內(nèi)凸臺(tái)的中心形成有沿厚度方向貫穿內(nèi)凸臺(tái)的凸臺(tái)孔,，調(diào)平件8的中心形成有沿厚度方向貫穿調(diào)平件8的調(diào)平孔,，驅(qū)動(dòng)軸3上形成有調(diào)平螺紋孔,，中心螺釘依次穿過調(diào)平孔,、凸臺(tái)孔和調(diào)平螺紋孔,，以將調(diào)平件8和驅(qū)動(dòng)軸3固定在內(nèi)凸臺(tái)上,，調(diào)平件8能夠調(diào)整中心螺釘與傳動(dòng)筒4之間的角度,。本實(shí)用新型對(duì)調(diào)平件8與驅(qū)動(dòng)軸3如何夾持內(nèi)凸臺(tái)結(jié)構(gòu)41不做具體限定,，例如，如圖3所示,，調(diào)平件8中形成有多個(gè)沿軸向延伸的調(diào)平通道,，調(diào)平通道中設(shè)置有調(diào)平球，調(diào)平件8還包括多個(gè)調(diào)平螺釘,，調(diào)平螺釘與調(diào)平球一一對(duì)應(yīng),，調(diào)平螺釘能夠推動(dòng)調(diào)平球沿調(diào)平通道移動(dòng)；調(diào)平件8中還形成有多個(gè)徑向延伸的楔形通道,，楔形通道與調(diào)平通道一一對(duì)應(yīng),，且楔形通道沿徑向貫穿調(diào)平件8的調(diào)平通道外側(cè)的外壁,，楔形通道中設(shè)置有楔形塊，楔形塊能夠在調(diào)平球移動(dòng)至楔形通道位置時(shí)被調(diào)平球頂入楔形通道,，與傳動(dòng)筒4的內(nèi)壁接觸,。在發(fā)現(xiàn)工藝盤轉(zhuǎn)軸1或工藝盤01的角度出現(xiàn)偏差時(shí)，將工藝盤01偏高一側(cè)對(duì)應(yīng)的調(diào)平螺釘擰入對(duì)應(yīng)的調(diào)平通道,，該調(diào)平螺釘頂部推動(dòng)對(duì)應(yīng)的調(diào)平球靠近楔形通道,，調(diào)平球?qū)?duì)應(yīng)的楔形塊推出楔形通道，從而增加調(diào)平件8與傳動(dòng)筒4在該側(cè)內(nèi)壁之間的距離,，進(jìn)而使工藝盤轉(zhuǎn)軸1的軸線向該側(cè)轉(zhuǎn)動(dòng),，實(shí)現(xiàn)將工藝盤01偏高的一側(cè)調(diào)低。因此具有更佳的設(shè)計(jì) 能力和用自動(dòng)化的更高可行性,。江西HIPS半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工要求

    本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,，具體地，涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備中的工藝盤組件,，以及一種包括該工藝盤組件的半導(dǎo)體設(shè)備,。背景技術(shù)：半導(dǎo)體設(shè)備通常由工藝腔和設(shè)置在工藝腔內(nèi)的工藝盤組成，工藝盤用于承載待加工的工件,，工件與工藝腔中通入的工藝氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或者由工藝氣體形成沉積物沉積在工件表面,，完成晶片的外延等半導(dǎo)體工藝。為了保證工藝盤上熱量的均勻性,，通常采用電機(jī)等設(shè)備驅(qū)動(dòng)工藝盤旋轉(zhuǎn),，目前的工藝盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)通常包括滑動(dòng)軸、襯套和石英轉(zhuǎn)軸,。其中,，石英轉(zhuǎn)軸用于驅(qū)動(dòng)工藝盤旋轉(zhuǎn)，襯套套設(shè)在滑動(dòng)軸上,，石英轉(zhuǎn)軸套設(shè)在襯套上,，且滑動(dòng)軸、襯套和石英轉(zhuǎn)軸三者軸線重合,，襯套通過貼合面之間的摩擦作用將滑動(dòng)軸的扭矩傳遞至石英轉(zhuǎn)軸上,。然而，基于這種結(jié)構(gòu)目前的半導(dǎo)體設(shè)備經(jīng)常出現(xiàn)工件放偏,、工藝效果不佳,、工藝盤旋轉(zhuǎn)卡頓等問題,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型旨在提供一種用于半導(dǎo)體設(shè)備的工藝盤組件,，該工藝盤組件能夠解決上述技術(shù)問題中的至少一者。為實(shí)現(xiàn)上述目的,，作為本實(shí)用新型的***個(gè)方面,，提供一種半導(dǎo)體設(shè)備中的工藝盤組件,，包括工藝盤和工藝盤轉(zhuǎn)軸，所述工藝盤轉(zhuǎn)軸用于驅(qū)動(dòng)所述工藝盤旋轉(zhuǎn),，所述工藝盤組件還包括驅(qū)動(dòng)軸和驅(qū)動(dòng)襯套,。天津電木半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工厚度生產(chǎn)集成電路芯片需要高度專業(yè)化的設(shè)備，可在多重苛刻環(huán)境下工作,。

