場效應管輸入電阻基本是無窮大,,但是GS之間存在一個電容,而且場效應管能承受電流越大,Cgs一般也越大,在高速開關時,,MOS會在突然導通與突然關斷之間切換,那么前級的推動電路就需要對MOS的輸入電容進行充放電,如果不要驅(qū)動電路,,推動電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求(推動輸出電阻越大,MOS的Vgs上升或下降越慢),,這樣就使得MOS在相當一部分時間內(nèi)工作在線性區(qū)域,,從而導致開關效率降低!例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,,RDS(on)=3.2W,,大于0.58W(典型值)(4)檢查跨導將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S極,,黑表筆接D極,,手持螺絲刀去碰觸柵極,表針應有明顯偏轉(zhuǎn),,偏轉(zhuǎn)愈大,,管子的跨導愈高。場效應管的失真多為偶次諧波失真,,聽感好,。臺州MOS場效應管
場效應管注意事項:用25W電烙鐵焊接時應迅速,若用45~75W電烙鐵焊接,,應用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱,。結型場效應管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量(檢查各PN結的正反向電阻及漏源之間的電阻值),而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查,,必須用測試儀,,而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線。取下時,,則應先短路再取下,,關鍵在于避免柵極懸空。在要求輸入阻抗較高的場合使用時,,必須采取防潮措施,,以免由于溫度影響使場效應管的輸入電阻降低。如果用四引線的場效應管,,其襯底引線應接地,。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,應注意避光使用,。南通場效應管批發(fā)價場效應管轉(zhuǎn)換速率較高,,高頻特性好。
場效應管估測放大能力:將萬用表撥到R×100檔,,紅表筆接源極S,,黑表筆接漏極D,,相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值,。然后用手指捏柵極G,,將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用,,UDS和ID都將發(fā)生變化,,也相當于D-S極間電阻發(fā)生變化,可觀察到表針有較大幅度的擺動,。如果手捏柵極時表針擺動很小,說明管子的放大能力較弱,;若表針不動,,說明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應的50Hz交流電壓較高,,而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同,,因此用手捏柵極時表針可能向右擺動,也可能向左擺動,。少數(shù)的管子RDS減小,,使表針向右擺動,多數(shù)管子的RDS增大,,表針向左擺動,。無論表針的擺動方向如何,只要能有明顯地擺動,,就說明管子具有放大能力,。
場效應管的主要參數(shù):① 開啟電壓VGS(th) (或VT)開啟電壓是MOS增強型管的參數(shù),柵源電壓小于開啟電壓的好不要值,,場效應管不能導通,。② 夾斷電壓VGS(off) (或VP)夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù),當VGS=VGS(off) 時,,漏極電流為零,。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場效應三極管,當VGS=0時所對應的漏極電流,。④ 輸入電阻RGS場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值,,對于結型場效應三極管,反偏時RGS約大于107Ω,,對于絕緣柵場型效應三極管,,RGS約是109~1015Ω。場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管,。
場效應管測放大能力:用感應信號法具體方法:用萬用表電阻的R×100檔,,紅表筆接源極S,,黑表筆接漏極D,給場效應管加上1.5V的電源電壓,,此時表針指示出的漏源極間的電阻值,。然后用手捏住結型場效應管的柵極G,將人體的感應電壓信號加到柵極上,。這樣,,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,,由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小,,說明管的放大能力較差,;表針擺動較大,表明管的放大能力大,;若表針不動,,說明管是壞的。漏極與源極之間的電壓由VDS表示,。南通場效應管批發(fā)價
場效應管可應用于放大,。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高。臺州MOS場效應管
場效應管介紹:場效應晶體管(縮寫FET)簡稱場效應管,。由多數(shù)載流子參與導電,,也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導體器件,。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω),、噪聲小、功耗低,、動態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,。場效應管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流),;場效應管的輸入端電流極小,,因此它的輸入電阻很大。它是利用多數(shù)載流子導電,,因此它的溫度穩(wěn)定性較好,;它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲,,所以噪聲相對會比較低,。臺州MOS場效應管
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