以p型離子注入形成有源區(qū),；所述的氧化硅層為熱氧化生成sio2層,，所述的氮化硅層為淀積生長(zhǎng)的si3n4層；所述的正面金屬電極是在濺射后經(jīng)刻蝕成形,。所述外延層的電阻率為500～1000ohm·cm,，外延層厚度wepi根據(jù)耗盡區(qū)寬度wd確定：wepi≈wd，而wd≥w入/2,，其中w入＝f(λ),，w入為入射光入射深度，λ為入射光波長(zhǎng),。一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管的制備方法,，包括以下操作：1)在襯底上濺射生成高反層；2)高反層開(kāi)設(shè)刻蝕孔,；3)高反層上通過(guò)淀積的方法生長(zhǎng)外延層,；4)在外延層上通過(guò)離子注入分別形成保護(hù)環(huán)和有源區(qū)；5)在保護(hù)環(huán)和有源區(qū)上生成sio2層,，然后在sio2層上方生成si3n4層,；6)在sio2層、si3n4層上刻出接觸孔,，然后濺射金屬,，濺射完成后刻蝕形成正面金屬電極；7)在襯底的背面做金屬化處理形成背面電極,。所述的襯底采用電阻率20～100為ohm·cm的低電阻率硅材料,；襯底直接與背面金屬形成良好的歐姆接觸；所述的高反層是由折射率～～,，通過(guò)化學(xué)氣相淀積或光學(xué)鍍膜技術(shù)生成,；所述的外延層的電阻率為500～1000ohm·cm，外延層的厚度與耗盡區(qū)寬度相當(dāng)；所述的保護(hù)環(huán)為as離子源注入,，注入劑量為1e15～2e15,。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳,。硅光電二極管供應(yīng)商就找世華高,！重慶進(jìn)口硅光電二極管

硅光二極管在光探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣。它可以用于檢測(cè)微弱的光信號(hào),，如生物發(fā)光,、化學(xué)發(fā)光等，為科學(xué)研究和技術(shù)應(yīng)用提供了重要的手段,。同時(shí),，硅光二極管還可以用于構(gòu)建光傳感器，實(shí)現(xiàn)對(duì)環(huán)境參數(shù)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和數(shù)據(jù)分析,。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年,，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作,。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,，負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管,、光電三極管,、紅外線接收頭、發(fā)射管,、發(fā)光二極管,、硅光電池、霍爾元件,、光電開(kāi)關(guān),、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等,。世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商,。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu)，分布在中國(guó),、印度,、泰國(guó)、伊朗,、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū),。隨著生產(chǎn)規(guī)模的不斷擴(kuò)大和產(chǎn)品種類的豐富,，公司的銷售業(yè)績(jī)穩(wěn)步提升,。溫州硅光硅光電二極管接法世華高硅光電二極管性能穩(wěn)定，技術(shù)成熟。

通過(guò)適當(dāng)減小耗盡區(qū)寬度和減小擴(kuò)散區(qū)電阻率,，耗盡區(qū)寬度減小導(dǎo)致響應(yīng)度的降低,，再通過(guò)增加高反層使得光子在較薄的耗盡區(qū)中二次吸收來(lái)補(bǔ)償，以減小耗盡區(qū)變薄對(duì)光響應(yīng)度的影響(參見(jiàn)圖3),；高反層的形成使得器件保持對(duì)長(zhǎng)波響應(yīng)度的同時(shí),，降低響應(yīng)時(shí)間；進(jìn)一步,，通過(guò)在高反層上刻孔形成均勻的電流路徑同時(shí)獲得高的響應(yīng)速度(參見(jiàn)圖4),；由于擴(kuò)散區(qū)(耗盡區(qū)以外的區(qū)域)材料電阻率很低，擴(kuò)散區(qū)阻抗很小,。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年,，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作,。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,，負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管,、光電三極管,、紅外線接收頭、發(fā)射管,、發(fā)光二極管,、硅光電池、霍爾元件,、光電開(kāi)關(guān),、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等,。經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展,，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu),，分布在中國(guó),、印度、泰國(guó),、伊朗,、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年,，總部設(shè)在深圳,，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,，負(fù)責(zé)光電器件的制造,。

