場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應選用場效應管；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應選用晶體管。場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數載流子,，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件,。有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好,。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應用,。場效應管的抗輻射能力強,。金屬氧化半導體場效應管制造商

場效應管大功率電路：(1)為了安全使用場效應管,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數的極限值.(2)各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應管偏置的極性.如結型場效應管柵源漏之間是PN結,N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓,。(3)MOS場效應管由于輸人阻抗極高,所以在運輸,、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應電勢將柵極擊穿.尤其要注意,不能將MOS場效應管放人塑料盒子內,保存時比較好放在金屬盒內,同時也要注意管的防潮.杭州單級場效應管生產源極(S)，載流子經過源極進入溝道,。通常,，在源極處進入通道的電流由IS表示。

場效應管MOSFET運用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數字電路中,，和我們的生活密不可分,。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅動場效應管應用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多,，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動；其次MOSFET的開關速度比較迅速,，能夠以較高的速度工作,，因為沒有電荷存儲效應；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機理,，它在溫度越高時往往耐力越強,，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內提供較好的性 能,。MOSFET已經得到了大量應用,，在消費電子、工業(yè)產品,、機電設備,、智能手機以及其他便攜式數碼電子產品中隨處可見。

場效應管大功率如何使用：為了防止場效應管柵極感應擊穿,要求一切測試儀器,、工作臺,、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時,應以適當的方式確保人體接地如采用接地環(huán)等,。在安裝場效應管時,注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動,有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時,應當大于根部尺寸5毫米處進行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等.結型場效應管(結型場效應晶體管)使用反向偏置的pn結將柵極與主體電極分開,。

C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管）電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時,，P溝道MOS場效應管導通,，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時,，N溝道MOS場效應管導通,，輸出端與電源地接通。在該電路中,，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態(tài)下工作,，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出,。同時由于漏電流的影響,，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時,，MOS場效應管既被關斷,。場效應管它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,。佛山P溝增強型場效應管命名

場效應晶體管通常比雙極結型晶體管 (BJT)產生更少的噪聲,，因此可應用于噪聲敏感電子器件。金屬氧化半導體場效應管制造商

MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強型兩種,。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型,。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上,。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制,，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時這也是我們稱之為場效應管的原因,。金屬氧化半導體場效應管制造商

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