場效應(yīng)管以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位,。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時,，溝道電流（即漏極電流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引,，在兩個擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時,，N溝道管開始導(dǎo)通,，形成漏極電流ID。場效應(yīng)管它靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,，又稱單極型晶體管,。絕緣柵型場效應(yīng)管原理

場效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了安全使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率,，較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。各類型場效應(yīng)管在使用時,，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中,，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),，N溝道管柵極不能加正偏壓,；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等,。MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意,，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時比較好放在金屬盒內(nèi)，同時也要注意管的防潮,。絕緣柵型場效應(yīng)管原理場效應(yīng)管輸出為輸入的2次冪函數(shù),。

場效應(yīng)管的分類:場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類,。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名,，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中,，應(yīng)用為普遍的是MOS場效應(yīng)管,，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）,；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管,，以及近剛問世的πMOS場效應(yīng)管,、VMOS功率模塊等?！“礈系腊雽?dǎo)體材料的不同,，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分,，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型,。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的,。

場效應(yīng)管：當(dāng)帶電荷的生物分子在離子敏感膜上發(fā)生識別并形成復(fù)合物時，或生物分子在離子敏感膜上發(fā)生生化反應(yīng)形成有離子型產(chǎn)物(如H+) 時,，將引起離子敏感膜表面電荷密度的改變,，從而改變離子敏感膜電位，這就相當(dāng)于通過外電源調(diào)節(jié)柵極電壓,，達(dá)到控制源極與漏極之間的溝道電流的目的,。而且，柵極敏感膜上的生物分子吸附量與漏極輸出電流在一定范圍內(nèi)有線性相關(guān)性,。因此,，通過測量漏極電流大小就可以定量分析發(fā)生在柵極離子敏感膜上的生物反應(yīng)，這些生物反應(yīng)包括核酸雜化,、蛋白質(zhì)作用,、抗體抗原結(jié)合，以及酶底物反應(yīng),。場效應(yīng)管高輸入阻抗容易驅(qū)動，輸入阻抗隨頻率的變化比較小 ,。

場效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分,。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單,。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作,，因?yàn)闆]有電荷存儲效應(yīng),；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機(jī)理,，它在溫度越高時往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能,。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,，在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品,、機(jī)電設(shè)備,、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見,。HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究,。廣東貼片場效應(yīng)管命名

場效應(yīng)管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,。絕緣柵型場效應(yīng)管原理

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管,。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,。被稱之為雙極型器件,。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比晶體管好,。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。絕緣柵型場效應(yīng)管原理

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