工藝方面注意事項（1）質量較大,、體積較大的SMD器件不要兩面放置,；（2）質量較大的元器件放在板的中心；（3）可調元器件的布局要方便調試（如跳線,、可變電容,、電位器等）,；（4）電解電容、鉭電容極性方向不超過2個,；（5）SMD器件原點應在器件中心,，布局過程中如發(fā)現(xiàn)異常,，通知客戶或封裝工程師更新PCB封裝。布局子流程為：模塊布局→整體布局→層疊方案→規(guī)則設置→整板扇出,。模塊布局模塊布局子流程：模塊劃分→主芯片放置并扇出→RLC電路放置→時鐘電路放置,。常見模塊布局參考5典型電路設計指導。PCB典型的電路設計指導,。荊州打造PCB設計加工

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應做開窗處理,、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設計兩排開窗過孔屏蔽,，過孔應相互錯開,，同排過孔間距為150Mil。,，在腔體的拐角處應設計3mm的金屬化固定孔,，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm,。如圖6-1-2-4所示,。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結構,；而腔體內部不同模塊之間可以采用微帶線的結構,，這樣內部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm,、微帶線走在中間,。（5）布線原則1、首先參考射頻信號的處理原則,。2,、嚴格按照原理圖的順序進行ADC和DAC前端電路布線。3,、空間允許的情況下,，模擬信號采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過孔4,、ADC和DAC電源管腳比較好經(jīng)過電容再到電源管腳,，線寬≥20Mil，對于管腳比較細的器件,，出線寬度與管腳寬度一致,。5、模擬信號優(yōu)先采用器件面直接走線,，線寬≥10Mil,，對50歐姆單端線、100歐姆差分信號要采用隔層參考，在保證阻抗的同時,，以降低模擬輸入信號的衰減損耗,，6、不同ADC/DAC器件的采樣時鐘彼此之間需要做等長處理,。7,、當信號線必須要跨分割時，跨接點選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處,。武漢常規(guī)PCB設計銷售PCB設計中等長線處理方式技巧有哪些,？

設計規(guī)劃設計規(guī)劃子流程：梳理功能要求→確認設計要求→梳理設計要求。梳理功能要求（1）逐頁瀏覽原理圖,，熟悉項目類型,。項目類型可分為：數(shù)字板,、模擬板,、數(shù)模混合板,、射頻板,、射頻數(shù)模混合板,、功率電源板,、背板等，依據(jù)項目類型逐頁查看原理圖梳理五大功能模塊：輸入模塊,、輸出模塊,、電源模塊、信號處理模塊,、時鐘及復位模塊,。（2）器件認定：在單板設計中，承擔信號處理功能器件,，或因體積較大,，直接影響布局布線的器件。如：FPGA,，DSP,，A/D芯片，D/A芯片,，恒溫晶振,，時鐘芯片，大體積電源芯片,。確認設計要求（1）客戶按照《PCBLayout業(yè)務資料及要求》表格模板,，規(guī)范填寫，信息無遺漏；可以協(xié)助客戶梳理《PCBLayout業(yè)務資料及要求》表格,，經(jīng)客戶確認后,，則直接采納。（2）整理出正確,、完整的信號功能框圖,。（3）按照《PCB Layout業(yè)務資料及要求》表格確認整版電源，及各路分支的電源功耗情況,，根據(jù)電源流向和電流大小,，列出電流樹狀圖，經(jīng)客戶確認后,，予以采納,。

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串擾檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%,，未連接網(wǎng)絡需確認并記錄《項目設計溝通記錄》中,。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改,、確認,、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除,。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域,，并對在分隔帶上的阻抗線進行調整。（5）走線串擾檢查：所有相鄰層走線檢查并調整,。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調整,。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線,。京曉科技與您分享PCB設計中布局布線的注意事項,。

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM,，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”,，是在SDRAM的基礎上改進而來，人們習慣稱為DDR,，DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率,，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標準SDRAM的兩倍,。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1,、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號,，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的,。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是,，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平,，當CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時）,，當CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r,，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3,、CS#為片選信號,，低電平有效。當CS#為高時器件內部的命令解碼將不工作,。同時,，CS#也是命令信號的一部分。4,、RAS#,、CAS#、WE#分別為行選擇,、列選擇,、寫使能信號，低電平有效,。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。PCB設置中PCI-E板卡設計要求是什么,？黃石了解PCB設計怎么樣

PCB設計常用規(guī)則之絲印調整,。荊州打造PCB設計加工

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