本發(fā)明具有以下有益的技術(shù)效果：本發(fā)明提供的高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管,，通過(guò)適當(dāng)減小耗盡區(qū)寬度和減小擴(kuò)散區(qū)電阻率，耗盡區(qū)寬度減小導(dǎo)致響應(yīng)度的降低,，本發(fā)明通過(guò)增加高反層使得光子在耗盡區(qū)中二次吸收來(lái)補(bǔ)償,；高反層的形成使得器件保持對(duì)長(zhǎng)波響應(yīng)度的同時(shí)，降低響應(yīng)時(shí)間,；由于擴(kuò)散區(qū)(耗盡區(qū)以外的區(qū)域)材料電阻率很低,，擴(kuò)散區(qū)阻抗很小，因此擴(kuò)散時(shí)間很短,；從而實(shí)現(xiàn)硅基光電二極管高響應(yīng)度與高響應(yīng)速度同時(shí)提升,。本發(fā)明提供的高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管，由于通過(guò)低阻材料降低了擴(kuò)散區(qū)電阻,，縮短了擴(kuò)散時(shí)間,；而高反層的設(shè)置提高了長(zhǎng)波的吸收效率，降低了耗盡區(qū)的物理厚度,，縮短了漂移時(shí)間,，并且在其上開(kāi)孔減小了擴(kuò)散區(qū)的阻抗；襯底采用低電阻率材料,，背面不用進(jìn)行減薄注入,，直接背面金屬化形成背面電極，避免了加工過(guò)程中碎片的情況,。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖示意圖,；圖2為本發(fā)明的等效電路示意圖；圖3為本發(fā)明的高反層原理示意圖,；圖4為多孔結(jié)構(gòu)高反層的示意圖,；圖5-1～圖5-7分別為本發(fā)明的逐層制備示意圖。圖6為本發(fā)明的硅基光電二極管的響應(yīng)度測(cè)試曲線,；圖7為本發(fā)明的硅基光電二極管的頻率特性測(cè)試曲線,。硅光電二極管參數(shù)哪家棒！世華高,。

本發(fā)明屬于光電催化技術(shù)領(lǐng)域,，具體涉及一種sr摻雜batio3/znte光陰極材料的制備方法，可以實(shí)現(xiàn)znte光生載流子的定向分離,，并加速界面co2還原反應(yīng)的活性,。背景技術(shù)：能源危機(jī)和溫室效應(yīng)是人類目前急需解決的關(guān)鍵科學(xué)難題，以太陽(yáng)能驅(qū)動(dòng)的co2還原為解決這些問(wèn)題提供了一個(gè)理想的途徑,，該反應(yīng)綠色,、**，條件溫和,，吸引了多國(guó)和科研人員的目光,。光電催化反應(yīng)技術(shù)整合光催化和電催化技術(shù)的優(yōu)勢(shì),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)co2還原更高的效率和更理想的選擇性,。目前，光電催化co2還原的效率依然很低,，太陽(yáng)能到化學(xué)能的轉(zhuǎn)化效率遠(yuǎn)低于工業(yè)應(yīng)用所需的10％效率，根本原因在于載流子復(fù)合嚴(yán)重,，界面反應(yīng)動(dòng)力學(xué)緩慢,。為了推進(jìn)光電催化co2還原技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用，關(guān)鍵是開(kāi)發(fā)**載流子分離的光陰極材料,。znte是一種可見(jiàn)光響應(yīng)的p型半導(dǎo)體(),，其導(dǎo)帶邊電勢(shì)()遠(yuǎn)負(fù)于其它半導(dǎo)體，能克服co2還原的熱力學(xué)勢(shì)壘,，是目前光(電)催化co2還原的理想材料,。但是，單一znte光電極材料依然無(wú)法**分離光生載流子,，大部分載流子在界面反應(yīng)發(fā)生之前復(fù)合損失,。構(gòu)建半導(dǎo)體納米異質(zhì)結(jié)是分離光生載流子的通用途徑，但該方法往往需要兩個(gè)半導(dǎo)體之間的能帶匹配,，且兩相界面需有利于載流子傳輸,。這樣，很大地限制了半導(dǎo)體材料的選擇,。因此,。硅光電池就找深圳世華高。深圳光電硅光電二極管特性

世華高硅光電二極管物體檢測(cè)效果很好,，使用壽命也很長(zhǎng),。重慶進(jìn)口硅光電二極管

該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造,。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管,、光電三極管、紅外線接收頭,、發(fā)射管,、發(fā)光二極管、硅光電池,、霍爾元件,、光電開(kāi)關(guān)、光電編碼器,、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等,。經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商,。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu),，分布在中國(guó),、印度、泰國(guó),、伊朗,、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。所述方法由以下步驟組成：1)以乙酸鋇,、乙酸鍶和鈦酸四丁酯為原料,，溶解于乙酸、乙醇和水的混合溶液中,，加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10-30％的聚乙烯吡絡(luò)烷酮,，攪拌24h，得到紡絲溶液,；2)采用靜電紡絲機(jī)制備sr摻雜batio3納米纖維薄膜電極：將步驟1所述紡絲溶液加入到10ml注射器中,，設(shè)置一定的靜電紡絲工藝參數(shù)，在固定于滾筒上的fto玻璃上接收固化的復(fù)合纖維,，150℃烘箱中干燥過(guò)夜,，烘干后置于馬弗爐中煅燒一定時(shí)間，熱分解后即可獲得sr摻雜batio3薄膜電極,；3)采用水熱法制備sr摻雜batio3/znte光電極：配制一定濃度的硝酸鋅,、碲酸鈉和硼氫化鈉的混合水溶解，攪拌均勻,，后轉(zhuǎn)入50ml水熱反應(yīng)釜中,；將步驟2所述sr摻雜batio3薄膜電極放入反應(yīng)釜內(nèi)，fto導(dǎo)電面朝下,，密封后置于恒溫干燥箱中水熱反應(yīng)一定時(shí)間,。重慶進(jìn)口硅光電二極管