功率MOSFET概述：
TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合,。它提供了一個低導(dǎo)通電阻,，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺無法實現(xiàn)的組合,。
NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件,。設(shè)計師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率,，**了離散設(shè)計的突破,。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管,。
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集成輸入旁路電容器
如前所述，由于開關(guān)節(jié)點振鈴的增加,，大輸入功率環(huán)路在高頻段會導(dǎo)致更高的發(fā)射,。
在設(shè)備封裝內(nèi)集成高頻輸入去耦電容器有助于將輸入回路寄生降至比較低,，從而減少EMI。
該技術(shù)用于LMQ62440-Q1降壓轉(zhuǎn)換器,，如下圖20所示,。除了減少輸入功率回路電感外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使解決方案更不受終端系統(tǒng)電路板布局變化的影響,。
下頁的圖21比較了LMQ62440-Q1的輻射EMI（相同板上的相同條件）,，包括集成和不集成旁路電容器。結(jié)果表明,，在**嚴(yán)格的電視頻段（200至230 MHz）內(nèi),，發(fā)射降低了9 dB，這有助于系統(tǒng)保持在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定的EMI限值下,，而無需在電路板上安裝其他組件,。
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5.線性調(diào)節(jié)器（LDO）-穩(wěn)壓IC概述和選擇指南-
穩(wěn)壓IC概述穩(wěn)壓IC低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）是一種簡單,、有效的調(diào)節(jié)由較高輸入電壓供電的輸出電壓的方法。德州儀器（TI）擁有***的LDO產(chǎn)品組合,，其特點是小尺寸封裝,、低靜態(tài)電流（低IQ）以擴(kuò)展電池壽命長，低噪聲LDO具有高電源抑制比（PSRR）,，低固有噪聲,，高輸出電流和快速瞬態(tài)響應(yīng)速度快，高壓LDO適用于惡劣的汽車環(huán)境,。
穩(wěn)壓IC減少解決方案大?。?
使用小尺寸、高性能LDO,，當(dāng)今電子設(shè)計的復(fù)雜性和密度相當(dāng)于有限的PCB空間,。為了應(yīng)對電子設(shè)備越來越小的趨勢，穩(wěn)壓IC-LDO必須提供相同的性能,，同時消耗盡可能少的空間,。TI提供了許多LDO，可滿足高性能需求和微小的解決方案規(guī)模,。
為減少電源中的電磁干擾而進(jìn)行的省時,、經(jīng)濟(jì)高效的創(chuàng)新-IT穩(wěn)壓IC關(guān)鍵技術(shù)
隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集和互連，減少電磁干擾（EMI）的影響成為越來越重要的系統(tǒng)設(shè)計考慮因素,。
1,、什么是EMI？
電磁干擾（EMI）是一種電磁能量,，是開關(guān)電流和電壓產(chǎn)生的不良副產(chǎn)品,，它來自各種物理現(xiàn)象,，并在嚴(yán)格的電磁干擾測試中表現(xiàn)出來。
2,、減少電磁干擾的常規(guī)方法
減少電磁干擾是一項充滿權(quán)衡的努力,。減少電磁干擾的傳統(tǒng)方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開關(guān)轉(zhuǎn)換率,，這是一種直接影響效率的技術(shù),。
3、減少電磁干擾的創(chuàng)新
為了實現(xiàn)開關(guān)電源的所有優(yōu)點,，降低EMI技術(shù)必須解決傳統(tǒng)的權(quán)衡問題,。這需要針對低頻和高頻EMI的創(chuàng)造性解決方案，以及精確的建模技術(shù),。
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什么是穩(wěn)壓IC的EMI,？
在需要電磁兼容性（EMC）的系統(tǒng)中,，用作電磁源的組件設(shè)計用于減少其干擾，易受干擾的組件設(shè)計用于降低其敏感性,。當(dāng)終端設(shè)備制造商集成來自不同供應(yīng)商的組件時，確保干擾源和敏感電路能夠和平共存的***方法是制定一套通用規(guī)則,，其中干擾限制在一定水平,，敏感電路能夠處理該水平的干擾。
這些規(guī)則是在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中制定的,，如國際擾動無線電委員會（CISPR）25用于汽車行業(yè),，CISPR32用于多媒體設(shè)備。CISPR標(biāo)準(zhǔn)對于EMI設(shè)計至關(guān)重要,，因為它們將規(guī)定任何EMI緩解技術(shù)的目標(biāo)性能,。本文的重點是減少干擾，因為開關(guān)電源通常是電磁干擾源,。有關(guān)EMI標(biāo)準(zhǔn)的***列表,，請參閱白皮書“電源傳導(dǎo)EMI規(guī)范概述”和“電源輻射EMI規(guī)范概述”
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穩(wěn)壓IC專題
由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感,，高轉(zhuǎn)換率還會導(dǎo)致高頻開關(guān)節(jié)點振鈴,，從而進(jìn)一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。
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下頁的圖7顯示了切換節(jié)點上的轉(zhuǎn)換速率和相關(guān)振鈴如何影響排放,。限制開關(guān)轉(zhuǎn)換引起的EMI發(fā)射的傳統(tǒng)方法是通過在開關(guān)設(shè)備的柵極驅(qū)動路徑中添加有意的電阻來降低它們的速度,。這會導(dǎo)致轉(zhuǎn)換速度變慢，導(dǎo)致更快的發(fā)射衰減,，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發(fā)射,。然而，這種開關(guān)邊緣的減速會導(dǎo)致開關(guān)轉(zhuǎn)換器的峰值電流效率降低2%-3%,。
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