如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,，那么,，在電壓過零時(shí),，晶閘管會(huì)自行關(guān)斷,?？煽毓枋荘1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個(gè)PN結(jié),，分析原理時(shí),，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如圖1所示當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí),，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號,，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大,，其集電極電流ic2=β2ib2,。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2,。此時(shí),，電流ic2再經(jīng)BG1放大,，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極,，表成正反饋,，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,，兩個(gè)管子的電流劇增,，可控硅使飽和導(dǎo)通。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后,，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的,。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,，此條件見表1三,、用萬用表可以區(qū)分晶閘管的三個(gè)電極嗎?怎樣測試晶閘管的好壞呢?普通晶閘管的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。淄博正高電氣以發(fā)展求壯大,，就一定會(huì)贏得更好的明天,。福建雙向晶閘管移相調(diào)壓模塊廠家

面板上所有發(fā)光二極管VD1－VD8均不亮，電風(fēng)扇不轉(zhuǎn),。若這時(shí)每按動(dòng)一次風(fēng)速選擇鍵SB3,，可依次從IC的11－13腳輸出控制電平（脈沖信號），經(jīng)發(fā)光管VDl－VD3和限流電阻R2－R4,，分別觸發(fā)雙向晶閘管VS1－VS3的G極,，用以控制它的導(dǎo)通與截止，再經(jīng)電抗器L進(jìn)行阻抗變換,，即可按強(qiáng)風(fēng),、中風(fēng)、弱風(fēng),、強(qiáng)風(fēng)……的順序來改變其工作狀態(tài),，并且風(fēng)速指示管VD1－VD3（紅色）對應(yīng)點(diǎn)亮或熄滅；當(dāng)按風(fēng)型選擇鍵SB4,，電風(fēng)扇即按連續(xù)風(fēng)（常風(fēng)）,、陣風(fēng)（模擬自然風(fēng)）、連續(xù)風(fēng)……的方式循環(huán)改變其工作狀態(tài)，在連續(xù)風(fēng)狀態(tài)下,，風(fēng)型指示管VD4（黃色）熄滅,，在陣風(fēng)狀態(tài)下，VD4閃光,；當(dāng)按動(dòng)定時(shí)時(shí)間選擇鍵SB2,，定時(shí)指示管VD5－VD8依次對應(yīng)點(diǎn)亮或熄滅，即每按動(dòng)一次SB2,，可選擇其中一種定時(shí)時(shí)間,，共有、l,、2,、4小時(shí)和不定時(shí)5種工作方式供選擇。當(dāng)定時(shí)時(shí)間一到,，IC內(nèi)部的定時(shí)電路停止工作,，相應(yīng)的定時(shí)指示管熄滅同時(shí)IC的11－13腳也無控制信號輸出，雙向晶閘管VS1－VS3截止,，從而導(dǎo)致風(fēng)扇自動(dòng)停止運(yùn)轉(zhuǎn),；在風(fēng)扇不定時(shí)工作時(shí)，欲停止風(fēng)扇轉(zhuǎn)動(dòng),，只要按動(dòng)一下復(fù)位開關(guān)SB1,，所有指示燈熄滅，電源被切斷,，風(fēng)扇停轉(zhuǎn),；如欲啟動(dòng)風(fēng)扇，照上述方法操作即可,。元器件選擇與制作圖中除降壓電容C1用優(yōu)良的CBB-400V聚苯電容,。福建雙向晶閘管移相調(diào)壓模塊廠家淄博正高電氣與廣大客戶攜手并進(jìn)，共創(chuàng)輝煌,！

現(xiàn)代照明設(shè)計(jì)要求規(guī)定，照明系統(tǒng)中的功率因數(shù)必須達(dá)到,，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在,，所以都設(shè)計(jì)用電容補(bǔ)償功率因數(shù)）在國外發(fā)達(dá)國家，已有明文規(guī)定對電氣設(shè)備諧波含量的限制,，在國內(nèi),，北京、上海,、廣州等大城市,，已對諧波含量超標(biāo)的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進(jìn)行照度控制時(shí)，可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染,。近年來,，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等,。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺照明,、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系統(tǒng)中使用的各種調(diào)光器實(shí)質(zhì)上就是一個(gè)交流調(diào)壓器,，老式的變壓器和變阻器調(diào)光是采用調(diào)節(jié)電壓或電流的幅度來實(shí)現(xiàn)的,，如下圖所示。u1是未經(jīng)調(diào)壓的220V交流電的波形,，經(jīng)調(diào)壓后的電壓波形為u2,，由于其幅度小于u1，使燈光變暗,。在這種調(diào)光模式中,，雖然改變了正弦交流電的幅值，但并未改變其正弦波形的本質(zhì),。與變壓器,、電阻器相比，可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機(jī)理,，它是采用相位控制方法來實(shí)現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的,。對于普通反向阻斷型可控硅。

可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的,。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,。2,觸發(fā)導(dǎo)通在控制極G上加入正向電壓時(shí)（見圖5）因J3正偏,，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū),，形成觸發(fā)電流IGT,。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔茫ㄒ妶D2）的基礎(chǔ)上，加上IGT的作用,，使可控硅提前導(dǎo)通,，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移,，IGT越大，特性左移越快,。一,、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？晶閘管又叫可控硅,。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管,、光控晶閘管,、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管,、快速晶閘管,，等等。大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié),，對外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕：層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到,，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G,，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性,。淄博正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì),！

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector）,，它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通,。反之,，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管,。淄博正高電氣始終堅(jiān)持以人為本,，恪守質(zhì)量為金，同建雄績偉業(yè),。貴州三相晶閘管移相調(diào)壓模塊分類

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以上六個(gè)端口為模塊基本端口，其它端口為特殊端口,，只在具有多功能產(chǎn)品中使用,，普通調(diào)壓產(chǎn)品其余腳為空腳。4,、各引腳功能與控制線顏色對照表引腳功能腳號與對應(yīng)的引線顏色5芯接插件9芯接插件15芯接插件+12V5(紅色)1(紅色)1(紅色)GND4(黑色)2(黑色)2(黑色)GND13(黑色)3(黑白雙色)3(黑白雙色)CON10V2(中黃)4(中黃)4(中黃)TESTE1(橙色)5(橙色)5(橙色)CON20mA9(棕色)9(棕色)5,、滿足模塊工作的必要條件模塊使用中必須具有以下條件：（1）、+12V直流電源：模塊內(nèi)部控制電路的工作電源,。①輸出電壓要求：+12V電源：12±,，紋波電壓小于20mv。②輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞,，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞1A,。（2）,、控制信號：0～10V或4～20mA控制信號，用于對輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號,，正極接CON10V或CON20mA,，負(fù)極接GND1。（3）,、供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源,，電壓460V以下的或者供電變壓器，接模塊的輸入端子,；負(fù)載為用電器,，接模塊的輸出端子。6,、導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的大電流有直接關(guān)系,，模塊的標(biāo)稱電流是大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的大電流。在小導(dǎo)通角,。福建雙向晶閘管移相調(diào)壓模塊廠家

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