形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結(jié)構(gòu)加工需要高精度圖案定位,。Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)定位精度,，幫助科研團(tuán)隊(duì)在鎳鈦合金薄膜上刻制出復(fù)雜驅(qū)動(dòng)電路，成功制備出微型可編程抓手,。該抓手在 40℃溫場(chǎng)中可實(shí)現(xiàn) 0.1mm 行程的precise控制,，抓取力達(dá) 50mN，較傳統(tǒng)微加工方法性能提升 50%,。該技術(shù)被應(yīng)用于微納操作機(jī)器人,，在單細(xì)胞膜片鉗實(shí)驗(yàn)中成功率從 40% 提升至 75%，為細(xì)胞級(jí)precise操作提供了關(guān)鍵工具,。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì),。高頻元件驗(yàn)證：成功開(kāi)發(fā)射頻器件與IDC電容器,，加速?lài)?guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。重慶光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

某集成電路實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片,。其激光直寫(xiě)技術(shù)在二氧化硅基底上實(shí)現(xiàn)了 100nm 間距的電極陣列,，器件的讀寫(xiě)速度達(dá) 10ns，較傳統(tǒng) SRAM 提升 100 倍,。通過(guò)在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料,，芯片實(shí)現(xiàn)了計(jì)算與存儲(chǔ)的原位融合,，能效比達(dá) 1TOPS/W，較傳統(tǒng)馮?諾依曼架構(gòu)提升 1000 倍,。該技術(shù)被用于邊緣計(jì)算設(shè)備,，使圖像識(shí)別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關(guān)芯片已進(jìn)入小批量試產(chǎn)階段,。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體,、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì),。河北P(pán)SP光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸Polos-BESM：基礎(chǔ)款高性?xún)r(jià)比,，適合高校實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)微納加工。

某材料實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)圖案化能力,，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層,。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達(dá) 165°,，滾動(dòng)角小于 3°,。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍,。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實(shí)現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合,，被用于微流控芯片的液滴定向輸運(yùn)，液滴驅(qū)動(dòng)電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3,。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

上海有機(jī)化學(xué)研究所通過(guò)光刻技術(shù)制備多組分納米纖維,，實(shí)現(xiàn)了功能材料的精確組裝,。類(lèi)似地,，Polos系列設(shè)備可支持此類(lèi)結(jié)構(gòu)的可控加工,，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復(fù)性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性,。掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用,。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì),。多材料兼容性：同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬,，微流控芯片集成電極與通道一步成型。

某分析化學(xué)實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了集成電化學(xué)傳感器的微流控芯片,。其多材料同步曝光技術(shù)在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極,，傳感器的檢測(cè)限達(dá) 1nM，較傳統(tǒng)電化學(xué)工作站提升 100 倍,。通過(guò)軟件輸入不同圖案,，可在 24 小時(shí)內(nèi)完成從葡萄糖檢測(cè)到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時(shí)檢測(cè)（POCT）設(shè)備,，使現(xiàn)場(chǎng)水質(zhì)監(jiān)測(cè)時(shí)間從 2 小時(shí)縮短至 10 分鐘,，相關(guān)設(shè)備已通過(guò)歐盟 CE 認(rèn)證。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。技術(shù)Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動(dòng)無(wú)掩模光刻技術(shù)普及,。遼寧光刻機(jī)不需要緩慢且昂貴的光掩模

光學(xué)超材料突破：光子晶體結(jié)構(gòu)precise制造,，賦能超透鏡與隱身技術(shù)研究。重慶光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時(shí),，Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復(fù)制,。某光電實(shí)驗(yàn)室使用該設(shè)備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列,，模板的圖案保真度達(dá) 99.8%,，邊緣缺陷率低于 0.1%?；诖四０迳a(chǎn)的柔性 OLED 背光模組,，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm,，成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機(jī),，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案,。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng),。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域,。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。重慶光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米