單個(gè)電力電子器件能承受的正,、反向電壓是一定的,，能通過(guò)的電流大小也是一定的。因此,，由單個(gè)電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制,。所以，在實(shí)用中多用幾個(gè)電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件,，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時(shí),，希望各元件能承受同樣的正,、反向電壓；并聯(lián)時(shí)則希望各元件能分擔(dān)同樣的電流,。但由于器件的個(gè)異性,，串、并聯(lián)時(shí),，各器件并不能完全均勻地分擔(dān)電壓和電流,。所以，在電力電子器件串聯(lián)時(shí),，要采取均壓措施,；在并聯(lián)時(shí)，要采取均流措施,。 電力電子器件工作時(shí)，會(huì)因功率損耗引起器件發(fā)熱,、升溫,。器件溫度過(guò)高將縮短壽命，甚至燒毀,，這是限制電力電子器件電流,、電壓容量的主要原因。為此,，必須考慮器件的冷卻問(wèn)題,。常用冷卻方式有自冷式、風(fēng)冷式,、液冷式(包括油冷式,、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性,。金壇區(qū)口碑好的電子器件銷(xiāo)售商城

為了保持電子元件運(yùn)作的穩(wěn)定性,，通常將它們以合成樹(shù)脂（Resin dispensing）包覆封裝，以提高絕緣與保護(hù)不受環(huán)境的影響,。?[1]? 元件也許是被動(dòng)或有源的（passive or active）：被動(dòng)元件（Passive components）是一種電子元件,，在使用時(shí)它們沒(méi)有任何的增益或方向性,。在電路分析（Network analysis）時(shí)，它們被稱為電力元件（Electrical elements）,。 有源元件（Active components）是一種電子元件,，相對(duì)于被動(dòng)元件所沒(méi)有的，在使用時(shí)它們有增益或方向性,。它們包括了半導(dǎo)體器件與真空管,。 端子與連接器：用于電路連接的裝置 端子（Terminal）： 電子連接器（Connector）：（Closed）、信號(hào)插座（Socket）,、端子臺(tái)（Screw terminal, Terminal Blocks）,、信號(hào)接頭（Header）。鐘樓區(qū)口碑好的電子器件銷(xiāo)售誠(chéng)信服務(wù)電子元件的元件分類(lèi)：電線與開(kāi)關(guān),。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類(lèi)： 1.半控型器件,，例如晶閘管； 2.全控型器件,，例如GTO（門(mén)極可關(guān)斷晶閘管）,、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管）,、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）,； 3.不可控器件，例如電力二極管,。 按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)分類(lèi)： 1.電壓驅(qū)動(dòng)型器件,，例如IGBT、Power MOSFET,、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）,； 2.電流驅(qū)動(dòng)型器件，例如晶閘管,、GTO,、GTR。 根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類(lèi)： 1.脈沖觸發(fā)型,，例如晶閘管,、GTO； 2.電子控制型,，例如GTR,、PowerMOSFET、IGBT,。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類(lèi)： 1.雙極型器件,，例如電力二極管、晶閘管,、GTO,、GTR,； 2.單極型器件，例如PowerMOSFET,、SIT,、肖特基勢(shì)壘二極管； 3.復(fù)合型器件,，例如MCT（MOS控制晶閘管）,、IGBT、SITH和IGCT,。

20世紀(jì)50年代,，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來(lái)的晶閘管,，因其工作可靠,、壽命長(zhǎng)、體積小,、開(kāi)關(guān)速度快,，而在電力電子電路中得到廣fan應(yīng)用。70年代初期,，已逐步取代了汞弧閘流管,。80年代，普通晶閘管的開(kāi)關(guān)電流已達(dá)數(shù)千安,，能承受的正,、反向工作電壓達(dá)數(shù)千伏。在此基礎(chǔ)上,，為適應(yīng)電力電子技術(shù)發(fā)展的需要,，又開(kāi)發(fā)出門(mén)極可關(guān)斷晶閘管、雙向晶閘管,、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管等一系列派生器件,，以及單極型MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,、雙極型功率晶體管、靜電感應(yīng)晶閘管,、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件,。電力電子器件的優(yōu)缺點(diǎn)。

電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單,，工作可靠,； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開(kāi)關(guān)速度高，開(kāi)關(guān)損耗小,，具有耐脈沖電流沖擊的能力,，通態(tài)壓降較低,，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動(dòng),，驅(qū)動(dòng)功率?。蝗秉c(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,，電流容量不及GTO GTR：耐壓高,，電流大，開(kāi)關(guān)特性好,，通流能力強(qiáng),，飽和壓降低；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低,，為電流驅(qū)動(dòng),，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,，存在二次擊穿問(wèn)題 GTO：電壓,、電流容量大，適用于大功率場(chǎng)合,，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),，其通流能力很強(qiáng)；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小,，關(guān)斷時(shí)門(mén)極負(fù)脈沖電流大,，開(kāi)關(guān)速度低，驅(qū)動(dòng)功率大,，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,，開(kāi)關(guān)頻率低 電力MOSFET：開(kāi)關(guān)速度快，輸入阻抗高,，熱穩(wěn)定性好,，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，工作頻率高,，不存在二次擊穿問(wèn)題,；缺點(diǎn)：電流容量小，耐壓低,，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置,。 制約因素：耐壓，電流容量,，開(kāi)關(guān)的速度電子元件的元件分類(lèi)：端子與連接器,。是什么電子器件銷(xiāo)售價(jià)格實(shí)惠

單個(gè)電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,，能通過(guò)的電流大小也是一定的,。金壇區(qū)口碑好的電子器件銷(xiāo)售商城

進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲(chǔ)存效應(yīng)的影響,。70年代中期發(fā)展起來(lái)的單極型MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管， 由于不受少子儲(chǔ)存效應(yīng)的限制,，能夠在兆赫以上的頻率下工作,。這種器件的導(dǎo)通電流具有負(fù)溫度特性，不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,；需要擴(kuò)大電流容量時(shí),，器件并聯(lián)簡(jiǎn)單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動(dòng)功率,；在制造工藝上便于大規(guī)模集成,。但它的通態(tài)壓降較大，制造時(shí)對(duì)材料和器件工藝的一致性要求較高,。到80 年代中,、后期電流容量jin達(dá)數(shù)十安，阻斷電壓近千伏,。金壇區(qū)口碑好的電子器件銷(xiāo)售商城

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