場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關(guān)導(dǎo)通,。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,，因此,，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時,，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流,，即IDSS,。場效應(yīng)管它靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管,。非絕緣型場效應(yīng)管制造商

場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線：柵極電壓對漏極電流的控制稱為轉(zhuǎn)移特性,，反映兩者關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。N溝結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖,。當(dāng)柵極電壓取出不同的電壓時,，漏極電流隨之變化。當(dāng)柵極電壓=0時,，ID值為場效應(yīng)管飽和漏極電流IDSS,；當(dāng)漏極電流=0時，柵極電壓的值為結(jié)型場效應(yīng)管夾斷UQ,。輸出特性曲線：當(dāng) Ugs確定時,，反映 ID與 Uds的關(guān)系曲線是輸出特征曲線，又稱漏極特性曲線,。按圖示可劃分為三個區(qū)域：飽和區(qū),、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。當(dāng)起放大作用時,，應(yīng)該在飽和區(qū)內(nèi)工作,。請注意，這里的“飽和區(qū)”對應(yīng)普通三極管的“放放區(qū)”,。非絕緣型場效應(yīng)管制造商場效應(yīng)管的失真多為偶次諧波失真,，聽感好。

場效應(yīng)晶體管的一個優(yōu)點(diǎn)是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ）,，從而使控制和流動彼此,。因為基極電流噪聲將隨著整形時間而增加，場效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲,，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件,，例如調(diào)諧器和用于甚高頻和衛(wèi)星接收機(jī)的低噪聲放大器。場效應(yīng)晶體管對輻射相對免疫,。它在零漏極電流下不顯示失調(diào)電壓,，因此是一款出色的信號斬波器,。場效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管具有更好的熱穩(wěn)定性。因為場效應(yīng)晶體管是由柵極電荷控制的,，所以在某下狀態(tài)下一旦柵極閉合或打開,，就不會像使用雙極結(jié)晶體管或者是非閉鎖的繼電器一樣有額外的功率損耗。這允許極低功率開關(guān),，這反過來又允許電路更小型化,，因為與其他類型的開關(guān)相比，散熱需求減少了,。

場效應(yīng)管注意事項:為了安全使用場效應(yīng)管,，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值,。各類型場效應(yīng)管在使用時，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中,，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性,。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓,；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,，等等。MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,，所以在運(yùn)輸,、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿,。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時比較好放在金屬盒內(nèi),，同時也要注意管的防潮。場效應(yīng)管電子遷移在固體晶格中,，有無規(guī)則運(yùn)動,。

與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn),。（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大,。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng),；（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低,。DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場效應(yīng)晶體管,，同時充當(dāng)傳感器、放大器和存儲器節(jié)點(diǎn),。珠海N型場效應(yīng)管現(xiàn)貨

HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究。非絕緣型場效應(yīng)管制造商

場效應(yīng)管無標(biāo)示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,，也就是源極S和漏極D,，余下兩個腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,，對調(diào)表筆再測量一次,，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次,，黑表筆所接的電極為漏極D,；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S,、D極,，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極,；紅表筆所接地是S極,，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D,、源極S的位置后,，按D、S的對應(yīng)位置裝人電路,，一般G1,、G2也會依次對準(zhǔn)位置，這就確定了兩個柵極G1,、G2的位置,，從而就確定了D、S,、G1,、G2管腳的順序。非絕緣型場效應(yīng)管制造商

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