各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性,。功率二極管是二端(陰極和陽(yáng)極)器件,，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外,，無(wú)法控制其陽(yáng)極電流,，故稱不可控器件,。普通晶閘管是三端器件，其門極信號(hào)能控制元件的導(dǎo)通,，但不能控制其關(guān)斷,，稱半控型器件?？申P(guān)斷晶閘管,、功率晶體管等器件，其門極信號(hào)既能控制器件的導(dǎo)通,，又能控制其關(guān)斷,，稱全控型器件。后兩類器件控制靈活,，電路簡(jiǎn)單,，開關(guān)速度快，廣fan應(yīng)用于整流,、逆變,、斬波電路中，是電動(dòng)機(jī)調(diào)速,、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁,、感應(yīng)加熱、電鍍,、電解電源,、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件。這些器件構(gòu)成裝置不jin體積小,、工作可靠,，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%)。功率集成電路指在一個(gè)芯片上把多個(gè)器件及其控制電路集he在一起,。新吳區(qū)環(huán)保電子元件銷售商城

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級(jí),。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件,，推動(dòng)電力電子裝置朝著智能化,、高頻化的方向發(fā)展,。 80年代發(fā)展起來(lái)的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管,，以及各種組合器件,，綜合了晶閘管、 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn),，在性能上又有新的發(fā)展,。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能,，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍,。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時(shí)必須在門極周圍先導(dǎo)通然后逐步橫向擴(kuò)展的過(guò)程,，所以比一般晶閘管有更高的開關(guān)速度,，而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高。這些新器件,，在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求。梁溪區(qū)標(biāo)準(zhǔn)電子元件銷售價(jià)格實(shí)惠電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟,。

進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲(chǔ)存效應(yīng)的影響,。70年代中期發(fā)展起來(lái)的單極型MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管， 由于不受少子儲(chǔ)存效應(yīng)的限制,，能夠在兆赫以上的頻率下工作,。這種器件的導(dǎo)通電流具有負(fù)溫度特性，不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,；需要擴(kuò)大電流容量時(shí),，器件并聯(lián)簡(jiǎn)單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動(dòng)功率,；在制造工藝上便于大規(guī)模集成,。但它的通態(tài)壓降較大，制造時(shí)對(duì)材料和器件工藝的一致性要求較高,。到80 年代中,、后期電流容量jin達(dá)數(shù)十安，阻斷電壓近千伏,。

從60年代到70年代初期,，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路,。這些電路十分廣fan地用在電解,、電鍍、直流電機(jī)傳動(dòng),、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁等整流裝置中,，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比,，不jin體積小、工作可靠,，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%,，從中國(guó)的實(shí)際看，因風(fēng)機(jī)和泵類負(fù)載約占全國(guó)用電量的1/3,，若采用交流電動(dòng)機(jī)調(diào)速傳動(dòng), 可平均節(jié)電20%以上,，每年可節(jié)電400億千瓦時(shí)）,因此電力電子技術(shù)的發(fā)展也越來(lái)越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關(guān)斷晶閘管和功率晶體管,開關(guān)速度快,控制簡(jiǎn)單,，逆導(dǎo)可關(guān)斷晶閘管更兼容了可關(guān)斷晶閘管和快速整流二極管的功能,。它們把電力電子技術(shù)的應(yīng)用推進(jìn)到了以逆變、斬波為中心內(nèi)容的新領(lǐng)域,。這些器件已普遍應(yīng)用于變頻調(diào)速,、開關(guān)電源、靜止變頻等電力電子裝置中,。電子元件的元件分類：電線與開關(guān),。

功率集成電路指在一個(gè)芯片上把多個(gè)器件及其控制電路集he在一起。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流,、高電壓發(fā)展過(guò)程中所積累起來(lái)的各種經(jīng)驗(yàn),，又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點(diǎn)。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積,，因而能夠有效地減少當(dāng)器件處于高頻工作狀態(tài)時(shí)寄生參數(shù)的影響,，這對(duì)提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要。 近期進(jìn)展：2014年,，美國(guó)奧巴馬政fu連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute,，發(fā)展新一代寬禁帶電力半導(dǎo)體器件。電子元件的元件分類：端子與連接器,。江陰口碑好的電子元件銷售網(wǎng)上價(jià)格

從60年代到70年代初期,，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路,。新吳區(qū)環(huán)保電子元件銷售商城

電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單,，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關(guān)速度高,，開關(guān)損耗小,，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低,，輸入阻抗高,，為電壓驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)功率??；缺點(diǎn)：開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大,，開關(guān)特性好,，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低,；缺點(diǎn)：開關(guān)速度低,，為電流驅(qū)動(dòng)，所需驅(qū)動(dòng)功率大,，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,，存在二次擊穿問(wèn)題 GTO：電壓、電流容量大,，適用于大功率場(chǎng)合,，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng),；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小,，關(guān)斷時(shí)門極負(fù)脈沖電流大，開關(guān)速度低,，驅(qū)動(dòng)功率大,，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低 電力MOSFET：開關(guān)速度快,，輸入阻抗高,，熱穩(wěn)定性好,，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,，工作頻率高，不存在二次擊穿問(wèn)題,；缺點(diǎn)：電流容量小,，耐壓低，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置,。 制約因素：耐壓,，電流容量，開關(guān)的速度新吳區(qū)環(huán)保電子元件銷售商城

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