場效應(yīng)管非常重要的一個作用是作開關(guān)作用，作開關(guān)時候多數(shù)應(yīng)用于各類電子負載控制,、開關(guān)電源開關(guān)管,，MOS管非常明顯的特性是開關(guān)特性好，對于NMOS來說,，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通,，適合用于源極接地時的情況，也就是所謂的低端驅(qū)動,，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了,。而對于PMOS來說，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況,，也就是驅(qū)動,。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動,，但由于導(dǎo)通電阻大,，價格貴，替換種類少等原因,，在驅(qū)動中,，通常還是使用NMOS。如下圖是某開關(guān)電源其中一部分電路圖,，在這里的Q1場效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開關(guān)管,。高壓mos管選擇深圳盟科電子。珠海插件場效應(yīng)管

場管效應(yīng)管分結(jié)型,、絕緣柵型兩大類,。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名,。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中,，應(yīng)用非常為多方面的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）,；此外還有PMOS,、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管，以及非常近剛問世的πMOS場效應(yīng)管,、VMOS功率模塊等,。按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種,。若按導(dǎo)電方式來劃分,，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強型的。小家電場效應(yīng)管多少錢國內(nèi)品質(zhì)比較好的場效應(yīng)管廠家,。

各類音頻放大器具有各自的優(yōu)點及屬性,，也各有其不足之處，而場效應(yīng)管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優(yōu)勢,，同時還具備兩者所沒有的優(yōu)勢,。在電路程式上，大量實踐證明,，單端甲類功放是以效率換音質(zhì)的典范,，具有出色的音樂魅力。不少發(fā)燒友從單純追求音質(zhì)出發(fā)，反復(fù)制作功放,，反復(fù)對比聽音,，非常終為A類所動，似乎覺得沒有A類的音樂猶如孤獨的音樂,。各類音頻放大器具有各自的優(yōu)點及屬性,，也各有其不足之處，而場效應(yīng)管放大器主流兼具晶體管和電子管兩者的優(yōu)勢,，同時還具備兩者所沒有的優(yōu)勢,。在電路程式上，大量實踐證明,，單端甲類功放是以效率換音質(zhì)的典范,，具有出色的音樂魅力。不少發(fā)燒友從單純追求音質(zhì)出發(fā),，反復(fù)制作功放,，反復(fù)對比聽音，非常終為A類所動,，似乎覺得沒有A類的音樂猶如孤獨的音樂,。

結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識別：場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極,。將萬用表置于R×1k檔,，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻,。當(dāng)某兩個管腳間的正,、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時,，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個管腳即為柵極G,。對于有4個管腳的結(jié)型場效應(yīng)管,，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個電極,。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用,，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐,。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極,。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小,，測量時只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞,。場效應(yīng)管產(chǎn)品選擇盟科電子,。

場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件,。有N溝道器件和P溝道器件,。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET,。MOS場效應(yīng)管有增強型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類,，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場效應(yīng)管有三個電極：D(Drain)稱為漏極,，相當(dāng)雙極型三極管的集電極,；G(Gate)稱為柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極,；S(Source)稱為源極,，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。增強型MOS(EMOS)場效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓撲構(gòu)造,，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極,，一個是漏極D,，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G,。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat),，用符號B表示。工作原理1．溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時,，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管,，在D、S之間加上電壓,，不會在D,、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵極加有電壓時,，若0＜Vgs＜Vgs(th)時（VGS(th)稱為開啟電壓）,，經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用,，將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠。盟科電子MOS管可以方便地用作恒流源,。P型場效應(yīng)管產(chǎn)品介紹

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為了安全地使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計中不能超過管子的耗散功率,。比較大漏源電壓,、比較大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。各類型場效應(yīng)管在使用時,，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中,，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),。N溝道管柵極不能加正偏壓,，P溝道管柵極不能加負偏壓等等。MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,，所以,，在運輸、貯藏中必須將引出腳短路,。要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意,，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時比較好放在金屬盒內(nèi)同時也要注意管子的防潮。為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測試儀器,、工作臺、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地,，管腳在焊接時，先焊源極,；在連入電路之前,。管的全部引線端保持互相短接的狀態(tài)，焊接完后才把短接材科去掉,，從元器件架上取下管子時，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然,，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且可確保安全在未關(guān)斷電源時,，相對不可以把管插入電路或從電路中拔出,。以上的安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意,。珠海插件場效應(yīng)管

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