場效應(yīng)管判定柵極:用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個電極,。若兩次測出的阻值都很大，說明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用,，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐,。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小,，測量時只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞,。場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。臺州isc場效應(yīng)管命名

場效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）,、源極（source）三個端,，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外,，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）,、基（base）,、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運行,；在電路設(shè)計中,，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計一個集成電路的時候,，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離,。寬度（width）是指晶體管的范圍,，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多,。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz,，0.2微米則是約30GHz。臺州isc場效應(yīng)管命名柵極(G),，調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極,。通過向柵極施加電壓，可以控制ID,。

場效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 ,。CMOS (互補金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ)。這種工藝技術(shù)采用一種增強模式設(shè)計,，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接,，使得當(dāng)一個導(dǎo)通時，另一個閉合,。在場效應(yīng)晶體管中,，當(dāng)以線性模式工作時，電子可以沿任意方向流過溝道,。漏極和源極的命名慣例有些隨意,，因為器件通常(但不總是)從源極到漏極對稱構(gòu)建,。這使得場效應(yīng)晶體管適合在路徑之間切換模擬信號(多路復(fù)用)。利用這個概念可用于構(gòu)建固態(tài)混合板,。

場效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果,。在增強型場效應(yīng)晶體管中，漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類型,，或者摻雜與耗盡型場效應(yīng)晶體管類似的類型,。場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。場效應(yīng)晶體管的類型包括:結(jié)型場效應(yīng)管(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)使用反向偏置的pn結(jié)將柵極與主體電極分開MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)將絕緣體(通常SiO2)置于漏極和主體電極之間,。MNOS 金屬-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體晶體管將氮化物-氧化物層絕緣體置于柵極和主體電極之間,。DGMOSFET ( 雙柵極MOSFET )，一種具有兩個絕緣柵極的場效應(yīng)晶體管,。場效應(yīng)管的輸入阻抗很大,，輸入電流極小,；晶體管輸入阻抗很小,，在導(dǎo)電時輸入電流較大。

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管,。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件,。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好,。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高。廣東固電場效應(yīng)管分類

場效應(yīng)管高輸入阻抗容易驅(qū)動,，輸入阻抗隨頻率的變化比較小 ,。臺州isc場效應(yīng)管命名

場效應(yīng)管注意事項:在安裝場效應(yīng)管時,，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動,，有必要將管殼體緊固起來,；管腳引線在彎曲時，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，較大功率才能達(dá)到30W。多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此,，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。臺州isc場效應(yīng)管命名

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