與雙極型晶體管相比,，場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）,；（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng),；（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低。結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管,。深圳P溝道場效應(yīng)管用途

場效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果。在增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管中,，漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類型,，或者摻雜與耗盡型場效應(yīng)晶體管類似的類型。場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分,。場效應(yīng)晶體管的類型包括:結(jié)型場效應(yīng)管(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)使用反向偏置的pn結(jié)將柵極與主體電極分開MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)將絕緣體(通常SiO2)置于漏極和主體電極之間,。MNOS 金屬-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體晶體管將氮化物-氧化物層絕緣體置于柵極和主體電極之間。DGMOSFET ( 雙柵極MOSFET ),，一種具有兩個絕緣柵極的場效應(yīng)晶體管,。廣東手動場效應(yīng)管命名場效應(yīng)晶體管的一個優(yōu)點(diǎn)是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ）,。

場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,，被稱之為雙極型器件,。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比三極管好,。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。

場效應(yīng)管的主要參數(shù) :Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.Up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.　Ut — 開啟電壓.是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓.gM — 跨導(dǎo).是表示柵源電壓UGS — 對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時,場效應(yīng)管正常工作所能承受的較大漏源電壓.這是一項極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BVDS.PDSM — 較大耗散功率,也是一項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率.使用時,場效應(yīng)管實際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量.IDSM — 較大漏源電流.是一項極限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許通過的較大電流.場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM場效應(yīng)管由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低,。

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管,。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件,。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好,。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。場效應(yīng)管當(dāng)柵壓為零,，漏極電流也為零,，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。深圳P溝道場效應(yīng)管用途

場效應(yīng)管極間電容場效應(yīng)管三個電極之間的電容,，它的值越小表示管子的性能越好,。深圳P溝道場效應(yīng)管用途

場效應(yīng)管的參數(shù):場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流,。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓U GS=0時的漏源電流?！?,、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。　3,、UT — 開啟電壓,。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓,。4,、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力,，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù),。深圳P溝道場效應(yīng)管用途

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