MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試方式(1)．打算工作測(cè)量之前,，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳,。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連接,，使人體與大地維持等電位。再把管腳分離,，然后拆掉導(dǎo)線,。(2)．判斷電極將萬(wàn)用表?yè)苡赗×100檔，首先確定柵極,。若某腳與其它腳的電阻都是無(wú)限大,，驗(yàn)證此腳就是柵極G。交換表筆重測(cè)量,，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐,，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極,，紅表筆接的是S極,。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品,，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極,。(3)．檢驗(yàn)放大能力(跨導(dǎo))將G極懸空,，黑表筆接D極，紅表筆接S極,，然后用指頭觸摸G極,，表針理應(yīng)較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1,、G2,。為區(qū)別之，可用手分別觸摸G1,、G2極,，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)大幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管,，平時(shí)就不需要把各管腳短路了,。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在采用時(shí)應(yīng)留意分類，不能隨心所欲交換,。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿,，用到時(shí)應(yīng)留意以下準(zhǔn)則：(1).MOS器件出廠時(shí)一般而言裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨意拿個(gè)塑料袋裝,。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳聯(lián)接在一起,，或用錫紙包裝。 在開(kāi)關(guān)電路中,，場(chǎng)效應(yīng)管可以用于控制電流的開(kāi)關(guān)狀態(tài),，例如在電源管理電路中控制電源的開(kāi)關(guān)。東莞P溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)商

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,，可以在開(kāi)路狀態(tài)下保存,，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí),，由于它的輸入電阻非常高,，須將各電極短路，以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞,。焊接時(shí),，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子,。對(duì)于少量焊接,，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接,，并且要斷電焊接,。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件,。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值,，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作,。 浙江加強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格在放大器中，場(chǎng)效應(yīng)管可以用于放大音頻信號(hào),、射頻信號(hào)和微波信號(hào),。

取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤來(lái)盛放待用器件,。焊接用的電烙鐵須要不錯(cuò)接地,。在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分離,。MOS器件各引腳的焊接依次是漏極,、源極、柵極,。拆機(jī)時(shí)依次相反,。電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)械的各接線端子,，再把電路板接上來(lái),。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在容許條件下，接入保護(hù)二極管,。在檢修電路時(shí)應(yīng)留意查明原來(lái)的保護(hù)二極管是不是損壞,。JK9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀：是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試設(shè)備，可用于標(biāo)稱電流約在2-85A,，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試,。場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀它可以精確測(cè)量擊穿電壓VDSS、柵極打開(kāi)電壓VGS(th)和放大特點(diǎn)參數(shù)跨導(dǎo)Gfs,，更是是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A,，由于使用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件導(dǎo)致任何損壞,，更可以在大電流狀況下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)展參數(shù)一致性的測(cè)試(配對(duì)),；儀器全然可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性能甚為優(yōu)于的電子元器件耐壓測(cè)試裝置,，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA,、250uA、25uA三擋可以選項(xiàng)。

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通,。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端,，因此,，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí),，開(kāi)關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件,。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流,，即IDSS,。 場(chǎng)效應(yīng)管是一種具有多種應(yīng)用場(chǎng)景和優(yōu)點(diǎn)的半導(dǎo)體器件，在現(xiàn)代電子電路中扮演著非常重要的角色,。

場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)標(biāo)示管的判別:首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,，也就是源極S和漏極D，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2,。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來(lái),，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次，把其測(cè)得電阻值記下來(lái),，兩次測(cè)得阻值較大的一次,，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S,。用這種方法判別出來(lái)的S,、D極,，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣,。當(dāng)確定了漏極D,、源極S的位置后，按D,、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路,，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置,，這就確定了兩個(gè)柵極G1,、G2的位置，從而就確定了D,、S,、G1、G2管腳的順序,。 場(chǎng)效應(yīng)管的失真較小,，音質(zhì)好。東莞P溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)商

場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。東莞P溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)商

場(chǎng)效應(yīng)管判斷跨導(dǎo)的大小:測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對(duì)VMOSV溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí),，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,，這就相當(dāng)于在源,、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開(kāi)路的,，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的,。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時(shí)表內(nèi)電壓較高,。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí),，會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大,，說(shuō)明管的跨導(dǎo)值越高,；如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小，用此法測(cè)時(shí),，反向阻值變化不大,。 東莞P溝耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)商

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