VMOS場(chǎng)效應(yīng)管:VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效,、功率開(kāi)關(guān)器件,。它不光繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）,、工作電流大（1.5A～100A）,、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好,、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性,。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器,、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用,。 場(chǎng)效應(yīng)管具有高輸入電阻、低噪聲,、低功耗,、寬動(dòng)態(tài)范圍、易于集成,、無(wú)二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。st場(chǎng)效應(yīng)管作用

用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管：首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ,，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來(lái),，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,，把其測(cè)得電阻值記下來(lái)，兩次測(cè)得阻值較大的一次,，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ,；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來(lái)的Ｓ,、Ｄ極,，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極,；紅表筆所接地是８極,，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極Ｄ,、源極Ｓ的位置后,，按Ｄ、Ｓ的對(duì)應(yīng)位置裝人電路,，一般G1,、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1,、G2的位置,，從而就確定了Ｄ、S,、G1,、G2管腳的順序。 st場(chǎng)效應(yīng)管作用場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō),，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線,。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí),，漏極電流ID將隨之改變,。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓Uq；當(dāng)UGs=0時(shí),，ID的值為場(chǎng)效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss,。在Ugs一定時(shí)，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線,，也稱為漏極特性曲線,。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見(jiàn),，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū),、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí),，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）,。注意，此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放大區(qū)”,。 根據(jù)不同的控制電壓,，場(chǎng)效應(yīng)管可以表現(xiàn)為線性或非線性的電阻特性，可用于電路中的電阻調(diào)整和分壓電路,。

膩流暢的磁性聲,，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲，別有一番霸道氣勢(shì),。在一般的設(shè)計(jì)中場(chǎng)效應(yīng)管特長(zhǎng)沒(méi)有得到充分發(fā)揮,，甚至認(rèn)為聲音偏冷、偏暗,，其實(shí)這不是場(chǎng)效應(yīng)管的原因,。其聲音不好，一方面是人們使用它直接代換晶體管,，晶體管的線路是不能發(fā)揮出場(chǎng)效應(yīng)管的特性的,；另一方面，這些電路通常使用AB類的偏置,。根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性,，在低偏置時(shí)具有嚴(yán)重的非線性，帶來(lái)嚴(yán)重的失真,，解決的辦法是讓其工作在A類狀態(tài),，特別是單端A類，瞬態(tài)特性較好,，音質(zhì)純美,，偶次諧波豐富，音色悅耳動(dòng)聽(tīng),，更具有電子管的醇美音色,。 場(chǎng)效應(yīng)管由源極、漏極和柵極三個(gè)電極組成,，其中柵極與源極之間的電場(chǎng)可以控制漏極和源極之間的電流,。金華全自動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管推薦

場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、電源等,。st場(chǎng)效應(yīng)管作用

場(chǎng)效應(yīng)管在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子,、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,，通常電流也難流動(dòng),。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門極下部附近,，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層,。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,，VGS向負(fù)的方向變化,，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài),。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上,，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分,，這更使電流不能流通,。 st場(chǎng)效應(yīng)管作用

盟科電子,，2010-11-30正式啟動(dòng)，成立了MOSFETs,場(chǎng)效應(yīng)管,，開(kāi)關(guān)二極管,，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO,，集成電路IC 整流器等幾大市場(chǎng)布局,，應(yīng)對(duì)行業(yè)變化，順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展,，在創(chuàng)新中尋求突破,，進(jìn)而提升盟科,MENGKE的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，把握市場(chǎng)機(jī)遇,，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步,。旗下盟科,MENGKE在電子元器件行業(yè)擁有一定的地位，品牌價(jià)值持續(xù)增長(zhǎng),，有望成為行業(yè)中的佼佼者,。我們強(qiáng)化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同，致力于MOSFETs,場(chǎng)效應(yīng)管,，開(kāi)關(guān)二極管,，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO,，集成電路IC 整流器等實(shí)現(xiàn)一體化,，建立了成熟的MOSFETs,場(chǎng)效應(yīng)管，開(kāi)關(guān)二極管,，三極管 ,，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器運(yùn)營(yíng)及風(fēng)險(xiǎn)管理體系,，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn),，擁有一大批專業(yè)人才。公司坐落于深圳市光明新區(qū)鳳凰街道松白路4048號(hào)塘尾社區(qū)寶塘工業(yè)區(qū)A1,、A2棟廠房,，業(yè)務(wù)覆蓋于全國(guó)多個(gè)省市和地區(qū)。持續(xù)多年業(yè)務(wù)創(chuàng)收,，進(jìn)一步為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì),、社會(huì)協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。