場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線：柵極電壓對漏極電流的控制稱為轉(zhuǎn)移特性,，反映兩者關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線,。N溝結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖,。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時，漏極電流隨之變化,。當(dāng)柵極電壓=0時,，ID值為場效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS；當(dāng)漏極電流=0時,，柵極電壓的值為結(jié)型場效應(yīng)管夾斷UQ。輸出特性曲線：當(dāng) Ugs確定時，反映 ID與 Uds的關(guān)系曲線是輸出特征曲線,，又稱漏極特性曲線,。按圖示可劃分為三個區(qū)域：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū),。當(dāng)起放大作用時,，應(yīng)該在飽和區(qū)內(nèi)工作。請注意,，這里的“飽和區(qū)”對應(yīng)普通三極管的“放放區(qū)”,。結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個電極，它們是：柵極,；漏極,；源極。N型場效應(yīng)管市場報價

場效應(yīng)管注意事項:用25W電烙鐵焊接時應(yīng)迅速,，若用45～75W電烙鐵焊接,，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型場效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值）,，而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查，必須用測試儀,，而且要在接入測試儀后才能去掉各電極短路線。取下時,，則應(yīng)先短路再取下,，關(guān)鍵在于避免柵極懸空。在要求輸入阻抗較高的場合使用時,，必須采取防潮措施,，以免由于溫度影響使場效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場效應(yīng)管,，其襯底引線應(yīng)接地,。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用,。金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)管供應(yīng)商在場效應(yīng)晶體管中,，當(dāng)以線性模式工作時，電子可以沿任意方向流過溝道。

場效應(yīng)管的歷史:場效應(yīng)晶體管的點項由朱利葉斯·埃德加·利林費爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出,。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久,，威廉姆·肖克利的團隊于1947年在貝爾實驗室觀察到晶體管效應(yīng)并闡釋了機理。隨后,，在20世紀(jì)80年代,，半導(dǎo)體器件(即結(jié)型場效應(yīng)晶體管)才逐漸發(fā)展起來。1950年,，日本工程師西澤潤一和渡邊發(fā)明了點種結(jié)型場效應(yīng)管——靜電感應(yīng)晶體管 (SIT),。靜電感應(yīng)晶體管是一種短溝道結(jié)型場效應(yīng)管。1959年,，由圣虎達(dá)溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場效應(yīng)管,，并對數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管,。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。源極(S),，載流子經(jīng)過源極進入溝道,。通常，在源極處進入通道的電流由IS表示,。

場效應(yīng)管MOSFET運用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單,。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小得多,，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速,，能夠以較高的速度工作,，因為沒有電荷存儲效應(yīng)；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機理,，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能,。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費電子,、工業(yè)產(chǎn)品,、機電設(shè)備、智能手機以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見,。場效應(yīng)晶體管是一種三極管,，包括源極、柵極和漏極,。廣州J型場效應(yīng)管型號

柵極(G),，調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極。通過向柵極施加電壓,，可以控制ID,。N型場效應(yīng)管市場報價

用感應(yīng)信號輸人法估測場效應(yīng)管的放大能力具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極Ｓ,，黑表筆接漏極Ｄ,，給場效應(yīng)管加上1.5Ｖ的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值,。然后用手捏住結(jié)型場效應(yīng)管的柵極Ｇ,，將人體的感應(yīng)電壓信號加到柵極上。這樣,，由于管的放大作用,，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動,。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差,；表針擺動較大,，表明管的放大能力大；若表針不動,，說明管是壞的,。N型場效應(yīng)管市場報價

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