場效應(yīng)管注意事項:結(jié)型場效應(yīng)管的柵源電壓不能接反,可以在開路狀態(tài)下保存,,而絕緣柵型場效應(yīng)管在不使用時,,由于它的輸入電阻非常高,須將各電極短路,,以免外電場作用而使管子損壞。焊接時,,電烙鐵外殼必須裝有外接地線,,以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接,,也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接,。特別在焊接絕緣柵場效應(yīng)管時,要按源極-漏極-柵極的先后順序焊接,,并且要斷電焊接,。對于功率型場效應(yīng)管,要有良好的散熱條件,。因為功率型場效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,,必須設(shè)計足夠的散熱器,確保殼體溫度不超過額定值,使器件長期穩(wěn)定可靠地工作,。柵極(G),,調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極。通過向柵極施加電壓,,可以控制ID,。珠海N型場效應(yīng)管分類
場效應(yīng)管電極:所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain),、源極(source)三個端,,分別大致對應(yīng)BJT的基極(base)、集電極(collector)和發(fā)射極(emitter),。除JFET以外,,所有的FET也有第四端,被稱為體(body),、基(base),、塊體(bulk)或襯底(substrate)。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行,;在電路設(shè)計中,,很少讓體端發(fā)揮大的作用,但是當(dāng)物理設(shè)計一個集成電路的時候,,它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長度(length)L,是指源和漏的距離,。寬度(width)是指晶體管的范圍,,在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多,。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz,,0.2微米則是約30GHz。珠海N型場效應(yīng)管分類場效應(yīng)管輸入結(jié)電容?。ǚ答侂娙荩?,輸出端負(fù)載的變化對輸入端影響小。
場效應(yīng)管工作原理用一句話說,,就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,, 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說,,ID流經(jīng)通路的寬度,,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,,產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故,。在VGS=0的非飽和區(qū)域,,表示的過渡層的擴(kuò)展因為不很大,根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場,,源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,,ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,,并不是電流被切斷,。
場效應(yīng)管的參數(shù):場效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),,但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù):1、I DSS — 飽和漏源電流,。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,,柵極電壓U GS=0時的漏源電流?!?,、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,,使漏源間剛截止時的柵極電壓,。 3,、UT — 開啟電壓,。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓,。4,、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力,,即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。在場效應(yīng)晶體管中,,當(dāng)以線性模式工作時,電子可以沿任意方向流過溝道,。
場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線:柵極電壓對漏極電流的控制稱為轉(zhuǎn)移特性,,反映兩者關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。N溝結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖,。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時,,漏極電流隨之變化,。當(dāng)柵極電壓=0時,ID值為場效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS,;當(dāng)漏極電流=0時,,柵極電壓的值為結(jié)型場效應(yīng)管夾斷UQ。輸出特性曲線:當(dāng) Ugs確定時,,反映 ID與 Uds的關(guān)系曲線是輸出特征曲線,,又稱漏極特性曲線。按圖示可劃分為三個區(qū)域:飽和區(qū),、擊穿區(qū)和非飽和區(qū),。當(dāng)起放大作用時,應(yīng)該在飽和區(qū)內(nèi)工作,。請注意,,這里的“飽和區(qū)”對應(yīng)普通三極管的“放放區(qū)”。場效應(yīng)管它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,,因此它的溫度穩(wěn)定性較好,。廣東金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)管參數(shù)
漏極與源極之間的電壓由VDS表示。珠海N型場效應(yīng)管分類
場效應(yīng)管的主要參數(shù):① 開啟電壓VGS(th) (或VT)開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù),,柵源電壓小于開啟電壓的好不要值,,場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。② 夾斷電壓VGS(off) (或VP)夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù),,當(dāng)VGS=VGS(off) 時,,漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場效應(yīng)三極管,,當(dāng)VGS=0時所對應(yīng)的漏極電流,。④ 輸入電阻RGS場效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值,對于結(jié)型場效應(yīng)三極管,,反偏時RGS約大于107Ω,,對于絕緣柵場型效應(yīng)三極管,RGS約是109~1015Ω,。珠海N型場效應(yīng)管分類
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