場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管,。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。場效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件,。珠海單級場效應(yīng)管命名

場效應(yīng)管無標(biāo)示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,，也就是源極S和漏極D，余下兩個腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2,。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,，對調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來,，兩次測得阻值較大的一次,，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S,。用這種方法判別出來的S,、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,，即放大能力大的黑表筆所接的是D極,；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣,。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后,，按D,、S的對應(yīng)位置裝人電路，一般G1,、G2也會依次對準(zhǔn)位置,，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置,，從而就確定了D,、S、G1,、G2管腳的順序,。珠海單級場效應(yīng)管命名場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。

場效應(yīng)管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個電極,。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用,，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐,?！　∽⒁獠荒苡么朔ㄅ卸ń^緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小,，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞,。

VMOS場效應(yīng)管:VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管,。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效,、功率開關(guān)器件。它不光繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）,、工作電流大（1.5A～100A）,、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好,、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性,。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）,、功率放大器,、開關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用。場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管,。

場效應(yīng)管的主要參數(shù)：① 開啟電壓VGS（th） （或VT）開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的好不要值,，場效應(yīng)管不能導(dǎo)通,。② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS（off） 時,，漏極電流為零,。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場效應(yīng)三極管，當(dāng)VGS=0時所對應(yīng)的漏極電流,。④ 輸入電阻RGS場效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值,，對于結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時RGS約大于107Ω，對于絕緣柵場型效應(yīng)三極管,，RGS約是109～1015Ω,。場效應(yīng)管由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低,。深圳金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)管命名

場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名。珠海單級場效應(yīng)管命名

場效應(yīng)管場效晶體管（場效應(yīng)晶體管,、場效應(yīng)管)是一種用電場效應(yīng)來控制電流的電子器件,。場效應(yīng)晶體管是一種三極管，包括源極,、柵極和漏極,。場效應(yīng)晶體管通過向柵極施加電壓來控制電流，這反過來會改變漏極和源極之間的電導(dǎo)率,。場效應(yīng)晶體管因其只需要一種載流子起作用,，故又稱為單極型晶體管。場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的結(jié)構(gòu)和工作原理而制成的傳感器,。即,，場效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子。現(xiàn)已有許多不同類型的場效應(yīng)晶體管,。場效應(yīng)晶體管通常在低頻時顯示非常高的輸入阻抗,。珠海單級場效應(yīng)管命名

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