    表1實(shí)施例和對(duì)比例的碳化硅陶瓷的力學(xué)性能數(shù)據(jù)從上表1中可以看出,，實(shí)施例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度均在400mpa左右，實(shí)施例2得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度甚至高達(dá)451mpa,，遠(yuǎn)高于對(duì)比例得到的碳化硅陶瓷的抗彎強(qiáng)度,。實(shí)施例得到的碳化硅陶瓷的顯微硬度至少為2441hv，致密度均在3g/cm3以上,，而對(duì)比例得到的碳化硅陶瓷的抗顯微硬度和致密度均較低,。由此可以看出，采用實(shí)施例中的碳化硅陶瓷的制備方法得到的碳化硅陶瓷的力學(xué)性能較好,。以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合,，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述,，然而,，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍,。以上所述實(shí)施例*表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式,，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制,。應(yīng)當(dāng)指出的是,，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,，還可以做出若干變形和改進(jìn),，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn),。

    半導(dǎo)體材料是什么？半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）,、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質(zhì),、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體,、半導(dǎo)體和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍（上限按謝嘉奎《電子線路》取值,，還有取其1/10或10倍的,；因角標(biāo)不可用,，暫用當(dāng)前描述）。在一般情況下,，半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而升高,，這與金屬導(dǎo)體恰好相反。凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導(dǎo)體材料的范圍,。反映半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料內(nèi)在基本性質(zhì)的卻是各種外界因素如光,、熱、磁,、電等作用于半導(dǎo)體而引起的物理效應(yīng)和現(xiàn)象,，這些可統(tǒng)稱為半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體性質(zhì)。構(gòu)成固態(tài)電子器件的基體材料絕大多數(shù)是半導(dǎo)體,，正是這些半導(dǎo)體材料的各種半導(dǎo)體性質(zhì)賦予各種不同類型半導(dǎo)體器件以不同的功能和特性,。半導(dǎo)體的基本化學(xué)特征在于原子間存在飽和的共價(jià)鍵。作為共價(jià)鍵特征的典型是在晶格結(jié)構(gòu)上表現(xiàn)為四面體結(jié)構(gòu),，所以典型的半導(dǎo)體材料具有金剛石或閃鋅礦（ZnS）的結(jié)構(gòu),。由于地球的礦藏多半是化合物，所以**早得到利用的半導(dǎo)體材料都是化合物,，例如方鉛礦,。磨削、銑削,、鉆孔,、車削和制造都可以很好地運(yùn)用在半導(dǎo)體零件加工上。

