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掘進(jìn)機(jī)的多樣類型與廣闊市場(chǎng)前景
怎么樣對(duì)掘進(jìn)機(jī)截割減速機(jī)進(jìn)行潤(rùn)滑呢,?
哪些因素會(huì)影響懸臂式掘進(jìn)機(jī)配件的性能,?
懸臂式掘進(jìn)機(jī)常見(jiàn)型號(hào)
懸臂式掘進(jìn)機(jī)的相關(guān)介紹及發(fā)展現(xiàn)狀
掘錨機(jī)配件的檢修及維護(hù)
此在確認(rèn)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)耦合不過(guò)的前提下,可依次排除B殼天線,、KB板和同軸線等內(nèi)部結(jié)構(gòu)的故障進(jìn)行維修,。若以上一一排除,則是主板參數(shù)校準(zhǔn)的問(wèn)題,,或者說(shuō)是主板硬件存在故障,。耦合天線的種類比較多,有塔式,、平板式,、套筒式,常用的是自動(dòng)硅光芯片硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng),。為防止外部環(huán)境的電磁干擾搭載屏蔽箱,,來(lái)提高耦合直通率,。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的,我們的客戶非常關(guān)注此工位測(cè)試的嚴(yán)謹(jǐn)性,,硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要控制“信號(hào)弱”,,“易掉話”,“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”,,“不能接聽(tīng)”等不良機(jī)流向市場(chǎng),。一般模擬用戶環(huán)境對(duì)設(shè)備EMC干擾的方法與實(shí)際使用環(huán)境存在較大差異,所以“信號(hào)類”返修量一直占有較大的比例,。端面耦合方案一,在硅光芯片的端面處進(jìn)行刻蝕,形成v型槽陣列,。震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中應(yīng)用到的硅光芯片是將硅光材料和器件通過(guò)特殊工藝制造的集成電路,主要由光源,、調(diào)制器,、探測(cè)器、無(wú)源波導(dǎo)器件等組成,,將多種光器件集成在同一硅基襯底上,。硅光芯片的具有集成度高、成本低,、傳輸帶寬更高等特點(diǎn),,因?yàn)楣韫庑酒怨枳鳛榧尚酒囊r底,所以能集成更多的光器件,;在光模塊里面,,光芯片的成本非常高,但隨著大規(guī)模生產(chǎn)的實(shí)現(xiàn),,硅光芯片的低成本成了巨大優(yōu)勢(shì),;硅光芯片的傳輸性能好,因?yàn)楣韫獠牧险凵渎什罡?,可以?shí)現(xiàn)高密度的波導(dǎo)和同等面積下更高的傳輸帶寬,。四川振動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)公司IC測(cè)試架是一種檢測(cè)和診斷集成電路的設(shè)備,它可以通過(guò)模擬信號(hào)的方式,,檢測(cè)集成電路的功能和性能,。
針對(duì)不同的硅光芯片結(jié)構(gòu),我們提出并且實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了兩款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均勻光柵的垂直耦合器,在實(shí)驗(yàn)中,我們得到了超過(guò)60%的光纖-波導(dǎo)耦合效率,。此外,我們還開(kāi)發(fā)了一款用以實(shí)現(xiàn)硅條形波導(dǎo)和狹縫波導(dǎo)之間高效耦合的新型耦合器應(yīng)用的系統(tǒng)主要是硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng),理論設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都證明該耦合器可以實(shí)現(xiàn)兩種波導(dǎo)之間的無(wú)損光耦合,。為了消除硅基無(wú)源器件明顯的偏振相關(guān)性,我們首先利用一種特殊的三明治結(jié)構(gòu)波導(dǎo),通過(guò)優(yōu)化多層結(jié)構(gòu),成功消除了一個(gè)超小型微環(huán)諧振器中心波長(zhǎng)的偏振相關(guān)性。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是一種應(yīng)用雙波長(zhǎng)的微波光子頻率測(cè)量設(shè)備,以及一種微波光子頻率測(cè)量設(shè)備的校正方法和基于此設(shè)備的微波頻率測(cè)量方法,。在微波光子頻率測(cè)量設(shè)備中,本發(fā)明采用獨(dú)特的雙環(huán)耦合硅基光子芯片結(jié)構(gòu),可以形成兩個(gè)不同深度的透射譜線,。該系統(tǒng)采用一定的校準(zhǔn)方法,預(yù)先得到微波頻率和兩個(gè)電光探測(cè)器光功率比值的函數(shù),測(cè)量過(guò)程中,得到兩個(gè)電光探測(cè)器光功率比值后,直接采用查表法得到微波頻率。該系統(tǒng)將多個(gè)光學(xué)器件集成在硅基光學(xué)芯片上,從整體上減小了設(shè)備的體積,提高系統(tǒng)的整體可靠性,。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)針對(duì)不同測(cè)試件產(chǎn)品的各種應(yīng)用定制解決方案,。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng),,該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng),、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng),、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場(chǎng)環(huán)境下的宏/微觀變形測(cè)量子系統(tǒng)五個(gè)子系統(tǒng)組成,。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻,,實(shí)現(xiàn)無(wú)液氦制冷,并通過(guò)傳導(dǎo)冷方式對(duì)杜瓦內(nèi)的試樣機(jī)磁體進(jìn)行降溫,。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):1,、可視化杜瓦,可實(shí)現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測(cè)試根據(jù)測(cè)試,。2,、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場(chǎng)。3,、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)采用大功率超導(dǎo)電源對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行電流加載,,較大可實(shí)現(xiàn)1000A的測(cè)試電流。4,、該測(cè)量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸,,不受強(qiáng)磁場(chǎng)、大電流及極低溫的影響和干擾,,能夠高精度的測(cè)量待測(cè)試樣的三維或二維的全場(chǎng)測(cè)量,。硅光芯片耦合測(cè)試該測(cè)量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸,不受強(qiáng)磁場(chǎng),、大電流及極低溫的影響和干擾,。廣東硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)機(jī)構(gòu)
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處:接口和集成方便。震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)
在光芯片領(lǐng)域,,芯片耦合封裝問(wèn)題是光子芯片實(shí)用化過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題,,芯片性能的測(cè)試也是至關(guān)重要的一步驟,現(xiàn)有的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動(dòng)微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光,,并依靠對(duì)輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控,再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試,。芯片測(cè)試則是將測(cè)試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起,,形成一個(gè)測(cè)試站。具體的,,所有的測(cè)試設(shè)備通過(guò)光纖,,設(shè)備連接線等連接成一個(gè)測(cè)試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過(guò)光纖連接到光功率計(jì),,就可以測(cè)試光芯片的發(fā)端光功率,。將光芯片的發(fā)射端通過(guò)光線連接到光譜儀,,就可以測(cè)試光芯片的光譜等。震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)