場(chǎng)效應(yīng)管電阻法測(cè)好壞:測(cè)電阻法是用萬用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極,、柵極與源極、柵極與漏極,、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞,。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻,，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知,，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的）,，如果測(cè)得阻值大于正常值,，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無窮大,，可能是內(nèi)部斷極,。然后把萬用表置于R×10k檔,，再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極,、柵極與漏極之間的電阻值,，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的,；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說明管是壞的。要注意,，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè),。 場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID。浙江大功率場(chǎng)效應(yīng)管接線圖

場(chǎng)效應(yīng)管無標(biāo)示管的判別:首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,，也就是源極S和漏極D,，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2,。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次，把其測(cè)得電阻值記下來,，兩次測(cè)得阻值較大的一次,，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S,。用這種方法判別出來的S,、D極，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,，即放大能力大的黑表筆所接的是D極,；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣,。當(dāng)確定了漏極D,、源極S的位置后，按D,、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路,，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置,，這就確定了兩個(gè)柵極G1,、G2的位置，從而就確定了D,、S,、G1,、G2管腳的順序。 無錫V型槽場(chǎng)效應(yīng)管多少錢根據(jù)不同的控制電壓,，場(chǎng)效應(yīng)管可以表現(xiàn)為線性或非線性的電阻特性,，可用于電路中的電阻調(diào)整和分壓電路。

場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)放大能力:用感應(yīng)信號(hào)法具體方法：用萬用表電阻的R×100檔,，紅表筆接源極S,，黑表筆接漏極D，給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值,。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G，將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上,。這樣,，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小,，說明管的放大能力較差,；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大,；若表針不動(dòng),，說明管是壞的。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成,，其中硅是目前常見的,。大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅,、多晶硅,、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET),。有機(jī)晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機(jī)材料制成,。這種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用各種材料制造，例如碳化硅(SiC),、砷化鎵(GaAs),、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs)。2011年6月,，IBM宣布已成功地將石墨烯基場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于集成電路中,。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz，比標(biāo)準(zhǔn)硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管高得多。 V型槽場(chǎng)效應(yīng)管是半導(dǎo)體器件,，主要用于放大和開關(guān)電路中,。

三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件,，可控硅不單單是流控型器件,，稍微復(fù)雜一點(diǎn)。分別介紹,。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件,，可以用作開關(guān)，也可以用作信號(hào)放大,。三極管分為NPN型和PNP型,，當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后，三極管導(dǎo)通,。對(duì)于NPN三極管而言：在基極是高電平時(shí),，三極管導(dǎo)通；在基極是低電平時(shí),，三極管截至,。對(duì)于PNP三極管而言：在基極是高電平時(shí)，三極管截至,；在基極是低電平時(shí),，三極管導(dǎo)通。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件,，與三極管相比較,，其過電流能力會(huì)更大,。MOS管分為NMOS管和PMOS管,。其導(dǎo)通條件不一樣。NMOS管,，在Vgs>0時(shí)導(dǎo)通,，Vgs<><0時(shí)導(dǎo)通，vgs>0截至,；可控硅的控制方式可控硅的控制方式稍微復(fù)雜一點(diǎn),，可控硅共有四個(gè)工作象限，而且可控硅一旦導(dǎo)通,，移除門極觸發(fā)信號(hào)后,，依然導(dǎo)通不會(huì)關(guān)斷?？煽毓璧膶?dǎo)通條件：門極存在滿足條件的觸發(fā)電流,，T1和T2存在大于管壓降的電壓?？煽毓璧慕刂翖l件：門極觸發(fā)信號(hào)移除,，T1和T2之間的電流小于維持電流,。 場(chǎng)效應(yīng)管有三種類型：增強(qiáng)型、耗盡型和開關(guān)型,。江蘇MOS場(chǎng)效應(yīng)管命名

在振蕩器中,，場(chǎng)效應(yīng)管可以用于產(chǎn)生高頻信號(hào)。在電壓控制器中,，F(xiàn)ET可以用于控制電壓的變化,。浙江大功率場(chǎng)效應(yīng)管接線圖

柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線,。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線,。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí)，漏極電流ID將隨之改變,。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓Uq,；當(dāng)UGs=0時(shí)，ID的值為場(chǎng)效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss,。在Ugs一定時(shí),，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線,。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線,。由圖可見，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū),、擊穿區(qū)和非飽和區(qū),。起放大作用時(shí)，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）,。注意,，此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放大區(qū)”。 浙江大功率場(chǎng)效應(yīng)管接線圖

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