紋波小,，而DC/DC會引入較大開關(guān)電源噪聲，嚴(yán)重影響ADC/DAC器件性能,，因此,，模擬電路應(yīng)該采用LDO進(jìn)行供電,。PCB設(shè)計的基礎(chǔ)流程是什么？襄陽高效PCB設(shè)計教程

不同存儲容量及不同數(shù)據(jù)寬度的器件有所不同,。鄂州了解PCB設(shè)計廠家

 DDR模塊,，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”,，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來,，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率,，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù),，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1,、CK/CK#是DDR的全局時鐘,，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的,。2,、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是,，在進(jìn)行讀寫操作時CKE要保持為高電平,，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，器件進(jìn)入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時）,，當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r,，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3,、CS#為片選信號,，低電平有效。當(dāng)CS#為高時器件內(nèi)部的命令解碼將不工作,。同時,，CS#也是命令信號的一部分。4,、RAS#,、CAS#、WE#分別為行選擇,、列選擇,、寫使能信號，低電平有效,。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號,。鄂州了解PCB設(shè)計廠家

武漢京曉科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡,，一群有夢想有朝氣的團(tuán)隊不斷在前進(jìn)的道路上開創(chuàng)新天地,，繪畫新藍(lán)圖，在湖北省等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的信譽(yù),，信奉著“爭取每一個客戶不容易,，失去每一個用戶很簡單”的理念，市場是企業(yè)的方向,，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下,，全體上下,，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退,，**協(xié)力把各方面工作做得更好,，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度,，未來武漢京曉科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來,，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績，也不足以驕傲,，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗,，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望,，放飛新的夢想,！