MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種,。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型,。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場(chǎng)）控制,，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因,。 場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱FET）是一種半導(dǎo)體器件,，其原理是利用半導(dǎo)體材料中的電場(chǎng)控制電流的流動(dòng)。上海半自動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通,。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）,。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí),，開(kāi)關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件,。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流,，即IDSS,。 臺(tái)州P溝道場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。

場(chǎng)效應(yīng)管判定柵極:用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極,。若兩次測(cè)出的阻值都很大，說(shuō)明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,，可以互換使用,，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐,。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小,，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞,。

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件,，基極必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況,，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管,。場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電,。由于少子的濃度對(duì)溫度,、輻射等外界條件很敏感，因此,，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合,，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開(kāi)關(guān)外,，還可作壓控可變線性電阻使用,。場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用,，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù),。因此，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活,。 場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管:VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管,。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效,、功率開(kāi)關(guān)器件。它不光繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）,、工作電流大（1.5A～100A）,、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好,、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性,。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）,、功率放大器,、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用。 場(chǎng)效應(yīng)管可以用于放大音頻和射頻信號(hào),。江蘇非絕緣型場(chǎng)效應(yīng)管推薦

場(chǎng)效應(yīng)管的作用是放大電信號(hào)或作為開(kāi)關(guān)控制電路中的電流,。上海半自動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成，其中硅是目前常見(jiàn)的,。大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成,。特殊的基體材料包括非晶硅,、多晶硅、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管,、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET),。有機(jī)晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機(jī)材料制成。這種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用各種材料制造,，例如碳化硅(SiC),、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs),。2011年6月,，IBM宣布已成功地將石墨烯基場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于集成電路中。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz,，比標(biāo)準(zhǔn)硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管高得多。 上海半自動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家

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