可控硅可控硅簡(jiǎn)稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用,。晶閘管又名可控硅,，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件,，由于它效率高,，控制特性好，壽命長(zhǎng),，體積小等優(yōu)點(diǎn),，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái),，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科,?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到,，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好，成品率大幅提高,，并向高壓大電流發(fā)展,。目前國(guó)內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A，國(guó)外更大,。我國(guó)的韶山電力機(jī)車上裝載的都是我國(guó)自行研制的大功率晶閘管,。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同二極管整流一樣,，可以把交流整流為直流,。淄博正高電氣以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展,！北京雙向可控硅調(diào)壓模塊報(bào)價(jià)

根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元,、器件數(shù)量，可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路,、中規(guī)模集成(MSI)電路,、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成VLSI電路和特大規(guī)模集成ULSI)電路,。在這3種故障中，前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高,；后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定,。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件,，用來(lái)作為質(zhì)量輕,、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開關(guān)。在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁(yè),。但是,，這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開發(fā)成功的同時(shí),，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出,，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn),。此后,，人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想,。隨著無(wú)缺點(diǎn)結(jié)晶和缺點(diǎn)控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù),、耐壓氧化膜的制備技術(shù),、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模,、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。主播形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體工業(yè),。北京進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊型號(hào)淄博正高電氣我們將用穩(wěn)定的質(zhì)量,，合理的價(jià)格，良好的信譽(yù),。

雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,，也稱雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件,，由于雙向可控硅沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，控制電路簡(jiǎn)單,，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用,。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中,，其觸發(fā)電路的抗干擾問(wèn)題很重要,，通常都是通過(guò)光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號(hào)加載到可控硅的控制極,。為減小驅(qū)動(dòng)功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾,，交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過(guò)零觸發(fā)電路。（過(guò)零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通,，由于采用過(guò)零觸發(fā),，因此需要正弦交流電過(guò)零檢測(cè)電路）雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅,，四象限可控硅其導(dǎo)通條件如下圖：總的來(lái)說(shuō)導(dǎo)通的條件就是：G極與T1之間存在一個(gè)足夠的電壓時(shí)并能夠提供足夠的導(dǎo)通電流就可以使可控硅導(dǎo)通,，這個(gè)電壓可以是正、負(fù),，和T1,、T2之間的電流方向也沒(méi)有關(guān)系。因?yàn)殡p向可控硅可以雙向?qū)?，所以沒(méi)有正極負(fù)極,，但是有T1、T2之分雙向可控硅觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)方案雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,，也稱雙向晶閘管,，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件，由于雙向可控硅沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},，控制電路簡(jiǎn)單,，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用。

會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞,，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,，就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損,，下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因,?？煽毓枘K對(duì)過(guò)電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí),，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí),，可控硅模塊會(huì)立即損壞,。因此,，需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法,。過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化,，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),，由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類型,，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓,。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,，對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn),。開關(guān)的開啟和關(guān)閉引起的脈沖電壓分為以下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過(guò)電壓如交流開關(guān)分合,、交流側(cè)熔斷器熔斷等引起的過(guò)電壓,，由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振回路,、電容分壓等原因,，這些過(guò)電壓值是正常值的2～10倍以上,。一般來(lái)說(shuō)，開閉速度越快,，過(guò)電壓越高,，則在無(wú)負(fù)載下斷開晶閘管模塊時(shí)過(guò)電壓就越高。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如,，如果切斷電路的電感較大,。淄博正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。

為何要晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò),？它的作用是什么呢,？晶閘管模塊在電路中具有不可或缺的作用，您也許聽過(guò)晶閘管模塊的作用,、優(yōu)勢(shì),、應(yīng)用范圍等等，您聽過(guò)晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)的作用是什么嗎,？接下來(lái)正高電氣就來(lái)為您介紹為何要晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò),？它的作用是什么呢？在實(shí)際晶閘管模塊電路中,，常在其兩端并聯(lián)rc串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為rc阻容吸收電路,。我們知道,，晶閘管模塊有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管模塊在額定結(jié)溫和門極斷路條件下,，使晶閘管模塊從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的較低電壓上升率,。若電壓上升率過(guò)大，超過(guò)了晶閘管模塊的電壓上升率的值,，則會(huì)在無(wú)門極信號(hào)的情況下開通,。即使此時(shí)加于晶閘管模塊的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況,。因?yàn)榫чl管模塊可以看作是由三個(gè)pn結(jié)組成,。在晶閘管模塊處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近,，其j2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容c0,。當(dāng)晶閘管陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過(guò)電容c0,，并通過(guò)j3結(jié),，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管模塊在關(guān)斷時(shí),，陽(yáng)極電壓上升速度太快,，則c0的充電電流越大,。就有可能造成門極在沒(méi)有觸發(fā)信號(hào)的情況下，晶閘管誤導(dǎo)通現(xiàn)象,，即常說(shuō)的硬開通,。淄博正高電氣建立雙方共贏的伙伴關(guān)系是我們孜孜不斷的追求。寧夏三相可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)

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隨著科技與社會(huì)的不斷發(fā)展，智能晶閘管模塊越來(lái)越被大眾所認(rèn)知,，因?yàn)樗跈C(jī)器上也發(fā)揮著重要的作用,，所以在行業(yè)的應(yīng)用中也是越來(lái)越多，接觸比較早的使用過(guò)它的肯定是在熟悉不過(guò)了,，但是對(duì)于剛接觸它的來(lái)講,，肯定是很陌生的，所以在使用上肯定就是有點(diǎn)困難的,。那么就由淄博正高電氣有限公司的小編帶大家去了解下使用方法吧,。1.首先要先保證com端必須為正，各個(gè)功能端相對(duì),，如果com的功能端相對(duì)是負(fù)極,，則會(huì)出現(xiàn)調(diào)壓的輸出端出現(xiàn)失控的的情況。2.智能晶閘管調(diào)壓模塊它的正極性就是各個(gè)功能端的控制,，意思就是控制電壓越高,，它的強(qiáng)電輸出電路就越高。3.晶閘管模塊屬于受信號(hào)所控制的,，他是在某一個(gè)時(shí)刻使用的一種輸入控制方式,，當(dāng)2種方式同時(shí)出現(xiàn)輸入的情況下，它則會(huì)傾向于信號(hào)比較強(qiáng)的那一種,，并且起到一定的作用4.晶閘管它是根據(jù)實(shí)際使用的電流而去選擇的,，它的晶閘管調(diào)壓模塊的電源是屬于上進(jìn)下出的，它的導(dǎo)線的粗細(xì)則是按照粗細(xì)的實(shí)際使用的電流去選擇的,。5.如果發(fā)生過(guò)流的情況,，我們可以去檢查一下負(fù)載有沒(méi)有短路的故障6.智能晶閘管模塊在使用過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱的情況，所以這個(gè)調(diào)壓模塊必須要配合散熱器去使用,，或者說(shuō)是在安裝過(guò)程中,。北京雙向可控硅調(diào)壓模塊報(bào)價(jià)

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