場效應管注意事項:在安裝場效應管時,,注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動,,有必要將管殼體緊固起來,;管腳引線在彎曲時,應當大于根部尺寸5毫米處進行,,以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,,較大功率才能達到30W。多管并聯(lián)后,,由于極間電容和分布電容相應增加,使放大器的高頻特性變壞,,通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此,并聯(lián)復合管管子一般不超過4個,,而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。場效應晶體管是一種三極管,包括源極,、柵極和漏極,。中山P溝增強型場效應管原理
場效應管MOSFET分類MOSFET分為兩大類:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,,MOSFET起到的作用相當于一個開關(guān),。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,其開關(guān)導通,。導通時,,電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,,稱為導通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,因此,,總 是要在柵極加上一個電壓,。如果柵極為懸空,器件將不能按設計意圖工作,,并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關(guān)閉,,導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時,,開關(guān)關(guān)閉,,而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉,但仍然有微小電流存在,,這稱之為漏電流,,即IDSS。寧波N型場效應管特點場效應管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,,晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。
結(jié)型場效應管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應管為例),N溝道結(jié)構(gòu)型場效應管的結(jié)構(gòu)及符號,,由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,,故PN基本上是不導電的,形成了所謂耗盡區(qū),,當漏極電源電壓ED一定時,,如果柵極電壓越負,PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,,則漏,、源極之間導電的溝道越窄,漏極電流ID就愈??;反之,如果柵極電壓沒有那么負,,則溝道變寬,,ID變大,所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,,就是說,,場效應管是電壓控制元件。不同場效應管其關(guān)斷電壓略有不同,。也正因為如此,,使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。
場效應管電阻法測電極:根據(jù)場效應管的PN結(jié)正,、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,,可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,,任選兩個電極,,分別測出其正、反向電阻值,。當某兩個電極的正,、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極D和源極S,。因為對結(jié)型場效應管而言,,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G,。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,,另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極,測其電阻值,。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時,,則黑表筆所接觸的電極為柵極,其余兩電極分別為漏極和源極,。若兩次測出的電阻值均很大,,說明是PN結(jié)的反向,即都是反向電阻,,可以判定是P溝道場效應管,,且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小,,說明是正向PN結(jié),,即是正向電阻,判定為N溝道場效應管,,黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,,可以調(diào)換黑,、紅表筆按上述方法進行測試,直到判別出柵極為止,。場效應管當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型,。
場效應管與晶體管的比較:(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下,,應選用場效應管;而在信號電壓較低,,又允許從信號源取較多電流的條件下,,應選用晶體管。(2)場效應管是利用多數(shù)載流子導電,,所以稱之為單極型器件,,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導電,。被稱之為雙極型器件,。(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好,。(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應用,。源極(S),,載流子經(jīng)過源極進入溝道。通常,,在源極處進入通道的電流由IS表示,。佛山貼片場效應管分類
場效應管它是利用多數(shù)載流子導電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好,。中山P溝增強型場效應管原理
場效應管介紹:場效應晶體管(縮寫FET)簡稱場效應管,。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管,。屬于電壓控制型半導體器件,。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小,、功耗低,、動態(tài)范圍大、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。場效應管是電壓控制器件,,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流),;場效應管的輸入端電流極小,因此它的輸入電阻很大,。它是利用多數(shù)載流子導電,,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),;由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲,,所以噪聲相對會比較低。中山P溝增強型場效應管原理
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