場效應(yīng)管的參數(shù):場效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1,、I DSS — 飽和漏源電流,。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流,?！?,、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓,。　3,、UT — 開啟電壓,。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓,。4,、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力,，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù),。場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。P溝道場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

場效應(yīng)管的測試判定估測場效應(yīng)管的放大能力:　將萬用表撥到R×100檔,，紅表筆接源極S,，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值,。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號加到柵極上,。由于管子的放大作用,，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化,，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng),。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說明管子的放大能力較弱,；若表針不動(dòng),，說明管子已經(jīng)損壞。佛山半導(dǎo)體場效應(yīng)管特點(diǎn)場效應(yīng)管高輸入阻抗容易驅(qū)動(dòng),，輸入阻抗隨頻率的變化比較小 ,。

場效應(yīng)晶體管的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ），從而使控制和流動(dòng)彼此,。因?yàn)榛鶚O電流噪聲將隨著整形時(shí)間而增加,，場效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件,，例如調(diào)諧器和用于甚高頻和衛(wèi)星接收機(jī)的低噪聲放大器,。場效應(yīng)晶體管對輻射相對免疫。它在零漏極電流下不顯示失調(diào)電壓,，因此是一款出色的信號斬波器,。場效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管具有更好的熱穩(wěn)定性。因?yàn)閳鲂?yīng)晶體管是由柵極電荷控制的,，所以在某下狀態(tài)下一旦柵極閉合或打開,，就不會(huì)像使用雙極結(jié)晶體管或者是非閉鎖的繼電器一樣有額外的功率損耗。這允許極低功率開關(guān),，這反過來又允許電路更小型化,，因?yàn)榕c其他類型的開關(guān)相比，散熱需求減少了,。

場效應(yīng)管無標(biāo)示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,，也就是源極S和漏極D，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,，對調(diào)表筆再測量一次,，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次,，黑表筆所接的電極為漏極D,；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S,、D極,，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極,；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣,。當(dāng)確定了漏極D,、源極S的位置后，按D,、S的對應(yīng)位置裝人電路,，一般G1、G2也會(huì)依次對準(zhǔn)位置,，這就確定了兩個(gè)柵極G1,、G2的位置，從而就確定了D,、S,、G1、G2管腳的順序,。場效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下,，比較好接入保護(hù)二極管。

場效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成,，其中硅是目前常見的,。大多數(shù)場效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅,、多晶硅,、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET),。有機(jī)晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機(jī)材料制成,。這種特殊的場效應(yīng)晶體管使用各種材料制造，例如碳化硅(SiC),、砷化鎵(GaAs),、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs)。2011年6月，IBM宣布已成功地將石墨烯基場效應(yīng)晶體管應(yīng)用于集成電路中,。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz,，比標(biāo)準(zhǔn)硅基場效應(yīng)晶體管高得多。場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分,。上海N溝耗盡型場效應(yīng)管原理

場效應(yīng)管當(dāng)柵壓為零,，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型,。P溝道場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

場效應(yīng)管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極,、柵極與源極、柵極與漏極,、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞,。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻,，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知,，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的）,，如果測得阻值大于正常值,，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大,，可能是內(nèi)部斷極,。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間,、柵極與源極,、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大,，則說明管是正常的,；若測得上述各阻值太小或?yàn)橥罚瑒t說明管是壞的,。要注意,，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測,。P溝道場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

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