場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成,，其中硅是目前常見(jiàn)的。大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成,。特殊的基體材料包括非晶硅,、多晶硅,、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET),。有機(jī)晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機(jī)材料制成,。這種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用各種材料制造，例如碳化硅(SiC),、砷化鎵(GaAs),、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs)。2011年6月,，IBM宣布已成功地將石墨烯基場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于集成電路中,。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz，比標(biāo)準(zhǔn)硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管高得多,。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件。上海st場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨

場(chǎng)效應(yīng)管估測(cè)放大能力:將萬(wàn)用表?yè)艿絉×100檔,，紅表筆接源極S,，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值,。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上,。由于管子的放大作用,，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化,，可觀(guān)察到表針有較大幅度的擺動(dòng),。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱,；若表針不動(dòng),，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞,。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同,，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng),，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小,，使表針向右擺動(dòng),，多數(shù)管子的RDS增大，表針向左擺動(dòng),。無(wú)論表針的擺動(dòng)方向如何,，只要能有明顯地?cái)[動(dòng)，就說(shuō)明管子具有放大能力,。上海場(chǎng)效應(yīng)管接線(xiàn)圖場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來(lái)區(qū)分,。

場(chǎng)效應(yīng)管的電極柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開(kāi)關(guān)。這個(gè)柵極可以通過(guò)制造或者消除源極和漏極之間的溝道,，從而允許或者阻礙電子流過(guò),。如果受一個(gè)加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極,。體很簡(jiǎn)單的就是指柵,、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體,。通常體端和一個(gè)電路中較高或較低的電壓相連,，根據(jù)類(lèi)型不同而不同。體端和源極有時(shí)連在一起,，因?yàn)橛袝r(shí)源也連在電路中較高或較低的電壓上,。當(dāng)然有時(shí)一些電路中FET并沒(méi)有這樣的結(jié)構(gòu)，比如級(jí)聯(lián)傳輸電路和串疊式電路,。

場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻基本是無(wú)窮大,，但是GS之間存在一個(gè)電容，而且場(chǎng)效應(yīng)管能承受電流越大,，Cgs一般也越大,，在高速開(kāi)關(guān)時(shí)，MOS會(huì)在突然導(dǎo)通與突然關(guān)斷之間切換,，那么前級(jí)的推動(dòng)電路就需要對(duì)MOS的輸入電容進(jìn)行充放電,，如果不要驅(qū)動(dòng)電路，推動(dòng)電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿(mǎn)足要求（推動(dòng)輸出電阻越大,，MOS的Vgs上升或下降越慢）,，這樣就使得MOS在相當(dāng)一部分時(shí)間內(nèi)工作在線(xiàn)性區(qū)域，從而導(dǎo)致開(kāi)關(guān)效率降低,！例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管,，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導(dǎo)將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔,，紅表筆接S極,，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極,，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn),，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)常見(jiàn)用途是用作放大器,。

場(chǎng)效應(yīng)管判斷跨導(dǎo)的大小:測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對(duì)VMOSV溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接源極S,、黑表筆接漏極D,，這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓,。此時(shí)柵極是開(kāi)路的,，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔,，此時(shí)表內(nèi)電壓較高,。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化,，其變化越大,，說(shuō)明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小,，用此法測(cè)時(shí),，反向阻值變化不大。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。珠海J型場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)

場(chǎng)效應(yīng)管在源極金屬與襯底連在一起時(shí),，源極和漏極可以互換使用。上海st場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨

場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法：（1）判定柵極G將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大,，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大，則證明此腳為G極,，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的,。（2）判定源極S、漏極D在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正,、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極,。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極,。（3）測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路,，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極,，紅表筆接D極,，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測(cè)試條件不同,，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些,。上海st場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨

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