場(chǎng)效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個(gè)端,，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外,，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）,、基（base）,、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中,，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L,，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍,，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz,，0.2微米則是約30GHz,。場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,。MOS場(chǎng)效應(yīng)管用途

場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法：（1）判定柵極G將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大,，則證明此腳為G極,，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。（2）判定源極S,、漏極D在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,，可識(shí)別S極與D極,。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時(shí)黑表筆的是S極,，紅表筆接D極。（3）測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路,，選擇萬(wàn)用表的R×1檔,，黑表筆接S極，紅表筆接D極,，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐,。由于測(cè)試條件不同，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些,。揚(yáng)州場(chǎng)效應(yīng)管批發(fā)價(jià)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。

用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力具體方法：用萬(wàn)用表電阻的R×100檔,，紅表筆接源極Ｓ,，黑表筆接漏極Ｄ,，給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5Ｖ的電源電壓，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值,。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極Ｇ,，將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣,，由于管的放大作用,，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng),。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小，說(shuō)明管的放大能力較差,；表針擺動(dòng)較大,，表明管的放大能力大；若表針不動(dòng),，說(shuō)明管是壞的,。

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率,，較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中,，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),，N溝道管柵極不能加正偏壓,；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等,。MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意,，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮,。場(chǎng)效應(yīng)管當(dāng)柵壓為零,，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型,。

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測(cè)試儀器,、工作臺(tái)、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí),，先焊源極,；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時(shí)，好不要不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種三極管，包括源極,、柵極和漏極,。MOS場(chǎng)效應(yīng)管用途

HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究。MOS場(chǎng)效應(yīng)管用途

場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)放大能力:用感應(yīng)信號(hào)法具體方法：用萬(wàn)用表電阻的R×100檔,，紅表筆接源極S,，黑表筆接漏極D，給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值,。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G，將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上,。這樣,，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小,，說(shuō)明管的放大能力較差,；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大,；若表針不動(dòng),，說(shuō)明管是壞的,。MOS場(chǎng)效應(yīng)管用途

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