硅光二極管的響應(yīng)時(shí)間也是其性能的重要指標(biāo)之一。在高速光通信系統(tǒng)中,，需要選擇具有快速響應(yīng)時(shí)間的硅光二極管,，以確保信號(hào)的準(zhǔn)確傳輸和處理。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,，硅光二極管的響應(yīng)時(shí)間已經(jīng)越來越短,，為高速光通信技術(shù)的發(fā)展提供了有力保障,。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳,，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作,。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造,。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管,、光電三極管、紅外線接收頭,、發(fā)射管,、發(fā)光二極管、硅光電池,、霍爾元件,、光電開關(guān)、光電編碼器,、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等,。世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu),，分布在中國(guó),、印度,、泰國(guó),、伊朗、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū),。隨著生產(chǎn)規(guī)模的不斷擴(kuò)大和產(chǎn)品種類的豐富,，公司的銷售業(yè)績(jī)穩(wěn)步提升。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年,，總部設(shè)在深圳,，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。常州濱松硅光電二極管電池

硅光二極管的光譜響應(yīng)特性是其重要的性能指標(biāo)之一,。通過調(diào)整材料和工藝參數(shù),，可以優(yōu)化硅光二極管的光譜響應(yīng)范圍，使其更好地適應(yīng)不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求,。例如,，在可見光通信中，需要選擇對(duì)可見光具有良好響應(yīng)的硅光二極管,；而在紅外探測(cè)中,，則需要選擇對(duì)紅外光具有良好響應(yīng)的器件。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年,，總部設(shè)在深圳,，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作,。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造,。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管,、光電三極管、紅外線接收頭,、發(fā)射管,、發(fā)光二極管、硅光電池,、霍爾元件,、光電開關(guān)、光電編碼器,、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等,。世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu),，分布在中國(guó),、印度、泰國(guó),、伊朗,、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。隨著生產(chǎn)規(guī)模的不斷擴(kuò)大和產(chǎn)品種類的豐富,，公司的銷售業(yè)績(jī)穩(wěn)步提升,。蘇州硅光硅光電二極管專注硅光電二極管，智能硬件解決方案-世華高,。

深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年,，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作,。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,，負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管,、光電三極管,、紅外線接收頭、發(fā)射管,、發(fā)光二極管,、硅光電池、霍爾元件,、光電開關(guān),、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等,。經(jīng)過十余年的發(fā)展,，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商,。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu)，分布在中國(guó),、印度,、泰國(guó)、伊朗,、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū),。孔直徑為25um,，孔間距35um,；也可以為同心環(huán)結(jié)構(gòu)，該同心環(huán)中心與金屬電極106中心重合,，個(gè)環(huán)直徑與金屬電極106直徑相同,，相鄰環(huán)間距10um，環(huán)中心距35um,；正面金屬電極106下方的高反層需要刻蝕掉,，以增大同流能力，降低擴(kuò)散電阻,，提高響應(yīng)速度,。進(jìn)一步的，參見圖5-1～圖5-7,。本發(fā)明還提出一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管的制備方法,，包括以下操作：1)在襯底107上濺射生成高反層109；2)高反層109開設(shè)刻蝕孔,；3)高反層109上通過淀積的方法生長(zhǎng)外延層101,；4)在外延層101上通過離子注入分別形成保護(hù)環(huán)102和有源區(qū)103,；5)在保護(hù)環(huán)102和有源區(qū)103上生成sio2層104,，然后在sio2層上方生成si3n4層105。

主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,，負(fù)責(zé)光電器件的制造,。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管,、紅外線接收頭,、發(fā)射管、發(fā)光二極管,、硅光電池,、霍爾元件、光電開關(guān),、光電編碼器,、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等,。經(jīng)過十余年的發(fā)展，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商,。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu),，分布在中國(guó)、印度,、泰國(guó),、伊朗、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū),。BG-2-也截止，繼電器觸點(diǎn)釋放,，這樣的線路起到了光電控制作用,。圖⑥（b）是暗通的光控線路，與圖⑥（a）相比電路中2CU與R-2-的位置對(duì)調(diào)了,。當(dāng)有光照時(shí)2CU內(nèi)阻變小,，它兩端的壓降減小，這樣使BG-1-截止,，BG-2-也截止,，繼電器觸點(diǎn)不吸合，當(dāng)無光照時(shí)2CU的內(nèi)阻增大,，它兩端的壓降增大,，使BG-1-導(dǎo)通，BG-2-也導(dǎo)通,，繼電器觸點(diǎn)吸合,。三、2DU型硅光電二極管在電路中的接法：我廠生產(chǎn)的2DU型硅光電二極管的前極,、后極以及環(huán)極可按圖①（b）所示來分辨,。2DU型硅光電二極管使用時(shí)電原理圖見圖⑦，2DU管的后極接電源的負(fù)極,，環(huán)極接電源的正極,，前極通過負(fù)載電阻R-L-接到電源的正極。有了R-L-使環(huán)極的電位比前極電位高,，這樣表面漏電流從環(huán)極流出而不經(jīng)過前極,。濱松光電二極管選世華高半導(dǎo)體。

