根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極,。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上,，任選兩個(gè)電極，分別測(cè)出其正,、反向電阻值,。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,，且為幾千歐姆時(shí),，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,，漏極和源極可互換,，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極,，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極,，測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí),，則黑表筆所接觸的電極為柵極,，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,，說明是ＰＮ結(jié)的反向,，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場(chǎng)效應(yīng)管,，且黑表筆接的是柵極,；若兩次測(cè)出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結(jié),，即是正向電阻,，判定為Ｐ溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極,。若不出現(xiàn)上述情況,，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試,，直到判別出柵極為止,。 1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。江門插件場(chǎng)效應(yīng)管

柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線,。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí),，漏極電流ID將隨之改變,。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓Uq,；當(dāng)UGs=0時(shí)，ID的值為場(chǎng)效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss,。在Ugs一定時(shí),，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線,。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線,。由圖可見，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū),、擊穿區(qū)和非飽和區(qū),。起放大作用時(shí)，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）,。注意,，此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放大區(qū)”。 深圳電路保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管批量定制場(chǎng)效應(yīng)管當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型,。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者,。

場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)好壞:測(cè)電阻法是用萬用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極,、柵極與源極、柵極與漏極,、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞,。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻,，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知,，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的）,，如果測(cè)得阻值大于正常值,，可能是由于內(nèi)部接觸不良,；如果測(cè)得阻值是無窮大，可能是內(nèi)部斷極,。然后把萬用表置于R×10k檔,，再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極,、柵極與漏極之間的電阻值,，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的,；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說明管是壞的。要注意,，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。 場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大,，輸入電流極?。痪w管輸入阻抗很小,，在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大,。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡(jiǎn)稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者,。 場(chǎng)效應(yīng)管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。中山低壓場(chǎng)效應(yīng)管代理品牌

場(chǎng)效應(yīng)管在源極金屬與襯底連在一起時(shí),，源極和漏極可以互換使用,。江門插件場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管非常重要的一個(gè)作用是作開關(guān)作用，作開關(guān)時(shí)候多數(shù)應(yīng)用于各類電子負(fù)載控制,、開關(guān)電源開關(guān)管,，MOS管非常明顯的特性是開關(guān)特性好,，對(duì)于NMOS來說，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,，適合用于源極接地時(shí)的情況,，也就是所謂的低端驅(qū)動(dòng)，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了,。而對(duì)于PMOS來說,，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況,，也就是驅(qū)動(dòng),。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動(dòng),，但由于導(dǎo)通電阻大,，價(jià)格貴，替換種類少等原因,，在驅(qū)動(dòng)中,，通常還是使用NMOS。如下圖是某開關(guān)電源其中一部分電路圖,，在這里的Q1場(chǎng)效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開關(guān)管,。 江門插件場(chǎng)效應(yīng)管

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