場(chǎng)效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極,、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上,，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng),。VMOS管則不同,，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn),，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu),；具有垂直導(dǎo)電性,。由于漏極是從芯片的背面引出,，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā),，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，垂直向下到達(dá)漏極D。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,，所以能通過(guò)大電流,。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果,。寧波場(chǎng)效應(yīng)管使用注意事項(xiàng)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ），從而使控制和流動(dòng)彼此,。因?yàn)榛鶚O電流噪聲將隨著整形時(shí)間而增加,，場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件,，例如調(diào)諧器和用于甚高頻和衛(wèi)星接收機(jī)的低噪聲放大器,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)輻射相對(duì)免疫。它在零漏極電流下不顯示失調(diào)電壓,，因此是一款出色的信號(hào)斬波器,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管具有更好的熱穩(wěn)定性。因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管是由柵極電荷控制的,，所以在某下?tīng)顟B(tài)下一旦柵極閉合或打開(kāi),，就不會(huì)像使用雙極結(jié)晶體管或者是非閉鎖的繼電器一樣有額外的功率損耗。這允許極低功率開(kāi)關(guān),，這反過(guò)來(lái)又允許電路更小型化,，因?yàn)榕c其他類(lèi)型的開(kāi)關(guān)相比，散熱需求減少了,。江蘇P溝增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)常見(jiàn)用途是用作放大器,。

場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)：柵極電壓對(duì)漏極電流的控制稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性，反映兩者關(guān)系的曲線(xiàn)稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn),。N溝結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)如圖,。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時(shí)，漏極電流隨之變化,。當(dāng)柵極電壓=0時(shí),，ID值為場(chǎng)效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS；當(dāng)漏極電流=0時(shí),，柵極電壓的值為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管夾斷UQ,。輸出特性曲線(xiàn)：當(dāng) Ugs確定時(shí)，反映 ID與 Uds的關(guān)系曲線(xiàn)是輸出特征曲線(xiàn),，又稱(chēng)漏極特性曲線(xiàn),。按圖示可劃分為三個(gè)區(qū)域：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū),。當(dāng)起放大作用時(shí),，應(yīng)該在飽和區(qū)內(nèi)工作,。請(qǐng)注意，這里的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放放區(qū)”,。

場(chǎng)效應(yīng)管介紹：場(chǎng)效應(yīng)晶體管（縮寫(xiě)FET）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管,。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過(guò)VGS（柵源電壓）來(lái)控制ID（漏極電流）,；場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大,。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲相對(duì)會(huì)比較低,。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)控制ID（漏極電流）。

場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制元件,，這一點(diǎn)類(lèi)似于電子管的三極管,，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比,，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有如下特點(diǎn)：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過(guò)UGS來(lái)控制ID；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻很大,。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；（6）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低,。場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,，晶體管輸出特性曲線(xiàn)以基極電流Ib 為參變量。廣東N溝增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管原理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲,，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件,。寧波場(chǎng)效應(yīng)管使用注意事項(xiàng)

用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極,。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極,，分別測(cè)出其正,、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正,、反向電阻值相等,，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S,。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ,。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極,，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測(cè)其電阻值,。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí),，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極,。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,，說(shuō)明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻,，可以判定是Ｎ溝道場(chǎng)效應(yīng)管,，且黑表筆接的是柵極；若兩次測(cè)出的電阻值均很小,，說(shuō)明是正向ＰＮ結(jié),，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場(chǎng)效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極,。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑,、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試,，直到判別出柵極為止。寧波場(chǎng)效應(yīng)管使用注意事項(xiàng)

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