使用本實(shí)施例的芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí),首先在自動(dòng)上料裝置40上放置多個(gè),,tray盤,,每一個(gè)tray盤上均放滿或放置多個(gè)待測(cè)試芯片,同時(shí)在自動(dòng)下料裝置50和不良品放置臺(tái)60上分別放置空的tray盤,。測(cè)試機(jī)啟動(dòng)后,,由移載裝置20從自動(dòng)上料裝置40的tray盤中吸取待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置30進(jìn)行測(cè)試,芯片測(cè)試完成后,,移載裝置20將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置50的空tray盤中,,將不良品移載至不良品放置臺(tái)60的空tray盤中放置。當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的一個(gè)tray盤中的芯片全部完成測(cè)試,,且自動(dòng)下料裝置50的空tray盤中全部裝滿測(cè)試后的芯片后,,移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40的空tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50。本發(fā)實(shí)施例的芯片測(cè)試機(jī)的結(jié)構(gòu)緊湊,,體積較小,,占地面積只為一平米左右,可滿足小批量的芯片測(cè)試需求,。待測(cè)芯片的封裝形式?jīng)Q定了FT測(cè)試,、分選、包裝的不同類型,。安徽正裝LED芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格
芯片測(cè)試設(shè)備結(jié)果及配件:1,、電源測(cè)試儀。電源測(cè)試儀能夠?qū)π酒M(jìn)行電源供應(yīng)的測(cè)試,。一般來說,,電源測(cè)試儀包括直流電源和交流電源兩種類型,。直流電源一般用于芯片測(cè)試中,控制電路使用,。而交流電源則常用于通信協(xié)議的測(cè)試,。2、 邏輯分析儀,。邏輯分析儀是一種常用的數(shù)字電路測(cè)試工具,。通過連接到芯片的引腳,邏輯分析儀可以捕捉芯片輸出的數(shù)字信號(hào),,并將其轉(zhuǎn)換成可視化的波形,。這可以幫助測(cè)試人員判斷芯片是否工作正常,并排查故障,。3. 聲學(xué)顯微鏡,,聲學(xué)顯微鏡可以用來檢測(cè)芯片中的缺陷。聲學(xué)顯微鏡會(huì)將聲音轉(zhuǎn)換為光信號(hào),,這樣測(cè)試人員可以通過觀察芯片表面上的光反射來檢測(cè)芯片中的缺陷,。安徽正裝LED芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格Eflash TEST: 測(cè)試內(nèi)嵌flash的功能及性能,包含讀寫擦除動(dòng)作及功耗和速度等各種參數(shù),。
以下是芯片芯片測(cè)試流程解析:在必備原材料的采集工作完畢之后,,這些原材料中的一部分需要進(jìn)行一些預(yù)處理工作。作為Z主要的原料,,硅的處理工作至關(guān)重要,。首先,硅原料要進(jìn)行化學(xué)提純,,這一步驟使其達(dá)到可供半導(dǎo)體工業(yè)使用的原料級(jí)別,。為了使這些硅原料能夠滿足芯片制造的加工需要,還必須將其整形,,這一步是通過溶化硅原料,,然后將液態(tài)硅注入大型高溫石英容器來完成的。而后,,將原料進(jìn)行高溫溶化為了達(dá)到高性能處理器的要求,整塊硅原料必須高度純凈,,及單晶硅,。
傳統(tǒng)的芯片測(cè)試,一般由測(cè)試廠商統(tǒng)一為芯片生產(chǎn)廠商進(jìn)行測(cè)試,。隨著越來越多的芯片公司的誕生,,芯片測(cè)試需求也日益增多。對(duì)于成熟的大規(guī)模的芯片廠而言,,由于其芯片產(chǎn)量大,,往往會(huì)在測(cè)試廠商的生產(chǎn)計(jì)劃中占據(jù)一定的優(yōu)勢(shì)。而對(duì)于小規(guī)模的芯片廠的小批量芯片而言,其往往在測(cè)試廠的測(cè)試計(jì)劃中無法得到優(yōu)先選擇處理,,從而導(dǎo)致芯片測(cè)試周期變長(zhǎng),。當(dāng)前芯片測(cè)試廠的測(cè)試設(shè)備多為大型設(shè)備,可以滿足大批量的芯片測(cè)試的需求,。如果該大型測(cè)試設(shè)備用于小批量的芯片的測(cè)試,,則會(huì)造成資源的浪費(fèi)。而且現(xiàn)有的大型測(cè)試設(shè)備往往都是多個(gè)測(cè)試單元并行測(cè)試,,以達(dá)到提高測(cè)試效率的目的,,從而導(dǎo)致了該設(shè)備的體積較大,占地空間多,,無法靈活移動(dòng),。一般來說,集成電路更著重電路的設(shè)計(jì)和布局布線,而芯片更看重電路的集成、生產(chǎn)和封裝這三大環(huán)節(jié),。
DC/AC Test,,DC測(cè)試包括芯片Signal PIN的Open/Short測(cè)試,電源PIN的PowerShort測(cè)試,,以及檢測(cè)芯片直流電流和電壓參數(shù)是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格,。AC測(cè)試檢測(cè)芯片交流信號(hào)質(zhì)量和時(shí)序參數(shù)是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。RF Test,,對(duì)于無線通信芯片,,RF的功能和性能至關(guān)重要。CP中對(duì)RF測(cè)試來檢測(cè)RF模塊邏輯功能是否正確,。FT時(shí)還要對(duì)RF進(jìn)行更進(jìn)一步的性能測(cè)試,。其他Function Test,芯片其他功能測(cè)試,,用于檢測(cè)芯片其他重要的功能和性能是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格,。CP測(cè)試的目的就是在封裝前就把壞的芯片篩選出來,以節(jié)省封裝的成本,。同時(shí)可以更直接的知道Wafer 的良率,。CP測(cè)試可檢查fab廠制造的工藝水平。在 IC 設(shè)計(jì)階段時(shí),,將各個(gè)不同的 IC 放在一起制作成一張光罩,,整合在一顆芯片中。廣東全自動(dòng)芯片測(cè)試機(jī)廠商
IC外觀檢測(cè)是對(duì)芯片外部的特征,、標(biāo)識(shí),、尺寸等進(jìn)行檢測(cè)的過程,也是保證IC質(zhì)量和性能的重要手段。安徽正裝LED芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格
動(dòng)態(tài)測(cè)試測(cè)試方法:準(zhǔn)備測(cè)試向量如下(以8個(gè)pin腳為例)在上面示例的向量運(yùn)行時(shí),,頭一個(gè)信號(hào)管腳在第2個(gè)周期測(cè)試,,當(dāng)測(cè)試機(jī)管腳驅(qū)動(dòng)電路關(guān)閉,,動(dòng)態(tài)電流負(fù)載單元開始通過VREF將管腳電壓向+3V拉升,如果VDD的保護(hù)二極管工作,,當(dāng)電壓升至約+0.65V時(shí)它將導(dǎo)通,,從而將VREF的電壓鉗制住,同時(shí)從可編程電流負(fù)載的IOL端吸收越+400uA的電流,。這時(shí)候進(jìn)行輸出比較的結(jié)果將是pass,,因?yàn)?0.65V在VOH(+1.5V)和VOL(+0.2V)之間,即屬于“Z態(tài)”,。如果短路,,輸出比較將檢測(cè)到0V;如果開路,,輸出端將檢測(cè)到+3V,,它們都會(huì)使整個(gè)開短路功能測(cè)試結(jié)果為fail。注:走Z測(cè)試的目的更主要的是檢查是否存在pin-to-pin的短路,。安徽正裝LED芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格