1.用指針式萬用表電阻檔測量可控硅陽極和陰極之間是否短路,，一般情況下雙向可控硅陽極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上,，如用萬用表測量時已短路或電阻已小于10千歐以下，可判斷可控硅已擊穿損壞,。2.用萬用表分別測量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值，一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常,，觸發(fā)極與陽極之間的電阻值,，一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通，必須滿足以下條件：雙向晶閘管導(dǎo)通條件：一是晶閘管(可控硅)陽極與陰極間必須加正向電壓,，二是控制極也要加正向電壓,。以上兩個條件必須同時具備，晶閘管(可控硅)才會處于導(dǎo)通狀態(tài),。另外,，晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,，晶閘管(可控硅)仍然導(dǎo)通,。雙向晶閘管(可控硅)關(guān)斷條件：降低或去掉加在晶閘管(可控硅)陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下,。淄博正高電氣運(yùn)用高科技,，不斷創(chuàng)新為企業(yè)經(jīng)營發(fā)展的宗旨。三相可控硅調(diào)壓模塊功能

當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時,，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時,，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導(dǎo)通。三相可控硅調(diào)壓模塊批發(fā)淄博正高電氣多方位滿足不同層次的消費(fèi)需求,。

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO,、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL,、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF,、通態(tài)平均電流IT,、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG,、門極反向電壓和維持電流IH等,。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓,、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時所對應(yīng)的峰值電壓,。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時,，允許加在A,、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓,。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值,。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,，晶閘管正常工作時A,、K(或T1,、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下,，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時反對應(yīng)的峰值電壓,。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM,，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A,、K極間的大反向峰值電壓,。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。,。

可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多,?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN結(jié),。可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時,，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,?？煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅婧唵畏治隹煽毓璧墓ぷ髟??？梢园褟年帢O向上數(shù)的、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2。淄博正高電氣品質(zhì)好,、服務(wù)好,、客戶滿意度高。

就組成了一個簡單實(shí)用的大功率無級調(diào)速電路,。這個電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產(chǎn)生,，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,，增大R2的阻值到一定程度，便可使兩個主可控硅阻斷,，因此R2還可起開關(guān)的作用,。該電路的另一個特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通，一個的正向壓降就是另一個的反向壓降,，因此不存在反向擊穿問題,。但當(dāng)外加電壓瞬時超過阻斷電壓時，SCR1,、SCR2會誤導(dǎo)通,，導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路,，其原理這里從略,。SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊（110A／1000V）,，SCR3選用BTl36,，即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負(fù)載,，應(yīng)增加R4,，C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過壓保護(hù)，防止負(fù)載斷開和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅,?？煽毓枵{(diào)壓器電路圖（五）一種吸塵器使用可控硅元件構(gòu)成調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖（六）這個電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源可控硅調(diào)壓器電路圖（七）一種大功率直流電機(jī)調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖（八）使用一個負(fù)溫度系數(shù)（NTC）的熱敏電阻。淄博正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升,。德州可控硅調(diào)壓模塊功能

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可控硅模塊裝置中產(chǎn)生過電流保護(hù)的原因有很多，是多種多樣的,，那么它采用的保護(hù)措施有哪些,？下面可控硅模塊廠家?guī)黄饋砜聪隆,？煽毓枘K產(chǎn)生出的過電流的原因有很多種,，當(dāng)變流裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)元件損壞、控制或者觸發(fā)系統(tǒng)之間發(fā)生的一些故障,、可逆?zhèn)鲃迎h(huán)流過大或逆變失敗、交流電壓過高或過低或缺相,、負(fù)載過載等原因,，都會引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過正常的工作電流。由于可控硅模塊的過流比一般的電氣設(shè)備的能力要低得多,，因此,，我們必須采取防過電流保護(hù)可控硅模塊的措施。接下來可控硅生產(chǎn)廠家正高為大家詳細(xì)講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過電流保護(hù)管理措施：1,、交流進(jìn)線串接漏電阻大的整流變壓器,，利用短路電流受電抗限制，但交流電流大時會存在交流壓降,。2,、電檢測和過電流檢測繼電器電流與設(shè)定值進(jìn)行比較，當(dāng)取樣電流超過設(shè)定值時,，比較器輸出信號使所述相移角增加以減小電流或拉逆變器相比較,。有時一定要停止。3,、直流快速開關(guān)對于變流裝置功率大且短路可能性較多的場合,，可采用動作時間只有2ms的直流快速開關(guān)，它可以先于快速熔斷器斷開,。從而保護(hù)了可控硅模塊,，但價格昂貴所以使用不多。4,、將快速熔斷器與普通熔斷器進(jìn)行對比,。三相可控硅調(diào)壓模塊功能