三極管鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安,，硅管的穿透電流就比較小,，一般只有零點幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大,，卻與溫度有著密切的關系,，它們遵循著所謂的“加倍規(guī)則”，這就是溫度每升高 10℃ ,， I ceo 約增大一倍,。例如，某鍺管在常溫 20℃ 時,， I ceo 為 20μA ,，在使用中管芯溫度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右,。測量 I ceo 的電路很簡單,，三極管的基極開路，在集電極與發(fā)射極之間接入電源 V CC （ 6V ）,，串聯(lián)在電路中的電流表（可用萬用表中的 0.1mA 擋）所指示的電流值就是 I ceo ,。三極管的腳位判斷，三極管的腳位有兩種封裝排列形式,。深圳半導體三極管

數(shù)字三極管數(shù)字三極管：Digital Transistor,。是內部已經(jīng)集成了電阻的三極管，屬于集成電路元件,。俗稱帶阻三極管,，也就是內部自帶電阻，常用來做電子開關,，和同反相器功能相同,。這樣做的好處是，集成度高,，省掉了電阻的組裝,，方便、減少用戶的使用成本,。但是數(shù)字三極管配的電阻一般都是固定的,，和普通三極管相比,，使用靈活性要稍微差一些。電阻集成：一般集成一到兩個電阻,。有的在基極上串聯(lián)一只電阻, 一般稱為R1,； 有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2 。電阻R1 與電阻R2 可按多種方式搭配,，因此數(shù)字晶體管的品種很多,。深圳半導體三極管兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū),。

BVCEO是三極管基極開路時,，集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓。如果在使用中加在集電極與發(fā)射極之間的電壓超過這個數(shù)值時,，將可能使三極管產生很大的集電極電流,，這種現(xiàn)象叫擊穿。三極管擊穿后會造成性損壞或性能下降,。 PCM是集電極大允許耗散功率,。三極管在工作時，集電極電流在集電結上會產生熱量而使三極管發(fā)熱,。若耗散功率過大,，三極管將燒壞。在使用中如果三極管在大于PCM下長時間工作,，將會損壞三極管,。需要注意的是大功率三極管給出的大允許耗散功率都是在加有一定規(guī)格散熱器情況下的參數(shù)。

三極管的發(fā)明晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大,、開關功能控制電流,。真空電子管存在笨重、耗能,、反應慢等缺點,。二戰(zhàn)時，上急切需要一種穩(wěn)定可靠,、快速靈敏的電信號放大元件,，研究成果在二戰(zhàn)結束后獲得。早期,，由于鍺晶體較易獲得,，主要研制應用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后,，由于硅管生產工藝很高效,，鍺管逐漸被淘汰。經(jīng)半個世紀的發(fā)展，三極管種類繁多,，形貌各異,。小功率三極管一般為塑料包封；大功率三極管一般為金屬鐵殼包封,。三極管N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子,。

三極管工作狀態(tài)截止狀態(tài)當加在三極管發(fā)射結的電壓小于PN結的導通電壓，基極電流為零,，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，三極管這時失去了電流放大作用,，集電極和發(fā)射極之間相當于開關的斷開狀態(tài),，我們稱三極管處于截止狀態(tài)。放大狀態(tài)當加在三極管發(fā)射結的電壓大于PN結的導通電壓,，并處于某一恰當?shù)闹禃r,，三極管的發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置,，這時基極電流對集電極電流起著控制作用,，使三極管具有電流放大作用，其電流放大倍數(shù)β=ΔIc/ΔIb,，這時三極管處放大狀態(tài),。三極管引腳的排列方式具有一定的規(guī)律。珠?？旎謴腿龢O管分類

三家管PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴,。深圳半導體三極管

三極管是一種控制元件，三極管的作用非常的大,，可以說沒有三極管的發(fā)明就沒有現(xiàn)代信息社會的如此多樣化,，電子管是他的前身，但是電子管體積大耗電量巨大,，現(xiàn)在已經(jīng)被淘汰,。三極管主要用來控制電流的大小，以共發(fā)射極接法為例（信號從基極輸入,，從集電極輸出,，發(fā)射極接地），當基極電壓UB有一個微小的變化時,，基極電流IB也會隨之有一小的變化,，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會有一個很大的變化,，基極電流IB越大,，集電極電流IC也越大，反之，基極電流越小,，集電極電流也越小,，即基極電流控制集電極電流的變化。但是集電極電流的變化比基極電流的變化大得多,，這就是三極管的電流放大作用,。深圳半導體三極管

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