是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的，它的型號,，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規(guī)格,、型號,、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2,、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí),，電極引腳向下，面對標(biāo)有字符的一面),。市場上*常見的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列,。關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移,。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí),，雙向可控硅（晶閘管）開始換向，但由于相移的關(guān)系,，電壓將不會(huì)是零,。所以要求可控硅（晶閘管）要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過允許值時(shí),，就沒有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅（晶閘管）回到導(dǎo)通狀態(tài)。淄博正高電氣產(chǎn)品**國內(nèi),。北京交流晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

常把交流電的半個(gè)周期定為180,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流。在橋式整流電路中,，把二極管都換成晶閘管是不是就成了可控整流電路了呢,？在橋式整流電路中，只需要把兩個(gè)二極管換成晶閘管就能構(gòu)成全波可控整流電路了?，F(xiàn)在畫出電路圖和波形圖,，就能看明白了。晶閘管控制極所需的觸發(fā)脈沖是怎么產(chǎn)生的呢,？晶閘管觸發(fā)電路的形式很多,，常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等。大家制作的調(diào)壓器,，采用的是單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,。什么是單結(jié)晶體管？它有什么特殊性能呢,？單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管,，是由一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極構(gòu)成的半導(dǎo)體器件。我們先畫出它的結(jié)構(gòu)示意圖,。在一塊N型硅片兩端,，制作兩個(gè)電極,，分別叫做基極B1和第二基極B2,；硅片的另一側(cè)靠近B2處制作了一個(gè)PN結(jié)。北京交流晶閘管移相調(diào)壓模塊組件誠摯的歡迎業(yè)界新朋老友走進(jìn)淄博正高電氣,！

可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中,，在電路中經(jīng)常會(huì)見到可控硅模塊的身影，由此可見它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大,，可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路,，但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件，下面正高電氣帶您來看看這三個(gè)條件是什么,？一,、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流,，必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值,，并且留有足夠的余量。另外,，由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過程的,，也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間，不是一觸即通,，只有當(dāng)可控硅的陽極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流IL以上時(shí),，管子才能導(dǎo)通，所以觸發(fā)脈沖信號應(yīng)有一定的寬度才能保證被觸發(fā)的可控硅可靠導(dǎo)通,。例如：一般可控硅的導(dǎo)通時(shí)間在6μs左右,，故觸發(fā)脈沖的寬度至少在6μs以上，一般取20～50μs,，對于大電感負(fù)載,，由于電流上升較慢，觸發(fā)脈沖寬度還應(yīng)加大,，否則脈沖終止時(shí)主回路電流還未上升到可控硅的擎任電流以上,，則可控硅又重新關(guān)斷,，所以脈沖寬度下應(yīng)小于300μs，通常取1ms,，相當(dāng)廣50Hz正弦波的18電角度,。

可控硅模塊又叫晶閘管。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,，它的主要成員有單向晶閘管,、雙向晶閘管、光控晶閘管,、逆導(dǎo)晶閘管,、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,，等等,。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,，有三個(gè)PN結(jié)，對外有三個(gè)電極：層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性,。用萬用表可以區(qū)分可控硅模塊的三個(gè)電極普通晶閘管的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R100擋位來測,。大家知道，晶閘管G,、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕,，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極,、K為負(fù)極,，所以，按照測試二極管的方法,，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,，測它的正、反向電阻,，電阻小時(shí),，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽極A了,。測試晶閘管的好壞,，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB,，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的,。淄博正高電氣迎接挑戰(zhàn),，推陳出新，與廣大客戶攜手并進(jìn),，共創(chuàng)輝煌,！

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管,。它具有體積小、效率高,、壽命長等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器,、開關(guān)電源、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。公司生產(chǎn)工藝得到了長足的發(fā)展，優(yōu)良的品質(zhì)使我們的產(chǎn)品****各地,。江蘇恒壓晶閘管移相調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

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以上六個(gè)端口為模塊基本端口，其它端口為特殊端口,，只在具有多功能產(chǎn)品中使用,，普通調(diào)壓產(chǎn)品其余腳為空腳。導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的大電流有直接關(guān)系,，模塊的標(biāo)稱電流是大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的大電流,。在小導(dǎo)通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大,，但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。?，但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀,。因此，模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角的65％以上工作,，及控制電壓應(yīng)在5V以上,。模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素,，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I>KI負(fù)載U大MU實(shí)際K：安全系數(shù),，阻性負(fù)載K=,，感性負(fù)載K=2；I負(fù)載：負(fù)載流過的大電流；U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓,；U大：模塊能輸出的大電壓,；（三相整流模塊為輸入電壓的，單相整流模塊為輸入電壓的,，其余規(guī)格均為）,；I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。北京交流晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

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