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隨州PCB設(shè)計(jì)銷售

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-03-03

DDR與SDRAM信號(hào)的不同之處,,1、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)與地址\控制信號(hào)是參考不同的時(shí)鐘信號(hào),,數(shù)據(jù)信號(hào)參考DQS選通信號(hào),地址\控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào),;而SDRAM信號(hào)的數(shù)據(jù),、地址、控制信號(hào)是參考同一個(gè)時(shí)鐘信號(hào),。2,、數(shù)據(jù)信號(hào)參考的時(shí)鐘信號(hào)即DQS信號(hào)是上升沿和下降沿都有效,即DQS信號(hào)的上升沿和下降沿都可以觸發(fā)和鎖存數(shù)據(jù),,而SDRAM的時(shí)鐘信號(hào)只有在上升沿有效,,相對(duì)而言DDR的數(shù)據(jù)速率翻倍。3,、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)通常分成幾組,,如每8位數(shù)據(jù)信號(hào)加一位選通信號(hào)DQS組成一組,,同一組的數(shù)據(jù)信號(hào)參考相同組里的選通信號(hào)。4,、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖,,數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)分成多組,同組內(nèi)的數(shù)據(jù)信號(hào)參考同組內(nèi)的選通信號(hào),;地址,、控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào)。PCB設(shè)計(jì)的整體模塊布局,。隨州PCB設(shè)計(jì)銷售

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繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板(1)設(shè)置允許布局區(qū)域:回流焊?jìng)魉瓦叺膶挾纫鬄?mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件,;一般使用板框長(zhǎng)邊用作回流焊?jìng)魉瓦叄欢踢厓?nèi)縮默認(rèn)2mm,,不小于1mm,;如短邊作為傳送邊時(shí),寬長(zhǎng)比>2:3,;傳送邊進(jìn)板方向不允許有缺口,;傳送邊中間有缺口時(shí)長(zhǎng)度不超過(guò)傳送邊1/3。特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行,,并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄表》中,。(2)設(shè)置允許布線區(qū)域:允許布線區(qū)域?yàn)閺陌蹇蜻吘墐?nèi)縮默認(rèn)40Mil,不小于20Mil,;特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行,,并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。(3)螺釘孔禁布區(qū)域由器件焊盤單邊向外擴(kuò)大1mm,,特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行,,并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。(4)PCB中Top及Bottom面各增加3個(gè)非對(duì)稱的Mark點(diǎn),,Mark點(diǎn)封裝由封裝組提供,,1mm標(biāo)準(zhǔn)Mark點(diǎn)外邊沿距離傳送邊板邊間距≥5mm襄陽(yáng)了解PCB設(shè)計(jì)包括哪些如何創(chuàng)建PCB文件、設(shè)置庫(kù)路徑,?

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通過(guò)規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求,,提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù),。文件維護(hù)部門設(shè)計(jì)部,。定義與縮略語(yǔ)(1)PCBLayout:利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計(jì)為印制電路板圖的全過(guò)程。(2)PCB:印刷電路板,。(3)理圖:一般由原理圖設(shè)計(jì)工具繪制,,表達(dá)硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。(4)網(wǎng)表:一般由原理圖設(shè)計(jì)工具自動(dòng)生成的,,表達(dá)元器件電氣連接關(guān)系的文本文件,,一般包含元器件封裝,,網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。(5)布局:PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中,,按照設(shè)計(jì)要求,、結(jié)構(gòu)圖和原理圖,把元器件放置到板上的過(guò)程,。(6)布線:PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中,,按照設(shè)計(jì)要求對(duì)信號(hào)進(jìn)行走線和銅皮處理的過(guò)程。

 DDR模塊,,DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM,,中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”,是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái),,人們習(xí)慣稱為DDR,,DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率,它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù),,因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍,。(1)DDRSDRAM管腳功能說(shuō)明:圖6-1-5-1為512MDDR(8M×16bit×4Bank)的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡(jiǎn)述1、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘,,DDR的所有命令信號(hào),,地址信號(hào)都是以CK/CK#為時(shí)序參考的。2,、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào),,與SDRAM不同的是,,在進(jìn)行讀寫操作時(shí)CKE要保持為高電平,,當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí),器件進(jìn)入斷電模式(所有BANK都沒(méi)有時(shí))或自刷新模式(部分BANK時(shí)),,當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí),,器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3,、CS#為片選信號(hào),,低電平有效。當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部的命令解碼將不工作,。同時(shí),,CS#也是命令信號(hào)的一部分。4,、RAS#,、CAS#、WE#分別為行選擇,、列選擇,、寫使能信號(hào),,低電平有效。這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組成了DDR的命令信號(hào),。PCB設(shè)計(jì)中電氣方面的注意事項(xiàng),。

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ADC/DAC電路:(2)模擬地與數(shù)字地處理:大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)和提供的參考設(shè)計(jì)進(jìn)行地分割處理,,通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND,,然后將二者單點(diǎn)連接,(3)模擬電源和數(shù)字電源當(dāng)電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時(shí),,在電源入口處通過(guò)將數(shù)字地加磁珠或電感,,將數(shù)字地拆分成成模擬地;同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過(guò)磁珠或電感拆分成模擬電源,。負(fù)載端所有的數(shù)字電源都通過(guò)入口處數(shù)字電源生成,、模擬電源都通過(guò)經(jīng)過(guò)磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處(外部提供的電源)既有模擬地又有數(shù)字地,、既有模擬電源又有數(shù)字電源,,板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成,。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進(jìn)行供電,,因?yàn)槠潆娏餍 ⒓y波小,,而DC/DC會(huì)引入較大開關(guān)電源噪聲,,嚴(yán)重影響ADC/DAC器件性能,因此,,模擬電路應(yīng)該采用LDO進(jìn)行供電,。PCB設(shè)計(jì)常用規(guī)則之Gerber參數(shù)設(shè)置。十堰如何PCB設(shè)計(jì)規(guī)范

PCB設(shè)計(jì)中關(guān)鍵信號(hào)布線方法,。隨州PCB設(shè)計(jì)銷售

布線,,PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》,、《PCB加工工藝要求說(shuō)明書》對(duì)整板布線約束的要求,。同時(shí)也應(yīng)該符合客戶對(duì)過(guò)孔工藝、小線寬線距等的特殊要求,,無(wú)法滿足時(shí)需和客戶客戶溝通并記錄到《設(shè)計(jì)中心溝通記錄》郵件通知客戶確認(rèn),。布線的流程步驟如下:關(guān)鍵信號(hào)布線→整板布線→ICT測(cè)試點(diǎn)添加→電源、地處理→等長(zhǎng)線處理→布線優(yōu)化,,關(guān)鍵信號(hào)布線關(guān)鍵信號(hào)布線的順序:射頻信號(hào)→中頻,、低頻信號(hào)→時(shí)鐘信號(hào)→高速信號(hào)。關(guān)鍵信號(hào)的布線應(yīng)該遵循如下基本原則:★優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號(hào)層走線?!镆勒詹季智闆r短布線,。★走線間距單端線必須滿足3W以上,,差分線對(duì)間距必須滿足20Mil以上隨州PCB設(shè)計(jì)銷售

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