場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小、功耗低,、動態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者,。增強型場效應(yīng)管特點:當(dāng)Vgs=0時Id(漏極電流)=0,。浙江大功率場效應(yīng)管

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說,，ID流經(jīng)通路的寬度,，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化,，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴展因為不很大,，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動,。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷,。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷,。珠海J型場效應(yīng)管型號場效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成。

場效應(yīng)管注意事項:為了安全使用場效應(yīng)管,，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率,，較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值,。各類型場效應(yīng)管在使用時，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中,，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),，N溝道管柵極不能加正偏壓,；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等,。MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以在運輸,、貯藏中必須將引出腳短路,，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿,。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時比較好放在金屬盒內(nèi),，同時也要注意管的防潮。

場效應(yīng)管注意事項:為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測試儀器、工作臺,、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時,，先焊源極,；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,，焊接場效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時,，好不要不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意,。場效應(yīng)管的抗輻射能力強,。

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比晶體管好,。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。場效應(yīng)晶體管的一個常見用途是用作放大器,。無錫場效應(yīng)管供應(yīng)

場效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低,。浙江大功率場效應(yīng)管

場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時,，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）,。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時,，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流,，即IDSS。浙江大功率場效應(yīng)管

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