場效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個端,，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外,，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）,、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運行,；在電路設(shè)計中，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當物理設(shè)計一個集成電路的時候,，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L,，是指源和漏的距離,。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直,。通常情況下寬度比長度大得多,。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz,。DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場效應(yīng)晶體管,，同時充當傳感器、放大器和存儲器節(jié)點,。寧波P溝耗盡型場效應(yīng)管特點

場效應(yīng)管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小,，說明均是正向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐?！　∽⒁獠荒苡么朔ㄅ卸ń^緣柵型場效應(yīng)管的柵極,。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小,，測量時只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞,。珠海N溝增強型場效應(yīng)管場效應(yīng)管它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好。

場效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 ,。CMOS (互補金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ),。這種工藝技術(shù)采用一種增強模式設(shè)計,，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接,，使得當一個導(dǎo)通時,，另一個閉合。在場效應(yīng)晶體管中,，當以線性模式工作時,，電子可以沿任意方向流過溝道。漏極和源極的命名慣例有些隨意,，因為器件通常(但不總是)從源極到漏極對稱構(gòu)建,。這使得場效應(yīng)晶體管適合在路徑之間切換模擬信號(多路復(fù)用)。利用這個概念可用于構(gòu)建固態(tài)混合板,。

場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管,。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件,。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好,。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。場效應(yīng)管電子遷移在固體晶格中,，有無規(guī)則運動。

場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET起到的作用相當于一個開關(guān)。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關(guān)導(dǎo)通,。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）,。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計意圖工作,，并可能在不恰當?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當源極和柵極間的電 壓為零時,，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流,，即IDSS,。場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名,。寧波P溝耗盡型場效應(yīng)管特點

HIGFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)絕緣柵場效應(yīng)晶體管)現(xiàn)在主要用于研究,。寧波P溝耗盡型場效應(yīng)管特點

MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種,。增強型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型,。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制,，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因,。寧波P溝耗盡型場效應(yīng)管特點

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