場效應(yīng)管輸入電阻基本是無窮大,，但是GS之間存在一個電容,，而且場效應(yīng)管能承受電流越大，Cgs一般也越大,，在高速開關(guān)時,，MOS會在突然導(dǎo)通與突然關(guān)斷之間切換，那么前級的推動電路就需要對MOS的輸入電容進(jìn)行充放電,，如果不要驅(qū)動電路,，推動電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動輸出電阻越大，MOS的Vgs上升或下降越慢）,，這樣就使得MOS在相當(dāng)一部分時間內(nèi)工作在線性區(qū)域,，從而導(dǎo)致開關(guān)效率降低！例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管,，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導(dǎo)將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極,，黑表筆接D極,，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn),，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高,。場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管。深圳V型槽場效應(yīng)管生產(chǎn)

場效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分,。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小得多,，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速,，能夠以較高的速度工作,，因?yàn)闆]有電荷存儲效應(yīng)；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機(jī)理,，它在溫度越高時往往耐力越強(qiáng),，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能,。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,，在消費(fèi)電子,、工業(yè)產(chǎn)品、機(jī)電設(shè)備,、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見,。珠海結(jié)型場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管的一個常見用途是用作放大器。

場效應(yīng)管注意事項(xiàng):為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測試儀器,、工作臺、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時，先焊源極,；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時,，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,，焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時,，好不要不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意,。

場效應(yīng)管大功率如何使用：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測試儀器,、工作臺、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時,應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,。在安裝場效應(yīng)管時,注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動,有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時,應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等.場效應(yīng)管高輸入阻抗容易驅(qū)動，輸入阻抗隨頻率的變化比較小 ,。

場效應(yīng)管的主要參數(shù) :Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.Up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.　Ut — 開啟電壓.是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓.gM — 跨導(dǎo).是表示柵源電壓UGS — 對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù).BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時,場效應(yīng)管正常工作所能承受的較大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BVDS.PDSM — 較大耗散功率,也是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場效應(yīng)管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率.使用時,場效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量.IDSM — 較大漏源電流.是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許通過的較大電流.場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過IDSM場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng),。J型場效應(yīng)管用途

場效應(yīng)管由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管,。深圳V型槽場效應(yīng)管生產(chǎn)

用感應(yīng)信號輸人法估測場效應(yīng)管的放大能力具體方法：用萬用表電阻的R×100檔,，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ,，給場效應(yīng)管加上1.5Ｖ的電源電壓,，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場效應(yīng)管的柵極Ｇ,，將人體的感應(yīng)電壓信號加到柵極上,。這樣,，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發(fā)生變化,，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小,，說明管的放大能力較差,；表針擺動較大，表明管的放大能力大,；若表針不動,，說明管是壞的。深圳V型槽場效應(yīng)管生產(chǎn)

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