其產(chǎn)品范圍包括光電二極管,、光電三極管,、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管,、硅光電池,、霍爾元件、光電開關(guān),、光電編碼器,、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展,，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商,。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu)，分布在中國(guó),、印度,、泰國(guó)、伊朗,、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū),。因此擴(kuò)散時(shí)間很短；從而實(shí)現(xiàn)硅基光電二極管高響應(yīng)度與高響應(yīng)速度同時(shí)提升,。該結(jié)構(gòu)中,，襯底材料107不用進(jìn)行背面處理，直接與金屬形成良好的歐姆接觸,；外延層厚度取決于耗盡區(qū)寬度,。進(jìn)一步的，所述外延層101的電阻率為500～1000ohm·cm,，外延層101厚度wepi根據(jù)耗盡區(qū)寬度wd確定：wepi≈wd,，而wd≥w入/2，其中w入＝f(λ),，w入為入射光入射深度,，λ為入射光波長(zhǎng)；所述的高反層109由折射率～～,；高反層109上開設(shè)的刻蝕孔為矩陣排列的圓形孔,，或者為同心環(huán)形孔。所述的刻蝕孔為均勻分布的圓形孔時(shí),，孔直徑為10～50um,，孔間距為15～50um，圓形孔的總面積為結(jié)面積的1/2,；所述的刻蝕孔為同心環(huán)形孔時(shí)，同心環(huán)中心與正面金屬電極106的中心重合,，同心環(huán)中心為刻蝕區(qū),，相鄰環(huán)間距5～20um。具體的，高反層109可以為多孔結(jié)構(gòu),，可采用矩陣排列(比如采用正方形陣列排列),。世華高專門供應(yīng)硅光電二極管。深圳光電硅光電二極管廠家

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本發(fā)明具有以下有益的技術(shù)效果：本發(fā)明提供的高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管，通過適當(dāng)減小耗盡區(qū)寬度和減小擴(kuò)散區(qū)電阻率,，耗盡區(qū)寬度減小導(dǎo)致響應(yīng)度的降低,，本發(fā)明通過增加高反層使得光子在耗盡區(qū)中二次吸收來補(bǔ)償；高反層的形成使得器件保持對(duì)長(zhǎng)波響應(yīng)度的同時(shí),，降低響應(yīng)時(shí)間,；由于擴(kuò)散區(qū)(耗盡區(qū)以外的區(qū)域)材料電阻率很低，擴(kuò)散區(qū)阻抗很小,，因此擴(kuò)散時(shí)間很短,；從而實(shí)現(xiàn)硅基光電二極管高響應(yīng)度與高響應(yīng)速度同時(shí)提升。本發(fā)明提供的高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管,，由于通過低阻材料降低了擴(kuò)散區(qū)電阻,，縮短了擴(kuò)散時(shí)間；而高反層的設(shè)置提高了長(zhǎng)波的吸收效率,，降低了耗盡區(qū)的物理厚度,，縮短了漂移時(shí)間，并且在其上開孔減小了擴(kuò)散區(qū)的阻抗,；襯底采用低電阻率材料,，背面不用進(jìn)行減薄注入，直接背面金屬化形成背面電極,，避免了加工過程中碎片的情況,。附圖說明圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖示意圖；圖2為本發(fā)明的等效電路示意圖,；圖3為本發(fā)明的高反層原理示意圖,；圖4為多孔結(jié)構(gòu)高反層的示意圖；圖5-1～圖5-7分別為本發(fā)明的逐層制備示意圖,。圖6為本發(fā)明的硅基光電二極管的響應(yīng)度測(cè)試曲線,；圖7為本發(fā)明的硅基光電二極管的頻率特性測(cè)試曲線。常州濱松硅光電二極管電池