場效應(yīng)管的分類:場效應(yīng)管分結(jié)型,、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名,。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中,，應(yīng)用為普遍的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）,；此外還有PMOS,、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管，以及近剛問世的πMOS場效應(yīng)管,、VMOS功率模塊等,。　按溝道半導(dǎo)體材料的不同,，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種,。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型,。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的,。場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分,。深圳P溝道場效應(yīng)管分類

場效應(yīng)管的參數(shù):場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流,。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流?！?,、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。　3,、UT — 開啟電壓,。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓,。4,、gM — 跨導(dǎo),。是表示柵源電壓U GS — 對(duì)漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù),。貼片場效應(yīng)管用途源極(S)，載流子經(jīng)過源極進(jìn)入溝道,。通常,，在源極處進(jìn)入通道的電流由IS表示。

場效應(yīng)管的檢測方法:（1）準(zhǔn)備工作測量之前,，先把人體對(duì)地短路后,，才能摸觸MOSFET的管腳。比較好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通,，使人體與大地保持等電位,。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線,。（2）判定電極將萬用表撥于R×100檔,，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大,，證明此腳就是柵極G,。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐,，其中阻值較小的那一次,，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極,。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品,，S極與管殼接通,，據(jù)此很容易確定S極,。（3）檢查放大能力（跨導(dǎo)）將G極懸空,，黑表筆接D極，紅表筆接S極,，然后用手指觸摸G極,，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn),。雙柵MOS場效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2,。為區(qū)分之,，可用手分別觸摸G1,、G2極,，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極,。

C-MOS場效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管）電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用,。當(dāng)輸入端為低電平時(shí),，P溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,，輸出端與電源正極接通,。當(dāng)輸入端為高電平時(shí),，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,，輸出端與電源地接通,。在該電路中,，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反,。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出,。同時(shí)由于漏電流的影響,，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時(shí),，MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷。場效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果,。

場效應(yīng)管以N溝道為例,，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通,，二者總保持等電位,。當(dāng)漏接電源正極,，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高,，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道,，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí),，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID,。場效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子,。貼片場效應(yīng)管用途

場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,。深圳P溝道場效應(yīng)管分類

場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較場效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件,，基極必須取一定的電流。因此,，在信號(hào)源額定電流極小的情況,，應(yīng)選用場效應(yīng)管,。場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電,。由于少子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感,，因此,，對(duì)于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應(yīng)管比較合適,。場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外,，還可作壓控可變線性電阻使用,。場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的,，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù),。因此,，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活。深圳P溝道場效應(yīng)管分類

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