柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線,。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí),，漏極電流ID將隨之改變,。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場效應(yīng)管的夾斷電壓Uq,；當(dāng)UGs=0時(shí)，ID的值為場效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss,。在Ugs一定時(shí),，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線,。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性曲線,。由圖可見，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū),、擊穿區(qū)和非飽和區(qū),。起放大作用時(shí)，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）,。注意,，此處的“飽和區(qū)”對應(yīng)普通三極管的“放大區(qū)”。 在振蕩器中,，場效應(yīng)管可以用于產(chǎn)生高頻信號,。在電壓控制器中，F(xiàn)ET可以用于控制電壓的變化,。江蘇J型場效應(yīng)管作用

用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管：首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2,。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來,，對調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來,，兩次測得阻值較大的一次,，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ,。用這種方法判別出來的Ｓ,、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極,；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣,。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后,，按Ｄ,、Ｓ的對應(yīng)位置裝人電路，一般G1,、G2也會(huì)依次對準(zhǔn)位置,，這就確定了兩個(gè)柵極G1,、G2的位置，從而就確定了Ｄ,、S,、G1、G2管腳的順序,。 江蘇J型場效應(yīng)管作用場效應(yīng)管的用途包括放大器,、開關(guān)、振蕩器,、電壓控制器等,。

MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型,。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管,。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,，MOSFET又分增強(qiáng)型,、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),，加上正確的VGS后,，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,，形成導(dǎo)電溝道,。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道,，加上正確的VGS時(shí),，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉(zhuǎn)向截止,。

場效應(yīng)管使用時(shí)應(yīng)注意:（1）器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝,。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起,，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動(dòng),，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件,。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分開,。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極,、源極、柵極,。拆機(jī)時(shí)順序相反,。（6）電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子,，再把電路板接上去,。（7）場效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護(hù)二極管,。在檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞,。 場效應(yīng)管（簡稱FET）是一種半導(dǎo)體器件，其原理是利用半導(dǎo)體材料中的電場控制電流的流動(dòng),。

場效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動(dòng)場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單,。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng),；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速,，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆]有電荷存儲(chǔ)效應(yīng),；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機(jī)理,，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能,。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費(fèi)電子,、工業(yè)產(chǎn)品,、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見,。 場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,，常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。廣東非絕緣型場效應(yīng)管原理

場效應(yīng)管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,。江蘇J型場效應(yīng)管作用

場效應(yīng)管的檢測方法：（1）判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,，并且交換表筆后仍為無窮大,，則證明此腳為G極,，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的,。（2）判定源極S,、漏極D在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正,、反向電阻存在差異,，可識(shí)別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極,。（3）測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路,，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極,，紅表筆接D極,，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同,，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些,。 江蘇J型場效應(yīng)管作用

深圳市盟科電子科技有限公司是我國MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管,，三極管 ,，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器專業(yè)化較早的有限責(zé)任公司之一,，公司始建于2010-11-30,，在全國各個(gè)地區(qū)建立了良好的商貿(mào)渠道和技術(shù)協(xié)作關(guān)系。公司承擔(dān)并建設(shè)完成電子元器件多項(xiàng)重點(diǎn)項(xiàng)目,，取得了明顯的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益,。盟科電子將以精良的技術(shù)、優(yōu)異的產(chǎn)品性能和完善的售后服務(wù),，滿足國內(nèi)外廣大客戶的需求,。