    半導(dǎo)體材料的應(yīng)用半導(dǎo)體材料的早期應(yīng)用：半導(dǎo)體的***個(gè)應(yīng)用就是利用它的整流效應(yīng)作為檢波器,，就是點(diǎn)接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器,，即將一個(gè)金屬探針接觸在一塊半導(dǎo)體上以檢測(cè)電磁波）。除了檢波器之外,，在早期,，半導(dǎo)體還用來做整流器、光伏電池,、紅外探測(cè)器等,，半導(dǎo)體的四個(gè)效應(yīng)都用到了。從1907年到1927年,，美國(guó)的物理學(xué)家研制成功晶體整流器,、硒整流器和氧化亞銅整流器。1931年,，蘭治和伯格曼研制成功硒光伏電池,。1932年，德國(guó)先后研制成功硫化鉛、硒化鉛和碲化鉛等半導(dǎo)體紅外探測(cè)器,，在二戰(zhàn)中用于偵測(cè)飛機(jī)和艦船。二戰(zhàn)時(shí)盟軍在半導(dǎo)體方面的研究也取得了很大成效,，英國(guó)就利用紅外探測(cè)器多次偵測(cè)到了德國(guó)的飛機(jī),。***，半導(dǎo)體已***地用于家電,、通訊,、工業(yè)制造、航空,、航天等領(lǐng)域,。1994年，電子工業(yè)的世界市場(chǎng)份額為6910億美元,，1998年增加到9358億美元,。而其中由于美國(guó)經(jīng)濟(jì)的衰退，導(dǎo)致了半導(dǎo)體市場(chǎng)的下滑,，即由1995年的1500多億美元,，下降到1998年的1300多億美元。經(jīng)過幾年的徘徊,，目前半導(dǎo)體市場(chǎng)已有所回升,。制備不同的半導(dǎo)體器件對(duì)半導(dǎo)體材料有不同的形態(tài)要求，包括單晶的切片,、磨片,、拋光片、薄膜等,。半導(dǎo)體材料的不同形態(tài)要求對(duì)應(yīng)不同的加工工藝,。由于該材料的線性熱膨脹系數(shù)（CLTE）較低、公差配置可更緊,。湖北環(huán)保半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工特質(zhì)

機(jī)加工能力,，支持仿真系統(tǒng)NPI應(yīng)用發(fā)展。江西HIPS半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工要求

    水平定向結(jié)晶法主要用于制備砷化鎵單晶,，而垂直定向結(jié)晶法用于制備碲化鎘,、砷化鎵。用各種方法生產(chǎn)的體單晶再經(jīng)過晶體定向,、滾磨,、作參考面、切片,、磨片,、倒角、拋光,、腐蝕,、清洗,、檢測(cè)、封裝等全部或部分工序以提供相應(yīng)的晶片,。在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶薄膜稱為外延,。外延的方法有氣相、液相,、固相,、分子束外延等。工業(yè)生產(chǎn)使用的主要是化學(xué)氣相外延,，其次是液相外延,。金屬有機(jī)化合物氣相外延和分子束外延則用于制備量子阱及超晶格等微結(jié)構(gòu)。非晶,、微晶,、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷,、金屬等襯底上用不同類型的化學(xué)氣相沉積,、磁控濺射等方法制成。1,、元素半導(dǎo)體材料硅在當(dāng)前的應(yīng)用相當(dāng)***,，他不僅是半導(dǎo)體集成電路，半導(dǎo)體器件和硅太陽能電池的基礎(chǔ)材料,，而且用半導(dǎo)體制作的電子器件和產(chǎn)品已經(jīng)大范圍的進(jìn)入到人們的生活,，人們的家用電器中所用到的電子器件80%以上與案件都離不開硅材料。鍺是稀有元素,，地殼中的含量較少,，由于鍺的特有性質(zhì)，使得它的應(yīng)用主要集中與制作各種二極管,，三極管等,。而以鍺制作的其他錢江如探測(cè)器，也具有著許多的優(yōu)點(diǎn),，***的應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,。2、有機(jī)半導(dǎo)體材料有機(jī)半導(dǎo)體材料具有熱***電導(dǎo)率,，如萘蒽,，聚丙烯和聚二乙烯苯以及堿金屬和蒽的絡(luò)合物。江西HIPS半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工要求